安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBFJ309LT1G 编号：C58012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥0.9444
50+
￥0.7593
150+
￥0.6668
500+
￥0.5974
3000+
￥0.5418
6000+
￥0.514

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型号：1SMB5926BT3G 编号：C189653

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥0.9539
50+
￥0.7667
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￥0.6731
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￥0.603
2500+
￥0.5468
5000+
￥0.5187

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型号：BAS31 编号：C415998

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥1.0225
50+
￥0.8542
150+
￥0.77
500+
￥0.7069
3000+
￥0.6564

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型号：1SMB5952BT3G 编号：C236106

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.0264
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￥0.7997
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￥0.7025
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￥0.5813
2500+
￥0.5273
5000+
￥0.4949

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型号：2N7002DW 编号：C232839

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。

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5+
￥1.0492
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￥0.832
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￥0.7389
500+
￥0.6228
3000+
￥0.4923
6000+
￥0.4612

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型号：NCV8177BMX330TCG 编号：C604053

封装：XDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8177 是一款 CMOS LDO 稳压器，具有 500 mA 输出电流能力。输入电压低至 1.6 V，输出电压可设置为 0.75 V 以上。它提供了非常稳定准确的电压，以及极低噪声和极高的电源抑制比 (PSRR)，适用于射频应用。NCV8177 适用于为汽车信息娱乐系统和其他功率敏感设备的射频块供电。由于 NCV8177 的功耗较低，可提供高能效和低散热。该器件采用 4 引脚 XDFN4 1.0 mm x 1.0 mm 封装，尤其适用于空间受限的应用。

数据手册

5+
￥1.0495
50+
￥0.8177
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￥0.7183
500+
￥0.5944
3000+
￥0.5392
6000+
￥0.506

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型号：NRVUS240VT3G 编号：C604318

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0874
50+
￥0.9402
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￥0.8772
500+
￥0.7992
2500+
￥0.7641
5000+
￥0.7431

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型号：NVR5198NLT3G 编号：C896862

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

汽车用功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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1+
￥1.1221 ￥2.29
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￥0.7878 ￥2.02
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￥0.5539 ￥1.91
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￥0.5104 ￥1.76
500+
￥0.493 ￥1.7
1000+
￥0.4814 ￥1.66

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型号：1SMB5916BT3G 编号：C45586

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1353
50+
￥0.8982
150+
￥0.7966
500+
￥0.6698

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型号：LP2951ACDR2G 编号：C232432

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

Vin=30V(Max),Iout=100mA

数据手册

5+
￥1.1657
50+
￥0.9036
150+
￥0.7913
500+
￥0.6511
2500+
￥0.5887
5000+
￥0.5513

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型号：NST489AMT1G 编号：C889760

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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1+
￥1.18 ￥2.36
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￥0.832 ￥2.08
30+
￥0.591 ￥1.97
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￥0.546 ￥1.82
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￥0.525 ￥1.75
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￥0.513 ￥1.71

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型号：MUR240RLG 编号：C480720

封装：DO-204AL

品牌：onsemi(安森美)

Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.186
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￥0.924
150+
￥0.8117
500+
￥0.6716
2500+
￥0.6093
5000+
￥0.5718

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型号：SZNUP2105LT3G 编号：C719799

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此双路双向适用于需要电压保护功能的应用。它适用于过电压和 ESD 敏感性设备。此器件具有一个双结共阴极配置，用于保护两个单独的线路。

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5+
￥1.2214
50+
￥1.0567
150+
￥0.9861
500+
￥0.898
2500+
￥0.8588

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型号：NTZS3151PT1G 编号：C236118

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.2288
50+
￥0.8973
150+
￥0.7552
500+
￥0.5779
2500+
￥0.499
4000+
￥0.4516

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型号：NC7SZ74K8X 编号：C128370

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于 TinyLogic 超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5.5V 这一极宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻抗状态

数据手册

5+
￥1.2444
50+
￥0.9924
150+
￥0.8844
500+
￥0.7497

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型号：ESD7C5.0DT5G 编号：C896234

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2928
50+
￥1.0237
150+
￥0.9084
500+
￥0.7645
2500+
￥0.7005

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型号：MMBF5485 编号：C2842701

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件主要用于电子开关应用，如低导通电阻模拟开关。源自 Process 50。

数据手册

5+
￥1.3738
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￥1.0885
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￥0.9663
500+
￥0.8138
3000+
￥0.7459
6000+
￥0.7051

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型号：NCV1117ST33T3G 编号：C114733

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥1.3896
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￥1.0996
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￥0.9754
500+
￥0.7261
2500+
￥0.6571
4000+
￥0.6157

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型号：NDC7002N 编号：C114648

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥1.4149
50+
￥1.0988
150+
￥0.9633
500+
￥0.7854
3000+
￥0.7102

有货

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型号：MURA105T3G 编号：C895504

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.5055
50+
￥1.183
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￥1.0447
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￥0.8141
2500+
￥0.7373
5000+
￥0.6912

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型号：NTJS4151PT1G 编号：C236244

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

沟槽功率 MOSFET，-20 V，-4.2 A，单 P 沟道，SC-88

数据手册

5+
￥1.5316
50+
￥1.2066
150+
￥1.0673
500+
￥0.8935
3000+
￥0.8162

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型号：TL431CLPRPG 编号：C233672

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

数据手册

5+
￥1.6596
50+
￥1.4697
150+
￥1.3884
500+
￥1.2869
2000+
￥0.9854
4000+
￥0.9582

有货

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型号：NCP1117IST18T3G 编号：C2902118

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻将电压编程为 1.25V 至 18.8V。片上微调可将参考/输出电压调整至 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入电压下工作。

数据手册

1+
￥1.7112 ￥2.48
10+
￥1.2921 ￥2.19
30+
￥1.0094 ￥2.06
100+
￥0.931 ￥1.9
500+
￥0.8967 ￥1.83
1000+
￥0.8771 ￥1.79

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型号：SZ1SMA5925BT3G 编号：C896068

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

1+
￥1.7385 ￥2.85
10+
￥1.3005 ￥2.55
30+
￥0.984 ￥2.4
100+
￥0.9266 ￥2.26
500+
￥0.8897 ￥2.17
1000+
￥0.8692 ￥2.12

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型号：FOD817BSD 编号：C139543

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.8014
50+
￥1.4437
150+
￥1.2903
1000+
￥1.0674
2000+
￥0.9822
5000+
￥0.9311

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型号：SZNUP3105LT1G 编号：C233434

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SZ/NUP3105L专为保护24V系统中的CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑的SOT−23封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的选择，可提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。

数据手册

5+
￥1.8723
50+
￥1.5066
150+
￥1.3499
500+
￥1.1543
3000+
￥1.0672
6000+
￥1.015

有货

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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