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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
型号：AON7544 编号：C5261066
封装：DFN3x3-8L
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
此款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装，具备强大的100A连续电流处理能力，在30V额定电压下运行。专为高密度、高性能电路设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
数据手册

  • 5+

    ￥0.8155

  • 50+

    ￥0.6652

  • 150+

    ￥0.59

  • 500+

    ￥0.5336

  • 2500+

    ￥0.4291

  • 5000+

    ￥0.4066
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    2个N沟道 耐压:50V 电流:510mA
    型号：NDC7002N(UMW) 编号：C404322
    封装：SOT-23-6
    品牌：UMW(友台半导体)
    这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺旨在最大限度地降低导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6448

    • 50+

      ￥0.5044

    • 150+

      ￥0.4342

    • 500+

      ￥0.3816

    • 3000+

      ￥0.3195

    • 6000+

      ￥0.2984
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：50N06 编号：C2939003
    封装：TO-252
    品牌：KUU
    50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7047

    • 50+

      ￥0.5829

    • 150+

      ￥0.522

    • 500+

      ￥0.4763

    • 2500+

      ￥0.3393

    • 5000+

      ￥0.321
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:1.6A
    型号：IRLML0100TRPBF 编号：C53658
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7695

    • 50+

      ￥0.6257

    • 150+

      ￥0.5537

    • 500+

      ￥0.47481 ￥0.4998

    • 3000+

      ￥0.371355 ￥0.3909

    • 6000+

      ￥0.350835 ￥0.3693
  • 有货
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    双P沟道增强型MOSFET 2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：AO4805 编号：C5183840
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.91979 ￥0.9682

    • 50+

      ￥0.73739 ￥0.7762

    • 150+

      ￥0.646285 ￥0.6803

    • 500+

      ￥0.52668 ￥0.5544

    • 3000+

      ￥0.47196 ￥0.4968

    • 6000+

      ￥0.4446 ￥0.468
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：WSP4882 编号：C377862
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP4882是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9353

    • 50+

      ￥0.7529

    • 150+

      ￥0.6617

    • 500+

      ￥0.5933

    • 3000+

      ￥0.5214

    • 6000+

      ￥0.494
  • 有货
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    P沟道,电流:62A,耐压:30V
    型号：AOD403 编号：C5224305
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V，-62A，79W，8mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9572

    • 50+

      ￥0.8262

    • 150+

      ￥0.77

    • 500+

      ￥0.7

    • 2500+

      ￥0.6688

    • 5000+

      ￥0.65
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:34A
    型号：AONR21357 编号：C431196
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    P沟道
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0544

    • 50+

      ￥1.6182

    • 150+

      ￥1.4312

    • 500+

      ￥1.0923

    • 2500+

      ￥0.9884

    • 5000+

      ￥0.9261
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:55V 电流:4.7A
    型号：IRF7341TRPBF 编号：C21791
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1609

    • 50+

      ￥1.7649

    • 150+

      ￥1.5952

    • 500+

      ￥1.07407 ￥1.1306

    • 2500+

      ￥0.984485 ￥1.0363

    • 4000+

      ￥0.930715 ￥0.9797
  • 有货
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    耐压:30V 电流:150A
    型号：TPH1R403NL 编号：C19268167
    封装：PowerDFN-8(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 30V。 ID = 150A。 RDS(ON) = 2.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) = 3.3mΩ（VGS = 4.5V）。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关

    • 5+

      ￥2.46

    • 50+

      ￥1.88

    • 150+

      ￥1.64

    • 500+

      ￥1.33

    • 2500+

      ￥1.19

    • 5000+

      ￥1.1
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:172A
    型号：CRSS042N10N 编号：C410926
    封装：TO-263
    品牌：CRMICRO(华润微)
    N沟道 100V 120A 3.4mΩ@10v
    数据手册

    • 1+

      ￥3.49

    • 10+

      ￥2.97

    • 30+

      ￥2.6

    • 100+

      ￥2.29

    • 500+

      ￥2

    • 1000+

      ￥1.94
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:58A
    型号：AOD66923 编号：C485687
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    Trench Power AlphaSGTTM技术。低RDS(ON)。逻辑电平驱动。出色的QG x RDS(ON)乘积（FOM）。尖峰优化工艺。符合RoHS和无卤标准
    数据手册

    • 1+

      ￥3.98

    • 10+

      ￥3.25

    • 30+

      ￥2.88

    • 100+

      ￥2.52

    • 500+

      ￥2.19

    • 1000+

      ￥2.08
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
    型号：IRF840PBF 编号：C537842
    封装：TO-220AB
    品牌：VISHAY(威世)
    第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50 W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.74

    • 10+

      ￥3.85

    • 50+

      ￥3.16

    • 100+

      ￥2.6112 ￥2.72

    • 500+

      ￥2.352 ￥2.45

    • 1000+

      ￥2.2272 ￥2.32
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
    型号：PMXB65ENEZ 编号：C547275
    封装：SOT1215
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.16

    • 10+

      ￥4.23

    • 30+

      ￥3.77

    • 100+

      ￥3.2107 ￥3.31

    • 500+

      ￥2.9488 ￥3.04

    • 1000+

      ￥2.813 ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
    型号：WSD90P06DN56 编号：C719104
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.61

    • 10+

      ￥7.28

    • 30+

      ￥6.55

    • 100+

      ￥5.72

    • 500+

      ￥4.6

    • 1000+

      ￥4.44
  • 有货
    • 立即购买
    1.2kV 50A
    型号：IKW25N120T2 编号：C111026
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：短路耐受时间：10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术，提供非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用：变频器。不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥20.39

    • 10+

      ￥17.68

    • 30+

      ￥15.01

    • 90+

      ￥13.39

    • 480+

      ￥12.64

    • 960+

      ￥12.3
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T-JSM 编号：C30587305
    封装：SOT-523
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于一般切换和放大。

    • 50+

      ￥0.03438 ￥0.0382

    • 500+

      ￥0.03357 ￥0.0373

    • 3000+

      ￥0.03303 ￥0.0367

    • 6000+

      ￥0.0324 ￥0.036
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:150mA 电压:45V
    型号：S9015 编号：C2926163
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    放大倍数300-400 100MA电流
    数据手册

    • 100+

      ￥0.042

    • 1000+

      ￥0.0328

    • 3000+

      ￥0.0259

    • 9000+

      ￥0.0228

    • 51000+

      ￥0.0202

    • 99000+

      ￥0.0188
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401S 编号：C22395787
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    特性：PNP高压

    • 50+

      ￥0.0502

    • 500+

      ￥0.0389

    • 3000+

      ￥0.0326

    • 6000+

      ￥0.0288

    • 24000+

      ￥0.0255

    • 51000+

      ￥0.0237
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.6A 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C2891814
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：与MMBT5551互补
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0577

    • 500+

      ￥0.0453

    • 3000+

      ￥0.0376

    • 6000+

      ￥0.0335

    • 24000+

      ￥0.0299

    • 51000+

      ￥0.028
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2762211
    封装：SOT-23
    品牌：晶导微电子
    NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0723

    • 500+

      ￥0.0551

    • 3000+

      ￥0.0455

    • 6000+

      ￥0.0397

    • 24000+

      ￥0.0347

    • 51000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904LT1G 编号：C7422625
    封装：SOT-23
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：与MMBT3906互补

    • 50+

      ￥0.0726

    • 500+

      ￥0.0564

    • 3000+

      ￥0.0474

    • 6000+

      ￥0.042

    • 24000+

      ￥0.0373

    • 51000+

      ￥0.0348
  • 有货
    • 立即购买
    2L(2L表示丝印) PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401T 编号：C2836079
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    PNP 电流:500mA 电压:150V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.075

    • 500+

      ￥0.0653

    • 3000+

      ￥0.0568

    • 6000+

      ￥0.0535

    • 24000+

      ￥0.0507

    • 51000+

      ￥0.0492
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1500mA 电压:25V
    型号：L8050HQLT1G 编号：C39280
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：小封装大电流容量，集电极电流（IC）= 1.5A。 外延平面型。 NPN互补。 提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0767

    • 500+

      ￥0.0589

    • 3000+

      ￥0.0491

    • 6000+

      ￥0.0431

    • 24000+

      ￥0.038

    • 51000+

      ￥0.0352
  • 有货
    • 立即购买
    丝印2X NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：LMBT4401LT1G 编号：C78591
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    NPN 40V 600mA 丝印2X 功能与管脚顺序同长电的MMBT4401
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    300-400 NPN 电流:100mA 电压:50V
    型号：2SC1623(RANGE:300-400) 编号：C2133
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：高直流电流增益：hFE = 200（典型值），VCE = 6V，Ic = 1mA。 高电压：VCEO = 50V
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    NPN 80V 100mA 200-450 1B
    型号：BC846BW 编号：C5364246
    封装：SOT-323
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC856W互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
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    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C266592
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：与S8550互补。 集电极电流：IC = 0.5A
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    hfe=120~200 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550(RANGE:120-200) 编号：C105430
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    hfe=120~200
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    NPN 电流:100mA 电压:40V
    型号：PMBS3904,215 编号：C8668
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用塑料SOT23封装的NPN晶体管。互补PNP型晶体管：PMBS3906。
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