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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
  • 10+

    ¥0.048925 ¥0.0515
  • 100+

    ¥0.03971 ¥0.0418
  • 300+

    ¥0.03458 ¥0.0364
  • 3000+

    ¥0.029355 ¥0.0309
  • 6000+

    ¥0.026695 ¥0.0281
  • 9000+

    ¥0.02527 ¥0.0266
  • 有货
  • 特性:漏源电压(VDS):40V。 漏极电流(ID):50A。 栅源电压为10V时的导通电阻(RDS(on)@VGS = 10V):< 14mΩ。 栅源电压为4.5V时的导通电阻(RDS(on)@VGS = 4.5V):< 18mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥1.4547
    • 50+

      ¥1.1523
    • 150+

      ¥1.0227
    • 500+

      ¥0.861
    • 2500+

      ¥0.789
    • 5000+

      ¥0.7458
  • 有货
  • hFE:200-400,丝印:M6
    • 50+

      ¥0.063
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    • 3000+

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      ¥0.0352
    • 51000+

      ¥0.0334
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 3.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 39mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 59mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
    • 20+

      ¥0.1897
    • 200+

      ¥0.1477
    • 600+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0984
    • 21000+

      ¥0.0919
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 10+

      ¥0.2978
    • 100+

      ¥0.2372
    • 300+

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      ¥0.166
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      ¥0.1569
  • 有货
  • 特性:与BCP51、BCP52、BCP53互补。 功率耗散为1.33W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 5+

      ¥0.3221
    • 50+

      ¥0.2802
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.2437
    • 2500+

      ¥0.2311
    • 5000+

      ¥0.2248
  • 有货
  • 特性:与2SB1260互补。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 10+

      ¥0.3994
    • 100+

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    • 300+

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    • 5000+

      ¥0.2154
    • 10000+

      ¥0.2032
  • 有货
  • 特性:NPN低饱和电压。 功率耗散为750mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.4199
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  • 有货
  • 特性:适用于高压应用中的开关和放大。 功率耗散为500mW。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.4215
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    • 300+

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    • 1000+

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    • 5000+

      ¥0.2367
    • 10000+

      ¥0.224
  • 有货
  • 特性:与BCP54、BCP55、BCP56互补。 功率耗散为1.5W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.4906
    • 100+

      ¥0.3946
    • 300+

      ¥0.3466
    • 2500+

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    • 5000+

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    • 10000+

      ¥0.2673
  • 有货
  • 特性:VDS = -40 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 14 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 20 mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.0147
    • 50+

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  • 有货
  • 特性:VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.2583
    • 50+

      ¥1.0202
    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.7341
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
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      ¥2.2863
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  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用:电池保护。负载开关
    • 5+

      ¥2.2863
    • 50+

      ¥1.8111
    • 150+

      ¥1.6074
    • 500+

      ¥1.3532
    • 2500+

      ¥1.2401
    • 5000+

      ¥1.1722
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.044935 ¥0.0473
    • 1000+

      ¥0.035245 ¥0.0371
    • 3000+

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      ¥0.022895 ¥0.0241
    • 99000+

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  • 有货
  • hFE:220-475,丝印:3B
    • 50+

      ¥0.0696
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    • 6000+

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    • 24000+

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    • 51000+

      ¥0.0335
  • 有货
  • hFE:250-630,丝印:5C
    • 50+

      ¥0.1218
    • 500+

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    • 3000+

      ¥0.0784
    • 6000+

      ¥0.0698
    • 24000+

      ¥0.0623
    • 51000+

      ¥0.0582
  • 有货
  • 特性:VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.1381
    • 200+

      ¥0.1069
    • 600+

      ¥0.0895
    • 3000+

      ¥0.0791
    • 9000+

      ¥0.0701
    • 21000+

      ¥0.0653
  • 有货
  • 特性:与MMBTA94互补。 功率耗散为350mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.2786
    • 100+

      ¥0.2238
    • 300+

      ¥0.1965
    • 3000+

      ¥0.1631
    • 6000+

      ¥0.1467
    • 9000+

      ¥0.1384
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.3002
    • 100+

      ¥0.2386
    • 300+

      ¥0.2079
    • 1000+

      ¥0.1724
    • 5000+

      ¥0.1539
    • 10000+

      ¥0.1447
  • 有货
  • 特性:与2SA1797互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.3685
    • 100+

      ¥0.2897
    • 300+

      ¥0.2503
    • 1000+

      ¥0.2207
    • 5000+

      ¥0.1971
    • 10000+

      ¥0.1852
  • 有货
  • 特性:VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.9348
    • 50+

      ¥1.5326
    • 150+

      ¥1.3602
    • 500+

      ¥1.1452
    • 2500+

      ¥1.0494
    • 5000+

      ¥0.9919
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.9348
    • 50+

      ¥1.5326
    • 150+

      ¥1.3602
    • 500+

      ¥1.1452
    • 2500+

      ¥1.0494
    • 5000+

      ¥0.9919
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 I0 = -10A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 20mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥2.0833
    • 50+

      ¥1.6448
    • 150+

      ¥1.4569
    • 500+

      ¥1.2224
    • 2500+

      ¥1.0702
    • 5000+

      ¥1.0076
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7007
    • 50+

      ¥0.5581
    • 150+

      ¥0.4868
    • 500+

      ¥0.4334
    • 2500+

      ¥0.3906
    • 5000+

      ¥0.3692
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8174
    • 50+

      ¥0.6511
    • 150+

      ¥0.568
    • 500+

      ¥0.5056
    • 2500+

      ¥0.4557
    • 5000+

      ¥0.4307
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计,超低Rdson。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥2.2863
    • 50+

      ¥1.8111
    • 150+

      ¥1.6074
    • 500+

      ¥1.3532
    • 2500+

      ¥1.2401
    • 5000+

      ¥1.1722
  • 有货
  • 特性:VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用:电信/服务器。DC/DC初级侧开关
    • 5+

      ¥2.3639
    • 50+

      ¥1.8725
    • 150+

      ¥1.6619
    • 500+

      ¥1.3992
    • 2500+

      ¥1.2822
    • 5000+

      ¥1.212
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低Rdson的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关
    • 1+

      ¥2.75
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.93
    • 100+

      ¥1.63
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 特性:功率耗散:200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管(NPN+NPN)。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 20+

      ¥0.1598
    • 200+

      ¥0.125
    • 600+

      ¥0.1058
    • 3000+

      ¥0.0942
    • 9000+

      ¥0.0842
    • 21000+

      ¥0.0787
  • 有货
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