电力晶体管_厂家_价格_品牌_库存

特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.1989
50+
￥0.1619
150+
￥0.1414
500+
￥0.1291
3000+
￥0.1184
6000+
￥0.1126

有货

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型号：FMMT493 编号：C28646275

封装：SOT-23

特性：功率耗散：250mW。 NPN低等效导通电阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260°C

10+
￥0.2824
100+
￥0.2248
300+
￥0.196
3000+
￥0.1684
6000+
￥0.1511
9000+
￥0.1425

有货

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型号：2SC2383 编号：C41375137

封装：SOT-89

特性：低饱和电压。功率耗散为500mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

10+
￥0.3319
100+
￥0.2649
300+
￥0.2314
1000+
￥0.1992
5000+
￥0.1791
10000+
￥0.169

有货

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型号：BSS169H6327 编号：C83053

封装：SOT-23

N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中，“XTSA1”那是原厂的内部型号。

数据手册

5+
￥0.665
50+
￥0.5438
150+
￥0.4814
500+
￥0.4301
3000+
￥0.4122
6000+
￥0.4

有货

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型号：15N10 编号：C359106

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。

数据手册

5+
￥0.9776
50+
￥0.7362
150+
￥0.6184
500+
￥0.5133
2500+
￥0.4862
5000+
￥0.4689

有货

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型号：HB10N200S 编号：C48971732

封装：TO-252

特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

5+
￥1.5426
50+
￥1.2507
150+
￥1.1256
500+
￥0.9695
2500+
￥0.8999
5000+
￥0.8582

有货

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型号：IRFR9024NTRPBF 编号：C2585

封装：DPAK(TO-252AA)

P沟道,55V ,11A,175mΩ

数据手册

5+
￥1.6103
50+
￥1.2584
150+
￥1.0866
500+
￥0.9334
2000+
￥0.8253
4000+
￥0.8

有货

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型号：IRF9540NPBF 编号：C2575

封装：TO-220

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.2379
50+
￥1.6511
150+
￥1.4099
500+
￥1.1947
2500+
￥1.1355
5000+
￥1.1

有货

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型号：IRFR5305TRPBF 编号：C2624

封装：DPAK(TO-252AA)

P沟道,-55V,-31A,65mΩ@-10V

数据手册

1+
￥2.31
10+
￥1.8
30+
￥1.55
100+
￥1.33
500+
￥1.24
1000+
￥1.2

有货

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型号：BSC0702LS 编号：C501503

封装：TDSON-8(5x6)

特性：适用于高频开关。针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤。适用于标准等级应用

数据手册

1+
￥4.48
10+
￥3.73
30+
￥3.2
100+
￥2.76
500+
￥2.73
1000+
￥2.65

有货

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型号：BSC030N08NS5 编号：C501507

封装：TDSON-8(5x6)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥6
10+
￥5.11
30+
￥4.48
100+
￥3.97
500+
￥3.8
1000+
￥3.7

有货

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型号：IPT015N10N5 编号：C108964

封装：HSOF-8

N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.63
10+
￥7.63
30+
￥5.93
100+
￥5.23
500+
￥4.95
1000+
￥4.8

有货

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型号：S9018 编号：C41375130

封装：SOT-23

特性：AM/FM 放大器。功率耗散：200mW。高稳定性和高可靠性。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260℃

50+
￥0.0842
500+
￥0.0659
3000+
￥0.0557
6000+
￥0.0496
24000+
￥0.0443
51000+
￥0.0415

有货

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型号：MMBT3906LT1G 编号：C53444

封装：SOT-23

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.114
500+
￥0.0903
3000+
￥0.0683
6000+
￥0.0603
24000+
￥0.0572
51000+
￥0.055

有货

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型号：MMBT4401LT1G 编号：C31776

封装：SOT-23

特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用

数据手册

50+
￥0.1222
500+
￥0.0964
3000+
￥0.0744
6000+
￥0.0658
24000+
￥0.0623
51000+
￥0.06

有货

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型号：HL2301A 编号：C7420344

封装：SOT-23

特性：VDSS = -20V。 I₀ = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1511
200+
￥0.1354
600+
￥0.1267
3000+
￥0.1168
9000+
￥0.1123
21000+
￥0.1098

有货

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型号：2SK3018 编号：C194460

封装：SOT-323

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,100mA

数据手册

20+
￥0.1575
200+
￥0.1246
600+
￥0.11
3000+
￥0.0859
9000+
￥0.0815
21000+
￥0.0785

有货

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型号：MMBTA56 编号：C20069147

封装：SOT-23

hFE:100-400，丝印:2GM

20+
￥0.1727
200+
￥0.136
600+
￥0.1156
3000+
￥0.0957
9000+
￥0.0851
21000+
￥0.0793

有货

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型号：HL3415A 编号：C28646270

封装：SOT-23

特性：VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.2447
100+
￥0.1939
300+
￥0.1685
3000+
￥0.1494
6000+
￥0.1342
9000+
￥0.1266

有货

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型号：FDV301N 编号：C15310

封装：SOT-23

此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

10+
￥0.2667
100+
￥0.2127
300+
￥0.1887
1500+
￥0.1421
4500+
￥0.1349
10500+
￥0.13

有货

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型号：FDV301N 编号：C20069151

封装：SOT-23

特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

10+
￥0.267
100+
￥0.2139
300+
￥0.1874
3000+
￥0.155
6000+
￥0.1391
9000+
￥0.1311

有货

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型号：MDD3415 编号：C840839

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

特性：优秀的导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

10+
￥0.273792 ￥0.2852
100+
￥0.229536 ￥0.2391
300+
￥0.206784 ￥0.2154
3000+
￥0.14784 ￥0.154
6000+
￥0.141312 ￥0.1472
9000+
￥0.1368 ￥0.1425

有货

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型号：B772 编号：C41375134

封装：SOT-89

特性：低饱和电压。功率耗散：500mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

10+
￥0.316
100+
￥0.2544
300+
￥0.2237
1000+
￥0.1881
5000+
￥0.1697
10000+
￥0.1604

有货

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型号：BCX53-16 编号：C41375135

封装：SOT-89

特性：NPN 互补于 BCX54、BCX55、BCX56。功率耗散：500mW。低电压和高电流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值为 260°C

10+
￥0.343
100+
￥0.2732
300+
￥0.2383
1000+
￥0.1954
5000+
￥0.1745
10000+
￥0.164

有货

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型号：SI2309CDS-T1-GE3 编号：C10493

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.8389
50+
￥0.6853
150+
￥0.6063
500+
￥0.5412
3000+
￥0.5185
6000+
￥0.5031

有货

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型号：MJD44H11T4G 编号：C38780

封装：TO-252(DPAK)

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

数据手册

1+
￥2.2591
10+
￥1.7584
30+
￥1.514
100+
￥1.2959
500+
￥1.236
1000+
￥1.2

有货

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型号：IRF4905STRLPBF 编号：C2620

封装：D2PAK

P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V

数据手册

1+
￥6.68
10+
￥5.95
30+
￥5.26
100+
￥4.74
500+
￥3.71
800+
￥3.6

有货

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型号：IRFP4468PBF 编号：C2919

封装：TO-247AC

N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.2
10+
￥8.09
25+
￥7.05
100+
￥6.28
500+
￥5.96
1000+
￥5.8

有货

立即购买

型号：IRFP4668PBF 编号：C2921

封装：TO-247AC