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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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N沟道,电流:6.5A,耐压:20V
型号：HL3416 编号：C28646273
封装：SOT-23
品牌：R+O(宏嘉诚)
特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

  • 10+

    ￥0.3012

  • 100+

    ￥0.2381

  • 300+

    ￥0.2065

  • 3000+

    ￥0.1829

  • 6000+

    ￥0.1639

  • 9000+

    ￥0.1545
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:0.6A 电压:60V
    型号：MMDT2227 编号：C41375117
    封装：SOT-363
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散：200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管（NPN + PNP）。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C

    • 10+

      ￥0.3879

    • 100+

      ￥0.3067

    • 300+

      ￥0.266

    • 3000+

      ￥0.2355

    • 6000+

      ￥0.2112

    • 9000+

      ￥0.199
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:4A 电压:140V
    型号：FZT955 编号：C41375112
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散为3W。 PNP低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 5+

      ￥0.877

    • 50+

      ￥0.6914

    • 150+

      ￥0.5986

    • 500+

      ￥0.529

    • 2500+

      ￥0.4733

    • 5000+

      ￥0.4455
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：HT06P900S 编号：C49066905
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 1+

      ￥2.37

    • 10+

      ￥1.86

    • 30+

      ￥1.64

    • 100+

      ￥1.36

    • 500+

      ￥1.2

    • 1000+

      ￥1.12
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401 编号：C408394
    封装：SOT-23-3
    品牌：MDD(辰达半导体)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06897 ￥0.0726

    • 500+

      ￥0.06042 ￥0.0636

    • 3000+

      ￥0.05149 ￥0.0542

    • 6000+

      ￥0.04864 ￥0.0512

    • 24000+

      ￥0.04617 ￥0.0486

    • 51000+

      ￥0.04484 ￥0.0472
  • 有货
    • 立即购买
    HB04P130S
    型号：HB04P130S 编号：C49256778
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.8002

    • 50+

      ￥1.426

    • 150+

      ￥1.2656

    • 500+

      ￥1.0655

    • 2500+

      ￥0.9764

    • 5000+

      ￥0.923
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
    型号：HT06N780S 编号：C49066903
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。ID = 4A。RDS(on)@VGS = 10V < 78mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 100mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥1.9348

    • 50+

      ￥1.5326

    • 150+

      ￥1.3602

    • 500+

      ￥1.1452

    • 2500+

      ￥1.0494

    • 5000+

      ￥0.9919
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:16A
    型号：HT02P130S 编号：C49066907
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20V。 ID = -16A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 16mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：HT06N420S 编号：C49066902
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 60V。ID = 5A。RDS(on)@VGS = 10V < 42mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 50mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904-1AM(RANGE:100-300) 编号：C364310
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.042275 ￥0.0445

    • 1000+

      ￥0.03249 ￥0.0342

    • 3000+

      ￥0.02736 ￥0.0288

    • 9000+

      ￥0.02413 ￥0.0254

    • 51000+

      ￥0.02128 ￥0.0224

    • 99000+

      ￥0.01976 ￥0.0208
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:200-450，丝印:1B NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B 编号：C20069134
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:200-450，丝印:1B

    • 50+

      ￥0.0691

    • 500+

      ￥0.0541

    • 3000+

      ￥0.0427

    • 6000+

      ￥0.0377

    • 24000+

      ￥0.0333

    • 51000+

      ￥0.031
  • 有货
    • 立即购买
    HL3134K
    型号：HL3134K 编号：C52204683
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1667

    • 200+

      ￥0.1308

    • 600+

      ￥0.1108

    • 3000+

      ￥0.0988

    • 9000+

      ￥0.0884
  • 有货
    • 立即购买
    HL3139K
    型号：HL3139K 编号：C52204687
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1667

    • 200+

      ￥0.1308

    • 600+

      ￥0.1108

    • 3000+

      ￥0.0988

    • 9000+

      ￥0.0884
  • 有货
    • 立即购买
    HL3134KT
    型号：HL3134KT 编号：C52204685
    封装：SOT-523
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1893

    • 200+

      ￥0.1485

    • 600+

      ￥0.1258

    • 3000+

      ￥0.1122

    • 9000+

      ￥0.1004
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET,电流:-3.6A,耐压:-12V
    型号：HL2305 编号：C28646261
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -12V。 ID = -3.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 53mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 10+

      ￥0.2332

    • 100+

      ￥0.1818

    • 300+

      ￥0.1561

    • 3000+

      ￥0.1368

    • 6000+

      ￥0.1213

    • 9000+

      ￥0.1136
  • 有货
    • 立即购买
    HL2319
    型号：HL2319 编号：C51953131
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 10+

      ￥0.2867

    • 100+

      ￥0.2283

    • 300+

      ￥0.1992

    • 3000+

      ￥0.1773

    • 6000+

      ￥0.1598

    • 9000+

      ￥0.1511
  • 有货
    • 立即购买
    HD504N060SG
    型号：HD504N060SG 编号：C50132382
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.4547

    • 50+

      ￥1.1523

    • 150+

      ￥1.0227

    • 500+

      ￥0.861

    • 2500+

      ￥0.789

    • 5000+

      ￥0.7458
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
    型号：HT10N1H2S 编号：C49066906
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥2.1094

    • 50+

      ￥1.6709

    • 150+

      ￥1.483

    • 500+

      ￥1.2485

    • 2500+

      ￥1.1441

    • 5000+

      ￥1.0814
  • 有货
    • 立即购买
    HD503N020SG
    型号：HD503N020SG 编号：C50132381
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥2.43

    • 50+

      ￥1.93

    • 150+

      ￥1.71

    • 500+

      ￥1.44

    • 2500+

      ￥1.32

    • 5000+

      ￥1.25
  • 有货
    • 立即购买
    双N通道MOSFET
    型号：HD503N220D 编号：C51883847
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 35A。 RDS(on)@VGS = 10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路

    • 1+

      ￥2.62

    • 10+

      ￥2.08

    • 30+

      ￥1.85

    • 100+

      ￥1.55

    • 500+

      ￥1.43

    • 1000+

      ￥1.35
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：HT10P3H1S 编号：C49066910
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：DC/DC转换器。 电源开关

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.09

    • 30+

      ￥1.86

    • 100+

      ￥1.57

    • 500+

      ￥1.44

    • 1000+

      ￥1.36
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET,电流:3A,耐压:20V
    型号：HL2302 编号：C28646268
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 20V。 I0 = 3A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 45mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1396

    • 200+

      ￥0.1088

    • 600+

      ￥0.0916

    • 3000+

      ￥0.0814

    • 9000+

      ￥0.0724

    • 21000+

      ￥0.0676
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：HL2304 编号：C7420346
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 20+

      ￥0.1872

    • 200+

      ￥0.1524

    • 600+

      ￥0.1331

    • 3000+

      ￥0.1099

    • 9000+

      ￥0.0998

    • 21000+

      ￥0.0944
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:800mA 电压:120V
    型号：2SA1201 编号：C41375121
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与2SC2881互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C

    • 10+

      ￥0.4383

    • 100+

      ￥0.3423

    • 300+

      ￥0.2943

    • 1000+

      ￥0.2583

    • 5000+

      ￥0.2295

    • 10000+

      ￥0.215
  • 有货
    • 立即购买
    40V 8.5A
    型号：HV04P320S 编号：C49424010
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40 V。 ID = -8.5 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 32 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 40 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：同步整流。 DC/DC转换器

    • 5+

      ￥0.6901

    • 50+

      ￥0.5497

    • 150+

      ￥0.4795

    • 1000+

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      ￥0.3636
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    HD303N070S
    型号：HD303N070S 编号：C49423983
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
    型号：HB03N060S 编号：C48971737
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.7962

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      ￥0.6342

    • 150+

      ￥0.5532

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    • 5000+

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    HD503N050S
    型号：HD503N050S 编号：C50132380
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.0183

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      ￥0.8067

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.6027

    • 2500+

      ￥0.5523

    • 5000+

      ￥0.5221
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    HB03N040S
    型号：HB03N040S 编号：C49423995
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥1.0802

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      ￥0.8556

    • 150+

      ￥0.7594

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    N沟道MOSFET
    型号：HD303N030S 编号：C50132378
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.2mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。 电源管理

    • 5+

      ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.9603

    • 150+

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    • 500+

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