大功率晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMBT4401,215 编号：C81180

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号：PMBT4403。

数据手册

20+
￥0.1782
200+
￥0.1418
600+
￥0.1216
3000+
￥0.106
9000+
￥0.0955
21000+
￥0.0898

有货

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型号：HL3139KT 编号：C52204689

封装：SOT-523

品牌：R+O(宏嘉诚)

20+
￥0.1893
200+
￥0.1485
600+
￥0.1258
3000+
￥0.1122
9000+
￥0.1004

有货

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型号：AO3400A 编号：C5296724

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

数据手册

20+
￥0.19608 ￥0.2451
200+
￥0.15504 ￥0.1938
600+
￥0.13224 ￥0.1653
3000+
￥0.1072 ￥0.134
9000+
￥0.09536 ￥0.1192
21000+
￥0.08896 ￥0.1112

有货

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型号：AP40P05 编号：C2886385

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：40V，5A。 RDS(ON) < 85mΩ @VGS = -10V，TYP: 65mΩ。 RDS(ON) < 120mΩ @VGS = -4.5V，TYP: 90mΩ。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。应用：接口开关。负载开关

数据手册

20+
￥0.1962
200+
￥0.1703
600+
￥0.1559
3000+
￥0.1239
9000+
￥0.1164
21000+
￥0.1124

有货

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型号：A09T 编号：C20607740

封装：SOT-23

品牌：OSEN(欧芯)

20+
￥0.1987
200+
￥0.1593
600+
￥0.1374
3000+
￥0.1243
9000+
￥0.1129
21000+
￥0.1068

有货

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型号：SI2306 编号：C181089

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：较低的导通电阻。可靠且耐用

数据手册

20+
￥0.20235 ￥0.213
200+
￥0.159695 ￥0.1681
600+
￥0.13604 ￥0.1432
3000+
￥0.11419 ￥0.1202
9000+
￥0.10184 ￥0.1072
21000+
￥0.09519 ￥0.1002

有货

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型号：RUM001L02T2CL 编号：C253528

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

数据手册

20+
￥0.206
200+
￥0.1583
600+
￥0.1318
2000+
￥0.1159
8000+
￥0.1021
16000+
￥0.0946

有货

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型号：2N7002-7-F 编号：C85049

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

20+
￥0.2179
200+
￥0.1775
600+
￥0.155
3000+
￥0.1271
9000+
￥0.1154
21000+
￥0.1091

有货

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型号：MMBTA92LT1G 编号：C82049

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2187
200+
￥0.1699
600+
￥0.1427
3000+
￥0.1209
9000+
￥0.1068
21000+
￥0.0992

有货

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型号：8205S 编号：C2762930

封装：SOT-23-6

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

数据手册

10+
￥0.22797 ￥0.2682
100+
￥0.17952 ￥0.2112
300+
￥0.155295 ￥0.1827
3000+
￥0.12376 ￥0.1456
6000+
￥0.109225 ￥0.1285
9000+
￥0.101915 ￥0.1199

有货

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型号：KSI2305CDS-T1-GE3 编号：C2891686

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：TrenchFET Power MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.2291
200+
￥0.1829
600+
￥0.1573
3000+
￥0.1275
9000+
￥0.1141
21000+
￥0.1069

有货

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型号：BC846BLT1G 编号：C82477

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2297
200+
￥0.1851
600+
￥0.1604
3000+
￥0.1299
9000+
￥0.117
21000+
￥0.11

有货

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型号：MMBTA42LT1G 编号：C94389

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2334
200+
￥0.1816
600+
￥0.1529
3000+
￥0.1269
9000+
￥0.1119
21000+
￥0.1039

有货

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型号：BSS138PS 编号：C5224289

封装：SOT-363

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，2个N沟道，60V，0.3A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.2351
50+
￥0.1789
150+
￥0.1477
500+
￥0.129
3000+
￥0.1128
6000+
￥0.104

有货

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型号：S8205A 编号：C181097

封装：SOT-23-6

品牌：Hottech(合科泰)

特性：低导通电阻：VDS = 20V，ID = 5A，RDS(ON) ≤ 25mΩ @VGS = 4.5V。低栅极电荷。适用于同步整流应用。表面贴装器件

数据手册

1+
￥0.24434 ￥0.2572
10+
￥0.193515 ￥0.2037
30+
￥0.1653 ￥0.174
100+
￥0.14839 ￥0.1562
500+
￥0.13376 ￥0.1408
1000+
￥0.12578 ￥0.1324

有货

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型号：CJ3402 编号：C59515

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,4A,55mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.2477
200+
￥0.2004
600+
￥0.1741
3000+
￥0.1409
9000+
￥0.1272
21000+
￥0.1199

有货

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型号：MMBT2222A-7-F 编号：C94515

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 150mA。互补PNP型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.2646
100+
￥0.2121
300+
￥0.1858
3000+
￥0.1441
6000+
￥0.1283
9000+
￥0.1204

有货

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型号：BSS123-7-F 编号：C85107

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高密度先进沟槽技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如：小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、开关应用

数据手册

20+
￥0.2668
200+
￥0.2162
600+
￥0.1881
3000+
￥0.1622
9000+
￥0.1476
21000+
￥0.1397

有货

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型号：CXT5551(RANGE:120-180) 编号：C24259

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：适用于高压应用中的开关和放大。低电流（最大600mA）。高电压（最大180V）

数据手册

10+
￥0.3019
100+
￥0.2443
300+
￥0.2155
1000+
￥0.1819
5000+
￥0.1646
10000+
￥0.156

有货

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型号：SSM3J332R,LF 编号：C146367

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8V驱动低导通电阻:RDS(ON) = 144mΩ(最大值)(VGS = 1.8V)。 RDS(ON) = 72.0mΩ(最大值)(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) = 50.0mΩ(最大值)(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) = 42.0mΩ(最大值)(VGS = 10V)。应用：电源管理开关

数据手册

10+
￥0.3094
100+
￥0.247
300+
￥0.2158
3000+
￥0.1712
6000+
￥0.1525
9000+
￥0.1431

有货

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型号：BC846S,115 编号：C133184

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT363（SC - 88）塑料六引脚封装的NPN双晶体管。

数据手册

10+
￥0.3101
100+
￥0.242
300+
￥0.2079
3000+
￥0.1824
6000+
￥0.162
9000+
￥0.1518

有货

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

10+
￥0.3206
100+
￥0.2556
300+
￥0.2231
1000+
￥0.1987
4000+
￥0.1792
8000+
￥0.1694

有货

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型号：SI2328A 编号：C2681219

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

数据手册

10+
￥0.34
100+
￥0.2635
300+
￥0.2253
3000+
￥0.1847
6000+
￥0.1618
9000+
￥0.1503

有货

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型号：FDN340P 编号：C2890122

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3762
100+
￥0.2983
300+
￥0.2593
3000+
￥0.2169
6000+
￥0.1935
9000+
￥0.1818

有货

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型号：SSM3J328R,LF 编号：C396016

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ 最大 (VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ 最大 (VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7mΩ 最大 (VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 29.0mΩ 最大 (VGS =-4.5V)。应用：电源管理开关应用

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