安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMD-4P

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

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￥2.0307
50+
￥1.6232
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￥1.0754

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型号：1N5347BRLG 编号：C114207

封装：DO-14

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥2.0456
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￥1.6172
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型号：MC14069UBDTR2G 编号：C903929

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

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￥2.0566
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￥1.5982
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￥1.4018
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￥1.0476
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￥0.9821

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型号：NJT4030PT1G 编号：C233756

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极功率晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

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￥2.1097
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￥1.0608
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型号：MC33178DMR2G 编号：C179575

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

采用双极技术的高质量单片放大器，具有创新的高性能概念，适用于优质音频和数据信号处理。该放大器采用高频 PNP 输入晶体管，具有低输入失调电压、噪声和失真。此外，该放大器在每个放大器仅消耗 420μA 漏极电流的情况下，提供高输出电流驱动能力。采用的 NPN 输出级无死区交越失真、输出电压摆幅大、相位和增益裕度出色、开环高频输出阻抗低、源极和吸收交流频率性能对称。提供双放大器和四放大器版本，有多种封装选项。

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￥2.1161
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￥1.6272
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￥1.4177
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￥1.1563
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￥1.0399
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型号：NCV33172DR2G 编号：C513029

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片运算放大器采用优质双极工艺和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为180 A，无需使用JFET器件技术即可提供1.8 MHz的增益带宽积和2.1 V/s的压摆率。虽然该系列可以采用双电源供电，但由于共模输入电压包含地电位(VEE)，因此尤其适合单电源供电。这些器件采用达林顿输入级，具有高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级具有无死区交越失真和大输出电压摆幅的特点可提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的拉/吸交流频率响应。

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￥2.1477
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￥1.6953
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￥1.052
5000+
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型号：MC14093BDTR2G 编号：C233507

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强模式器件，在单个单片结构中构建。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。可代替四2输入与非门，以增强抗噪性或对缓慢变化的波形进行整形。

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￥2.1519
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￥1.6681
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￥1.4607
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￥1.202
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￥1.0868
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型号：NRVB140SFT1G 编号：C152277

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属-硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流二极管和极性保护二极管。该封装还为无引脚34封装形式提供了一种易于操作的替代方案

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￥2.1797
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￥1.6896
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￥1.4796
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￥1.2175
3000+
￥1.1008
6000+
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型号：MUR2100ERLG 编号：C242294

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快 E 系列，具有高逆向能量功能,此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管

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￥2.1903
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￥1.7064
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￥1.4991
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￥1.2404
2500+
￥1.1252
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￥1.056

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型号：LM2901DTBR2G 编号：C231841

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

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5+
￥2.1938
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￥1.7049
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￥1.4954
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型号：S100 编号：C556396

封装：DO-214AC

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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5+
￥2.2446
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￥1.7462
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型号：MB8S 编号：C232761

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小。MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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5+
￥2.2796
50+
￥1.8602
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￥1.6805
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￥1.4562

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型号：SZ1SMB5938BT3G 编号：C231292

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥2.286 ￥5.08
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￥1.5925 ￥4.55
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￥1.07 ￥4.28
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￥1.005 ￥4.02
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￥0.965 ￥3.86
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型号：1N5353BRLG 编号：C9087

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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5+
￥2.3364
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￥1.8576
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￥1.6524
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￥1.3964
2500+
￥1.2159
4000+
￥1.1475

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型号：NJVMJD31CT4G 编号：C233757

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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5+
￥2.3408
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￥1.8444
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￥1.6316
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￥1.2677
2500+
￥1.1495
5000+
￥1.0786

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型号：MC14011BDTR2G 编号：C463300

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

B 系列逻辑门极是使用 P 和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。

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1+
￥2.39
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￥1.86
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￥1.63
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￥1.35
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￥1.22
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型号：MC14060BDR2G 编号：C62404

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14060B是一款14级二进制纹波计数器，带有片上振荡器缓冲器。该振荡器配置支持设计RC或晶体振荡器电路。芯片上还设有复位功能，可将所有输出置于零状态并禁用振荡器

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1+
￥2.39
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￥1.2
1000+
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型号：MC3403DR2G 编号：C7576

封装：SOIC-14-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC3403 是一款低成本、具有真正差分输入的四运放。该器件的电气特性与广受欢迎的 MC1741C 相似。然而，在单电源应用中，MC3403 相较于标准运算放大器类型具有若干显著优势

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￥2.5
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￥1.9
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￥1.64
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￥1.32
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￥1.17
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型号：4N35SR2M 编号：C115039

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥2.64
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￥2.13
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￥1.91
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￥1.63
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￥1.27

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型号：FDS5351 编号：C241809

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥2.67
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￥2.35
30+
￥2.19
100+
￥2.04
500+
￥1.94
1000+
￥1.89

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型号：1N5345BRLG 编号：C9118

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.75
10+
￥2.13
30+
￥1.87
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￥1.54
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￥1.39
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￥1.3

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型号：74ACT04SCX 编号：C5490

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

AC/ACT04包含六个反相器。

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1+
￥2.8
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￥2.17
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￥1.9
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￥1.57
500+
￥1.42
1000+
￥1.33

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型号：MC74VHC14DTR2G 编号：C96238

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC14是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。其引脚配置和功能与MC74VHC04相同，但输入具有迟滞特性，凭借施密特触发器功能，VHC14可用作能接收慢速输入信号的线路接收器

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1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥1.99
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￥1.69
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￥1.56
1000+
￥1.47

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型号：NCV8154MTW180280TCG 编号：C893097

封装：WDFN-6(1.5x1.5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8154是一款300 mA双输出线性稳压器，具备两个独立输入引脚，能提供极为稳定且精确的电压，具有超低噪声和极高的电源抑制比（PSRR），适用于射频应用。NCV8154适用于为汽车信息娱乐系统的射频模块及其他对电源敏感的设备供电。由于功耗较低，NCV8154具有高效率和低散热的特点

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1+
￥2.821 ￥4.34
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￥2.134 ￥3.88
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￥1.6425 ￥3.65
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￥1.539 ￥3.42
500+
￥1.476 ￥3.28
1000+
￥1.4445 ￥3.21

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型号：NTGD4167CT1G 编号：C140582

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双

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1+
￥2.84
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￥2.28
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￥2.04
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￥1.74
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

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型号：NCP1117DT18RKG 编号：C232663

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1117系列是低压差正电压稳压器，能够提供超过1.0 A的输出电流，在800 mA和全温度范围内的最大压差为1.2 V。该系列包含九种固定输出电压，分别为1.5 V、1.8 V、1.9 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V和12 V，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一款可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压编程为1.25 V至18.8 V。片上微调可将基准/输出电压调整至±1.0%的精度范围内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。NCP1117系列可在最高20 V的输入电压下工作。器件提供SOT−223和DPAK封装。

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