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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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这款NPN型三极管具有1A的电流处理能力和80V的耐压范围。其放大倍数介于100至250之间,适用于高精度信号放大。在频率方面,它可支持高达100MHz的信号处理,适用于高速电路设计。该元器件为电子设备的信号处理和放大提供了可靠的解决方案。
数据手册
  • 10+

    ¥0.3675
  • 100+

    ¥0.3062
  • 300+

    ¥0.2755
  • 1000+

    ¥0.2103
  • 5000+

    ¥0.1919
  • 10000+

    ¥0.1826
  • 有货
  • 特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1871
    • 200+

      ¥0.1503
    • 600+

      ¥0.1299
    • 3000+

      ¥0.1149
    • 9000+

      ¥0.1043
    • 21000+

      ¥0.0985
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1122
    • 9000+

      ¥0.1004
  • 有货
  • 特性:与2SA1204互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.2129
    • 200+

      ¥0.167
    • 1000+

      ¥0.1386
    • 2000+

      ¥0.1233
    • 10000+

      ¥0.11
    • 20000+

      ¥0.1029
  • 有货
  • MOSFET,小信号,60 V,380mA,单 N 沟道,SOT-23
    数据手册
    • 20+

      ¥0.218
    • 200+

      ¥0.1717
    • 600+

      ¥0.146
    • 3000+

      ¥0.1306
    • 9000+

      ¥0.1172
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@1.8V,2A
    数据手册
    • 10+

      ¥0.23607 ¥0.2623
    • 100+

      ¥0.19287 ¥0.2143
    • 300+

      ¥0.17127 ¥0.1903
    • 3000+

      ¥0.13644 ¥0.1516
    • 6000+

      ¥0.12348 ¥0.1372
    • 9000+

      ¥0.117 ¥0.13
  • 有货
  • 特性:与MMBTA94互补。 高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.237025 ¥0.2495
    • 200+

      ¥0.190855 ¥0.2009
    • 600+

      ¥0.165205 ¥0.1739
    • 3000+

      ¥0.142975 ¥0.1505
    • 9000+

      ¥0.12958 ¥0.1364
    • 21000+

      ¥0.122455 ¥0.1289
  • 有货
  • 特性:BVDSS:30V。 RDS(ON):450mΩ。 ID:800mA。 与SI1304BDL-T1-GE3引脚完全兼容。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 10+

      ¥0.2438
    • 100+

      ¥0.2138
    • 300+

      ¥0.1988
    • 3000+

      ¥0.1875
    • 6000+

      ¥0.1785
    • 9000+

      ¥0.174
  • 有货
  • PNP 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@1A,2V
    • 10+

      ¥0.245055 ¥0.2883
    • 100+

      ¥0.196095 ¥0.2307
    • 300+

      ¥0.171615 ¥0.2019
    • 1000+

      ¥0.153255 ¥0.1803
    • 4000+

      ¥0.13855 ¥0.163
    • 10000+

      ¥0.131155 ¥0.1543
  • 有货
  • NPN 电流:3A 耐压:30V (hFE):400@20mA,2V
    • 10+

      ¥0.25041 ¥0.2946
    • 100+

      ¥0.20145 ¥0.237
    • 300+

      ¥0.17697 ¥0.2082
    • 1000+

      ¥0.15351 ¥0.1806
    • 4000+

      ¥0.138805 ¥0.1633
    • 10000+

      ¥0.13141 ¥0.1546
  • 有货
  • N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2567
    • 200+

      ¥0.2036
    • 600+

      ¥0.1741
    • 3000+

      ¥0.1564
    • 9000+

      ¥0.1411
    • 21000+

      ¥0.1328
  • 有货
  • 特性:互补类型:FMMT593。 标记:493
    数据手册
    • 20+

      ¥0.265
    • 200+

      ¥0.2114
    • 600+

      ¥0.1816
    • 3000+

      ¥0.1598
    • 9000+

      ¥0.1443
    • 21000+

      ¥0.1359
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 功率(Pd):500mW Y档(160-320)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.29374 ¥0.3092
    • 100+

      ¥0.240445 ¥0.2531
    • 300+

      ¥0.21375 ¥0.225
    • 1000+

      ¥0.164825 ¥0.1735
    • 5000+

      ¥0.148865 ¥0.1567
    • 10000+

      ¥0.14079 ¥0.1482
  • 有货
  • NCE6003X采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2963
    • 100+

      ¥0.2291
    • 300+

      ¥0.1955
    • 3000+

      ¥0.1703
    • 6000+

      ¥0.1501
    • 9000+

      ¥0.14
  • 有货
  • 采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用双晶体管。NPN互补型号:BC847BS。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2993
    • 100+

      ¥0.2336
    • 300+

      ¥0.2007
    • 3000+

      ¥0.1761
    • 6000+

      ¥0.1564
    • 9000+

      ¥0.1465
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术,高密度单元设计,实现超低导通电阻,采用SOT-23-3L表面贴装封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3069
    • 100+

      ¥0.2719
    • 300+

      ¥0.2543
    • 3000+

      ¥0.2158
    • 6000+

      ¥0.2052
    • 9000+

      ¥0.2
  • 有货
  • N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V;FDV301N的大电流版本
    数据手册
    • 10+

      ¥0.309
    • 100+

      ¥0.2427
    • 300+

      ¥0.2095
    • 3000+

      ¥0.1847
    • 6000+

      ¥0.1648
    • 9000+

      ¥0.1548
  • 有货
  • 原厂变更型号,性能完全一致。对应老型号为:AO3400
    数据手册
    • 10+

      ¥0.31198 ¥0.3284
    • 100+

      ¥0.25365 ¥0.267
    • 300+

      ¥0.224485 ¥0.2363
    • 3000+

      ¥0.1843 ¥0.194
    • 6000+

      ¥0.16682 ¥0.1756
    • 9000+

      ¥0.15808 ¥0.1664
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V,RDS(ON) ≤ 52mΩ @ VGS = -10V,ID = -4A。 低导通电阻。 适用于PWM和负载开关应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.31483 ¥0.3314
    • 100+

      ¥0.2565 ¥0.27
    • 300+

      ¥0.227335 ¥0.2393
    • 3000+

      ¥0.19817 ¥0.2086
    • 6000+

      ¥0.18069 ¥0.1902
    • 9000+

      ¥0.17195 ¥0.181
  • 有货
  • P 沟道功率 MOSFET,逻辑电平,-50V,-130mA,10Ω,SOT-23 逻辑电平
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3157
    • 100+

      ¥0.2492
    • 300+

      ¥0.2159
    • 3000+

      ¥0.1909
    • 6000+

      ¥0.171
    • 9000+

      ¥0.161
  • 有货
  • 特性:VDS max: 30V。 VGS max: ±12V。 RDS(on) max: 29mΩ @VGS=4.5V。 RDS(on) max: 37mΩ @VGS=2.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.321765 ¥0.3387
    • 100+

      ¥0.260395 ¥0.2741
    • 300+

      ¥0.229805 ¥0.2419
    • 3000+

      ¥0.19399 ¥0.2042
    • 6000+

      ¥0.17556 ¥0.1848
    • 9000+

      ¥0.166345 ¥0.1751
  • 有货
  • N沟道 100V 2A,210毫欧,,比BSS123电流大。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3809
    • 100+

      ¥0.2945
    • 300+

      ¥0.2513
    • 3000+

      ¥0.2189
    • 6000+

      ¥0.193
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用:负载/电源开关。 接口
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3857
    • 50+

      ¥0.3417
    • 150+

      ¥0.3197
    • 500+

      ¥0.3032
    • 3000+

      ¥0.2531
    • 6000+

      ¥0.2465
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3882
    • 100+

      ¥0.309
    • 300+

      ¥0.2694
    • 3000+

      ¥0.2298
    • 6000+

      ¥0.206
    • 9000+

      ¥0.1941
  • 有货
  • 特性:适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BCP54...BCP56(NPN)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3993
    • 100+

      ¥0.3204
    • 300+

      ¥0.2809
    • 2500+

      ¥0.2447
    • 5000+

      ¥0.221
    • 10000+

      ¥0.2091
  • 有货
  • 2个P沟道,-30V,-5.8A,40mΩ@-10V,-5.0A,-1.5V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4051
    • 50+

      ¥0.3427
    • 150+

      ¥0.3115
    • 500+

      ¥0.2881
    • 3000+

      ¥0.2694
    • 6000+

      ¥0.26
  • 有货
  • 特性:与BCX51至BCX53互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.4164
    • 100+

      ¥0.3353
    • 300+

      ¥0.2947
    • 1000+

      ¥0.2537
    • 5000+

      ¥0.2293
    • 10000+

      ¥0.2171
  • 有货
  • 此款消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装,集成双N沟道技术,额定电压为30V,最大连续电流高达4.5A。适用于高效率电源转换和电子设备开关控制,凭借其紧凑设计与出色性能,提供理想的双通道功率管理解决方案。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4176
    • 50+

      ¥0.342
    • 150+

      ¥0.3042
    • 500+

      ¥0.2758
    • 3000+

      ¥0.2445
    • 6000+

      ¥0.2332
  • 有货
  • 双沟道,N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V;P沟道:-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4203
    • 100+

      ¥0.3431
    • 300+

      ¥0.3045
    • 3000+

      ¥0.2466
    • 6000+

      ¥0.2234
    • 9000+

      ¥0.2118
  • 有货
  • NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4599
    • 100+

      ¥0.3657
    • 300+

      ¥0.3187
    • 3000+

      ¥0.281
    • 6000+

      ¥0.2528
    • 9000+

      ¥0.2386
  • 有货
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