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封装：TO-220F-5(Forming)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

数据手册

1+
￥13.79
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￥12.11
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型号：IRFI9630GPBF 编号：C7211050

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于在标准TO-220产品中使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。

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型号：KH-RFID-8046-BQ 编号：C504000

封装：-

品牌：kinghelm(金航标)

KH-RFID-8046-BQ是一款符合ISO/IEC 18000-6C和EPC Class1 Gen2标准的RFID射频卡芯片，具有128位EPC存储区和96位TID存储区，适用于860～960MHz的载波频率。

数据手册

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￥1.145
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￥0.903
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￥0.7994
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￥0.4986

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型号：IRFI9540GPBF-VB 编号：C7463588

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。TO220F；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥1.853 ￥2.18
10+
￥1.8105 ￥2.13
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.751 ￥2.06

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型号：IRFIZ24GPBF-VB 编号：C5444631

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥3.1365 ￥3.69
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￥2.5415 ￥2.99
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￥2.108 ￥2.48
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￥1.8105 ￥2.13
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￥1.6405 ￥1.93
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￥1.547 ￥1.82

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型号：IRFI740GPBF-VB 编号：C7568775

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面工艺制造，适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；

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￥3.6125 ￥4.25
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￥3.536 ￥4.16
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￥3.1025 ￥3.65
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￥3.0515 ￥3.59

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型号：IRFI530NPBF-VB 编号：C20626316

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种低功率功率电子应用。TO220F；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.002 ￥3.16
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￥2.641 ￥2.78
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￥2.28 ￥2.4
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFI840GPBF-VB 编号：C725080

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥5.389 ￥6.34
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￥4.437 ￥5.22
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￥3.7485 ￥4.41
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￥3.162 ￥3.72
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￥2.7795 ￥3.27

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型号：IRFI4227PBF-VB 编号：C20626287

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥8.512 ￥8.96
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￥8.303 ￥8.74
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￥8.17 ￥8.6
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￥8.037 ￥8.46

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型号：IRFIB41N15DPBF-VB 编号：C4355121

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

数据手册

1+
￥12.767 ￥15.02
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￥10.8885 ￥12.81
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￥9.078 ￥10.68
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￥7.8795 ￥9.27
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￥7.327 ￥8.62
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￥7.0975 ￥8.35

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型号：KH-RFID-7023-BQ 编号：C503999

封装：-

品牌：kinghelm(金航标)

KH-RFID-7023-BQ 是一种符合ISO/IEC 18000-6C和EPC Class1 Gen2标准的RFID射频卡芯片，适用于860～960MHz频率范围，具有128Bits的EPC存储区和96Bits的TID存储区，支持无源工作模式，适用于各种标签应用。

数据手册

1+
￥1.1579
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￥0.9159
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￥0.8123
100+
￥0.6829
500+
￥0.6253
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￥0.5115

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型号：IRFI9520GPBF-VB 编号：C20626303

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。TO220F；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥1.853 ￥2.18
10+
￥1.8105 ￥2.13
50+
￥1.7765 ￥2.09
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￥1.751 ￥2.06

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型号：IRFI9Z34N-VB 编号：C22389171

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；P—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.071 ￥2.18
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.9855 ￥2.09
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFI9Z14GPBF-VB 编号：C20626304

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，应用于各种电子设备和系统中。TO220F；P—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.071 ￥2.18
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.9855 ￥2.09
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFI510GPBF-VB 编号：C19711255

封装：TO-220

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种低功率功率电子应用。TO220F；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.071 ￥2.18
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.9855 ￥2.09
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFI610GPBF-VB 编号：C20755670

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.312 ￥2.72
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￥2.2525 ￥2.65
50+
￥2.2185 ￥2.61
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￥2.1845 ￥2.57

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型号：IRFIZ48VPBF-VB 编号：C22389333

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,60V；70A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.312 ￥2.72
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￥2.2525 ￥2.65
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￥2.2185 ￥2.61
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￥2.1845 ￥2.57

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型号：IRFIZ48GPBF-VB 编号：C20417669

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子系统、工业自动化设备等领域。TO220F；N—Channel沟道,60V；70A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.584 ￥2.72
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￥2.5175 ￥2.65
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￥2.4795 ￥2.61
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：IRFI3205PBF-VB 编号：C20755725

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,60V；70A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.584 ￥2.72
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￥2.5175 ￥2.65
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￥2.4795 ￥2.61
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：IRFI9610GPBF-VB 编号：C53063655

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

1+
￥2.774 ￥2.92
10+
￥2.7075 ￥2.85
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￥2.6695 ￥2.81
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￥2.6315 ￥2.77

有货

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型号：IRFI640GPBF-VB 编号：C7494493

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管产品，采用Trench技术，适用于需要高电压、高功率和高效率的应用领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；18A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.8475 ￥3.35
10+
￥2.788 ￥3.28
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￥2.4905 ￥2.93
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￥2.448 ￥2.88

有货

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型号：IRFIZ24NPBF-VB 编号：C558158

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥3.6765 ￥3.87
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￥3.0115 ￥3.17
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￥2.4225 ￥2.55
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￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

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型号：IRFI4510GPBF-VB 编号：C19626683

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应管，采用Trench工艺，适用于各种电子设备的功率控制和调节。TO220F；N—Channel沟道,100V；90A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.825 ￥4.5
10+
￥3.7315 ￥4.39
50+
￥3.672 ￥4.32
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￥3.6125 ￥4.25

有货

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型号：IRFI1010NPBF-VB 编号：C7568888

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子系统、工业自动化设备等领域。TO220F；N—Channel沟道,60V；70A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥5.187 ￥5.46
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￥4.275 ￥4.5
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￥3.2965 ￥3.47
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￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
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￥2.4415 ￥2.57

有货

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型号：IRFI4410ZPBF-VB 编号：C22389315

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220F；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

1+
￥5.966 ￥6.28
10+
￥5.8235 ￥6.13
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￥5.7285 ￥6.03
100+
￥5.6335 ￥5.93

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型号：IRFI540GPBF 编号：C3280595

封装：TO-220F

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK封装在商业-工业应用中无需额外的绝缘硬件。所用的模塑料在散热片和外部散热片之间提供了高隔离能力和低热阻，这种隔离效果相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。

1+
￥8.36
10+
￥8.17
30+
￥8.04

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型号：KH-RFID-PCB8020 编号：C2925413

封装：-

品牌：kinghelm(金航标)

超高频抗金属标签，适用于金属表面，支持多种颜色选择，具有高读写距离和长数据保存时间

数据手册

1+
￥12.68
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￥10.87
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￥8.75
100+
￥7.59
500+
￥7.06
1000+
￥6.84

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型号：IRFI9640GPBF 编号：C3280581

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、器件设计坚固、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业和工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片与外部散热器之间具有低热阻

1+
￥10.66
10+
￥10.42
50+
￥10.25

有货

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型号：IRFIZ48GPBF 编号：C6883775

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管芯和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO-220产品中使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺钉固定在散热器上。

1+
￥13.26
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￥12.97
50+
￥12.78

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型号：IRFIBE20GPBF 编号：C2971988

封装：TO-220-3

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在管芯和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。

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