安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：NVATS5A112PLZT4G 编号：C556451

封装：TO-252-3

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥6.18
10+
￥5.08
30+
￥4.48
100+
￥3.8
500+
￥3.5
1000+
￥3.36

有货

立即购买

型号：ESD7008MUTAG 编号：C260424

封装：UDFN-18(1.5x5.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD7008静电放电（ESD）保护二极管专为保护四对高速差分线而设计。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想选择。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速线路的阻抗一致性至关重要。

数据手册

1+
￥6.2
10+
￥5.08
30+
￥4.46
100+
￥3.76
500+
￥3.45

有货

立即购买

型号：MUR1660CTG 编号：C40990

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.23
50+
￥4.61
100+
￥3.9
500+
￥3.59
1000+
￥3.45

有货

立即购买

型号：NVTFS9D6P04M8LTAG 编号：C900546

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸 (3.3x3.3mm)，适合紧凑设计。低导通电阻 (RDS(on))，以最小化传导损耗。低电容，以最小化驱动损耗。NVTFWS9D6P04M8L 可焊侧翼产品。AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.62
30+
￥5.01
100+
￥4.33
500+
￥4.03

有货

立即购买

型号：NCP1631DR2G 编号：C154590

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1631 控制器用于 2 相交错式功率因数校正预转换器。交错由并联的两个小级组成，代替了一个大级。此方式具有若干优点，如实施简单、能够使用更小组件，更好的散热。这些属性使得该交错式 PFC 拓扑结构适用于薄型应用，如平板电视和超薄笔记本电脑适配器。交错还可以扩展到高能效且成本高效（无需低 trr 二极管）的临界导通运行模式的功率范围。NCP1631 在频率箝位临界导通模式 (FcCrM) 下运行。该电路利用频率折回将箝位频率作为功率的函数进行线性降低。因此，NCP1631 在整个负载范围内提供了优化的能效。另外，NCP1631 驱动器具有 180 相移位，可大大减少电流波纹，因此降低了 EMI，减少了大容量电容器中的 rms 电流。NCP1631 结合了构建耐用紧凑的交错式 PFC 级所需的所有功能，且外部组件数量极少。采用 SOIC-16 封装。

数据手册

1+
￥7.15
10+
￥6.56
30+
￥6.23
100+
￥4.52
500+
￥4.36
1000+
￥4.28

有货

立即购买

型号：NTD250N65S3H 编号：C2902164

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET产品系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥7.35
10+
￥6.11
30+
￥5.43
100+
￥4.28
500+
￥3.94
1000+
￥3.79

有货

立即购买

型号：NTMFS5C645NLT1G 编号：C513302

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET 60V 100A 4.0 mΩ 单 N 沟道

数据手册

1+
￥7.58
10+
￥6.22
30+
￥5.47
100+
￥4.63
500+
￥4.25
1500+
￥4.08

有货

立即购买

型号：FQPF7N80C 编号：C467788

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

1+
￥7.91
10+
￥7.24
50+
￥6.34
100+
￥5.91
500+
￥5.72
1000+
￥5.63

有货

立即购买

型号：NCP1562ADR2G 编号：C603602

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

数据手册

1+
￥9.12
10+
￥7.5
30+
￥6.61
100+
￥5.6
500+
￥5.16
1000+
￥4.95

有货

立即购买

型号：NCP1377BD1R2G 编号：C463576

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1377集成了一个真正的电流模式调制器和一个去磁检测器，可确保在任何负载/线路条件下实现完全边界/临界导通模式，同时实现最低漏极电压开关（准谐振操作）。由于其固有的跳周期能力，一旦功率需求降至预定水平以下，控制器便会进入 burst 模式。由于这种情况发生在低峰值电流时，因此不会听到可闻噪声

1+
￥9.66
10+
￥8.91
30+
￥8.44
100+
￥6.62
500+
￥6.4
1000+
￥6.3

有货

立即购买

型号：NCP1562BDR2G 编号：C462900

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

数据手册

1+
￥9.67
10+
￥8.96
30+
￥6.81
100+
￥6.36
500+
￥6.15
1000+
￥6.06

有货

立即购买

型号：HCPL2631M 编号：C899527

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

数据手册

1+
￥9.69
10+
￥7.97
30+
￥7.02
100+
￥5.95
500+
￥5.48
1000+
￥5.26

有货

立即购买

型号：FAN7688SJX 编号：C604981

封装：SOP-16-5.4mm

品牌：onsemi(安森美)

FAN7688 是一款用于 LLC 谐振转换器的先进脉冲频率调制 (PFM) 控制器，且带有同步整流 (SR)，为隔离式 DC/DC 转换器提供业内最佳能效。它采用基于电荷控制的最新模式控制技术，其中来自振荡器的三角波形与集成开关电流信息相结合来确定开关频率。这提供了功率级更好的控制-输出传递功能，简化了反馈回路设计，同时实现了真正的输入功率限制功能。闭环软启动防止了误差放大器的饱和，允许输出电压的单调上升，而不管负载条件如何。双缘跟踪自适应停滞时间控制最大程度缩短了体二极管导通时间，从而最大程度提高能效。

数据手册

1+
￥12.41
10+
￥10.45
30+
￥9.22
100+
￥7.97
500+
￥7.4
1000+
￥7.16

有货

立即购买

型号：NCS21911SN2T1G 编号：C603837

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCS2191x系列高精度运算放大器具有低输入失调电压，且随时间和温度的漂移近乎为零。这些运算放大器在4 V至36 V的宽电源电压范围内工作，静态电流低。轨到轨输出摆幅可达到离电源轨10 mV以内。该系列包括单通道NCS(V)21911、双通道NCS(V)21912和四通道NCS(V)21914，提供多种封装形式。所有版本均规定在-40°C至+125°C的温度范围内工作。带有NCV前缀的产品为汽车级合格选项。

数据手册

1+
￥13.35
10+
￥11.31
30+
￥10.03
100+
￥8.31
500+
￥7.72
1000+
￥7.47

有货

立即购买

型号：NCP5183DR2G 编号：C904511

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥13.54
10+
￥11.6
30+
￥10.38
100+
￥7.78
500+
￥7.21
1000+
￥6.97

有货

立即购买

型号：FDP2532 编号：C606056

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，79 A，16 mΩ

数据手册

1+
￥14.85
10+
￥12.53
30+
￥11.08
100+
￥9.59
500+
￥8.92
800+
￥8.63

有货

立即购买

型号：MC33364DR2G 编号：C903953

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案，集成了高压启动和保护电路，可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。该器件系列集成了700 V超高压（VHV）启动电路。因此，无需任何额外的启动电路或组件，即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。临界导通特性具有诸多优势。首先，MOSFET在零电流时导通，二极管在零电流时关断。零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。它还能降低开关电源（SMPS）的电磁干扰（EMI），并可使用成本较低的整流器。其次，通过防止开关电源进入不连续导通模式（DCM），MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。第三，通过防止开关电源进入连续导通模式（CCM），反激式拓扑传递函数保持为一阶，其反馈补偿网络得到显著简化。它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

数据手册

1+
￥14.97
10+
￥12.86
30+
￥11.54
100+
￥10.19
500+
￥9.58
1000+
￥9.31

有货

立即购买

型号：FFH60UP60S 编号：C605072

封装：TO-247-2LD

品牌：onsemi(安森美)

FFH60UP60S 是一款具有极低正向电压降和强大 UIS 功能的超快速二极管。此类器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流和箝位二极管。它特别适合用于焊接机和 UPS 等开关电源和工业应用。

数据手册

1+
￥15.07
10+
￥13.93
30+
￥10.77
90+
￥10.04
510+
￥9.71
990+
￥9.57

有货

立即购买

型号：FDBL0150N80 编号：C512891

封装：HPSOF-8

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on)=1.1 mΩ，VGS = 10V，ID = 80 A。典型Qg(tot)=172 nC，VGS = 10V，ΔD = 80 A。 UIS能力。 RoHS合规。应用：工业电机驱动。工业电源

数据手册

1+
￥15.57
10+
￥13.11
30+
￥11.43
100+
￥9.85
500+
￥9.14
1000+
￥8.83

有货

立即购买

型号：FDP18N50 编号：C11768

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥16.4
10+
￥14.02
50+
￥11.06
100+
￥9.54
500+
￥8.85
1000+
￥8.55

有货

立即购买

型号：NTB095N65S3HF 编号：C898798

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化的反向恢复性能可以减少额外元件并提高系统可靠性。

数据手册

1+
￥18.57
10+
￥15.89
30+
￥13.71
100+
￥12.09
500+
￥11.35
800+
￥11.01

有货

立即购买

型号：RURG3060 编号：C389623

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

是一种具有低正向压降的超快二极管。该器件旨在用作各种开关电源和其他功率开关应用中的续流和钳位二极管。特别适用于开关电源和工业应用。

数据手册

1+
￥19.18
10+
￥16.62
30+
￥15.01
90+
￥13.37
510+
￥12.63
1200+
￥12.31

有货

立即购买

型号：NJW21193G 编号：C604171

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

数据手册

1+
￥20.8
10+
￥17.63
30+
￥14.7
100+
￥12.79
500+
￥11.91
1000+
￥11.51

有货

立即购买

型号：FDMT80080DC 编号：C463720

封装：DualCool-88-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥26.94
10+
￥23.05
30+
￥20.74
100+
￥18.4

有货

立即购买

型号：NTHL067N65S3H 编号：C2902088

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率

数据手册

1+
￥29.54
10+
￥25.04
30+
￥22.36
90+
￥19.65
510+
￥18.4
990+
￥17.83

有货

立即购买

型号：MJL3281AG 编号：C327498

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

MJL3281A 和 MJL1302A 功率晶体管适用于大功率音频、磁盘头定位器和其他线性应用。

数据手册

1+
￥32.54
10+
￥27.79
25+
￥23.83
100+
￥20.98
500+
￥19.66
1000+
￥19.07

有货

立即购买

型号：FNA41560T2 编号：C411214

封装：SPM-AB-C26

品牌：onsemi(安森美)

FNA41560T2 是一款用于电机控制的电源模块，为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。此类模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动，可最大程度减少 EMI 和损耗，同时还提供多个模块上保护功能，包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压，会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。每个相位都有单独的负 IGBT 端子，可支持最广泛的控制算法。

数据手册