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首页 > 热门关键词 > 大功率晶体管
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描述
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操作
NPN 电流:350mA 电压:20V
型号：MMBT2222A 编号：C916372
封装：SOT-23
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
数据手册

  • 50+

    ￥0.057885 ￥0.0681

  • 500+

    ￥0.04607 ￥0.0542

  • 3000+

    ￥0.03655 ￥0.043

  • 6000+

    ￥0.032555 ￥0.0383

  • 24000+

    ￥0.029155 ￥0.0343

  • 45000+

    ￥0.027285 ￥0.0321
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002K 编号：C3008053
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
    数据手册

    • 50+

      ￥0.05976 ￥0.0664

    • 500+

      ￥0.04617 ￥0.0513

    • 3000+

      ￥0.03969 ￥0.0441

    • 6000+

      ￥0.03519 ￥0.0391

    • 24000+

      ￥0.03123 ￥0.0347

    • 51000+

      ￥0.02916 ￥0.0324
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846B 编号：C181138
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC856互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.074765 ￥0.0787

    • 500+

      ￥0.059945 ￥0.0631

    • 3000+

      ￥0.04807 ￥0.0506

    • 6000+

      ￥0.04313 ￥0.0454

    • 24000+

      ￥0.038855 ￥0.0409

    • 51000+

      ￥0.03648 ￥0.0384
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
    型号：SI2302-HXY 编号：C4748714
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0871

    • 1000+

      ￥0.071

    • 3000+

      ￥0.0552

    • 9000+

      ￥0.0498

    • 51000+

      ￥0.0452

    • 99000+

      ￥0.0427
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：SI2301-A1SHB 编号：C28642376
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。

    • 50+

      ￥0.088445 ￥0.0931

    • 500+

      ￥0.068115 ￥0.0717

    • 3000+

      ￥0.05909 ￥0.0622

    • 6000+

      ￥0.052345 ￥0.0551

    • 24000+

      ￥0.046455 ￥0.0489

    • 51000+

      ￥0.04332 ￥0.0456
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C609806
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型：BC807（PNP）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.094

    • 500+

      ￥0.0746

    • 3000+

      ￥0.0584

    • 6000+

      ￥0.0519

    • 24000+

      ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.0433
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
    型号：SI2302A 编号：C347483
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V)，ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V)，ID = 3.1A。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1181

    • 500+

      ￥0.0926

    • 3000+

      ￥0.0752

    • 6000+

      ￥0.0667

    • 24000+

      ￥0.0593

    • 51000+

      ￥0.0553
  • 有货
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    NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：MMST5551 编号：C41410769
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。功率耗散为200mW。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 20+

      ￥0.1334

    • 200+

      ￥0.1051

    • 600+

      ￥0.0893

    • 3000+

      ￥0.0799

    • 9000+

      ￥0.0717

    • 21000+

      ￥0.0672
  • 有货
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    NPN 电流:0.1A 电压:45V
    型号：BC847BS 编号：C41375126
    封装：SOT-363
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与BC856BS至BC858BS互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 20+

      ￥0.1536

    • 200+

      ￥0.1189

    • 600+

      ￥0.0996

    • 2000+

      ￥0.088

    • 10000+

      ￥0.078

    • 20000+

      ￥0.0726
  • 有货
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    PNP 电流:0.5A 电压:60V
    型号：MMBTA55 编号：C41375115
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散：225mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 20+

      ￥0.1639

    • 200+

      ￥0.1268

    • 600+

      ￥0.1062

    • 3000+

      ￥0.0939

    • 9000+

      ￥0.0832

    • 21000+

      ￥0.0774
  • 有货
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    NPN 电流:2A 电压:60V
    型号：2SD2391 编号：C41375127
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：低饱和电压。 功率耗散：500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃

    • 10+

      ￥0.2978

    • 100+

      ￥0.2372

    • 300+

      ￥0.2069

    • 1000+

      ￥0.1842

    • 5000+

      ￥0.166

    • 10000+

      ￥0.1569
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002K-T1-GE3 编号：C81445
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3121

    • 100+

      ￥0.2637

    • 300+

      ￥0.2388

    • 3000+

      ￥0.1811

    • 6000+

      ￥0.1739

    • 9000+

      ￥0.169
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C306862
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3754

    • 200+

      ￥0.3101

    • 600+

      ￥0.2774

    • 3000+

      ￥0.1852

    • 9000+

      ￥0.1656

    • 21000+

      ￥0.1558
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCP56-16 编号：C41375109
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与BCP51、BCP52、BCP53互补。 功率耗散为1.33W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.4405

    • 100+

      ￥0.3509

    • 300+

      ￥0.306

    • 2500+

      ￥0.2724

    • 5000+

      ￥0.2456

    • 10000+

      ￥0.2321
  • 有货
    • 立即购买
    HL8205TS
    型号：HL8205TS 编号：C53114918
    封装：TSSOP-8
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 10+

      ￥0.4718

    • 100+

      ￥0.3758

    • 300+

      ￥0.3278

    • 3000+

      ￥0.2918

    • 6000+

      ￥0.263

    • 9000+

      ￥0.2486
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4435 编号：C2944310
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：-30V。 漏极电流（ID）：-12A。 导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = 10V）。应用：电池保护。 其他开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6216

    • 50+

      ￥0.4943

    • 150+

      ￥0.4306

    • 500+

      ￥0.3828

    • 3000+

      ￥0.289

    • 6000+

      ￥0.2699
  • 有货
    • 立即购买
    800mV@10nA
    型号：MMBFJ177LT1G 编号：C106763
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.7046

    • 10+

      ￥0.5638

    • 30+

      ￥0.4914

    • 100+

      ￥0.4317

    • 500+

      ￥0.4109

    • 1000+

      ￥0.3968
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：AP30P30Q 编号：C471913
    封装：PDFN3333-8
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7497

    • 50+

      ￥0.6615

    • 150+

      ￥0.6184

    • 500+

      ￥0.58

    • 2500+

      ￥0.5606

    • 5000+

      ￥0.5543
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：HD304N070SG 编号：C50132379
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 40V。 ID = 48A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6.5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：DC-DC转换器。 便携式设备应用

    • 5+

      ￥1.0183

    • 50+

      ￥0.8067

    • 150+

      ￥0.7159

    • 500+

      ￥0.6027

    • 2500+

      ￥0.5523

    • 5000+

      ￥0.5221
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
    型号：IRFZ44NPBF 编号：C2586
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8003

    • 50+

      ￥1.3011

    • 150+

      ￥1.1168

    • 500+

      ￥0.9523

    • 2500+

      ￥0.9072

    • 5000+

      ￥0.88
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFB3607PBF 编号：C2647
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.33

    • 10+

      ￥1.81

    • 50+

      ￥1.51

    • 100+

      ￥1.28

    • 500+

      ￥1.22

    • 1000+

      ￥1.18
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250NPBF 编号：C2580
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.54

    • 10+

      ￥4.83

    • 25+

      ￥3.52

    • 100+

      ￥3.11

    • 400+

      ￥2.98

    • 800+

      ￥2.9
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:120-200 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 J3Y 编号：C42441446
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    hFE:120-200

    • 100+

      ￥0.0418

    • 1000+

      ￥0.0329

    • 3000+

      ￥0.028

    • 9000+

      ￥0.025

    • 51000+

      ￥0.0224

    • 99000+

      ￥0.021
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C727127
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
    数据手册

    • 100+

      ￥0.0437

    • 1000+

      ￥0.0348

    • 3000+

      ￥0.0268

    • 9000+

      ￥0.0238

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      ￥0.0212

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    电流:500mA 电压:150V
    型号：MMBT5401 编号：C916371
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用，是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
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    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 编号：C916393
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904 编号：C181119
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与MMBT3906互补的表面贴装器件
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    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C5184427
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力，放大倍数介于200-350之间，适用于高速操作，频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
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    NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C908252
    封装：SOT-23
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：与S8550互补
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    NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：MMBT5551-E 编号：C41371418
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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