RFI滤波器_厂家_价格_品牌_库存

P沟道, -60V,-12A,140mΩ@-7.2A

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1+
￥15.4979 ￥21.23
10+
￥13.5196 ￥18.52
30+
￥12.2859 ￥16.83
100+
￥10.1105 ￥13.85
500+
￥9.5338 ￥13.06
1000+
￥9.2856 ￥12.72

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型号：IRFI4321PBF 编号：C500533

封装：TO-220F

N沟道 150V 34A

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1+
￥16.07
10+
￥13.51
50+
￥11.91

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型号：IRFIZ24GPBF 编号：C3280468

封装：TO-220-3

1+
￥7.72
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￥7.55
30+
￥7.43

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型号：IRFI640GPBF 编号：C466979

封装：TO-220F

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管壳和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻

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1+
￥10.91
10+
￥9.26
50+
￥8.23

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型号：IRFI4110GPBF 编号：C537915

封装：TO-220F

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。全面表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥19.0752 ￥19.87
10+
￥16.7184 ￥19.44
50+
￥14.554 ￥19.15
100+
￥14.3336 ￥18.86

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型号：IRFI820GPBF-VB 编号：C22389794

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥1.75
10+
￥1.71
30+
￥1.69
100+
￥1.66

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型号：IRFIBC40GPBF-VB 编号：C22389736

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.13
10+
￥3.06
30+
￥3.01
100+
￥2.96

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型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥17.32
10+
￥14.7
30+
￥13.06

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型号：IRFIZ44NPBF 编号：C537927

封装：TO-220

第五代HEXFET采用先进的加工技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220 Full Pak消除了商业-工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片和外部散热片之间具有低热阻。这种隔离效果相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。Fullpak使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。

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1+
￥5.99
10+
￥5.84
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￥5.74

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型号：IRFI3205PBF 编号：C150931

封装：TO-220F

N沟道,55V,64A,0.008Ω@10V

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1+
￥21.23
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￥18.02
50+
￥16.12

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型号：IRFIZ48NPBF 编号：C511315

封装：TO-220

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥17.61
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￥17.29
30+
￥17.07

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型号：KH-RFID-20-BQ 编号：C454136

封装：-

13.56MHz RFID射频卡芯片，采用铝蚀刻天线，符合ISO 14443A标准，具有1152位用户存储区和56位唯一标识符。

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1+
￥0.9517
10+
￥0.9301
30+
￥0.9157
100+
￥0.9013

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型号：KH-RFID-1352212 编号：C2925415

封装：-

UHF超高频抗金属标签，适用于各种金属表面，具有良好的抗干扰性能。

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1+
￥9.39
10+
￥7.88
50+
￥6.33
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￥5.39
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￥4.98
1000+
￥4.79

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型号：KH-RFID-PCB5213 编号：C2925412

封装：-

超高频抗金属标签，适用于金属表面，具有多种颜色可选，支持EPC Class1 Gen2和ISO18000-6C协议，具备高读写距离和长数据保存时间。

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1+
￥10.67
10+
￥9.07
50+
￥7.2
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￥6.17
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￥5.71
1000+
￥5.51

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型号：IRFIBF20GPBF 编号：C6640033

封装：TO-220-3

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热片之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。

1+
￥17.62
10+
￥17.24
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￥14.41
100+
￥14.15

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型号：KH-RFID-852011 编号：C2925414

封装：-

本款产品可广泛应用于室内和室外的资产管理及巡检管理，安装在金属表面和非金属表面均可取得良好的射频性能，产品性能稳定可靠，是同类相近产品中的佼佼者。

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1+
￥19.52
10+
￥16.6
50+
￥13.17
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￥11.29
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￥10.45
1000+
￥10.08

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型号：IRFI9540GPBF 编号：C5772305

封装：TO-220F

第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。

单价：
￥24.408 / 个

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型号：IRFI1310NPBF-VB 编号：C18795085

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

10+
￥2.781
100+
￥2.678
200+
￥2.472
1000+
￥2.369
2000+
￥2.266

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型号：IRFI9520GPBF 编号：C506486

封装：TO-220F-3

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50+
￥4.38228
100+
￥4.3428
150+
￥4.26384

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型号：IRFI9530GPBF 编号：C3280627

封装：TO-220-3