安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

封装：DPAK-5

是一款专为恶劣汽车环境设计的集成低压差稳压器。它具有较宽的工作温度和输入电压范围。输出电压稳定在5.0V或3.3V，额定输出电流为450mA。还具备过流保护、过温保护和可编程微处理器复位等功能。有DPAK和D²PAK表面贴装封装。输出在较宽的输出电容和ESR范围内保持稳定。

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型号：NCV8161ASN330T1G 编号：C604034

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV8161是一款线性稳压器，能够提供450 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具有低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应等特性。它设计用于搭配1 μF的输入和1 μF的输出陶瓷电容工作

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型号：LP2951CDMR2G 编号：C462783

封装：Micro8

品牌：onsemi(安森美)

是微功率电压调节器，专为在极低的输入输出电压差下保持正常调节而设计。这些器件的静态偏置电流非常低，为75μA，能够提供超过100mA的输出电流，并具备内部电流和热限制保护。LP2951还有三个额外功能：一是误差输出，可用于向外部电路发出调节异常信号，或作为微处理器上电复位；二是输出电压可预设为5.0V、3.3V或3.0V输出（取决于版本），也可在1.25V至29V之间进行编程；三是关断输入，允许逻辑电平信号关闭或开启稳压器输出。由于其低输入输出电压差和偏置电流规格，这些器件非常适合用于电池供电的计算机、消费和工业设备，以延长电池的使用寿命。

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型号：MUR1520G 编号：C150062

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：NCP1015AP065G 编号：C80091

封装：DIP-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1015采用单片结构，提供了完整的电流模式控制解决方案（实际上是增强型NCP1200控制器部分），并集成了一个高压功率MOSFET。该器件集成了构建坚固、低成本且具备低待机功耗特性的开关模式电源（SMPS）所需的一切功能。- 无需辅助绕组：安森美半导体的超高压集成电路技术使您能够直接从高压直流母线为IC供电，我们称之为动态自供电（DSS）。这种解决方案简化了变压器设计，并确保在困难的输出条件下（如恒流运行）对SMPS进行更好的控制。不过，为了提高待机性能，可以将辅助绕组连接到VCC引脚以禁用DSS操作。- 短路保护：通过持续监测反馈线路的活动，IC能够检测到短路的存在，并立即降低输出功率，以实现整个系统的保护。一旦短路消失，控制器将恢复并回到正常运行状态。- 低待机功耗：如果SMPS在标称负载下自然表现出良好的效率，那么当输出功率需求降低时，其效率会开始下降。通过跳过不必要的开关周期，NCP1015可大幅降低轻载条件下的功耗。辅助绕组可通过使DSS操作无效，进一步将待机功耗降至极低水平。典型测量结果显示，对于典型的7W通用电源，在230Vac输入时，待机功耗低于80mW。- 运行时无声学噪声：NCP1015不会在高峰值电流时跳过周期，而是等待峰值电流需求降至最大限制的0.25倍以下。

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型号：NCP1012ST65T3G 编号：C894932

封装：SOT-223-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP101X系列集成了一个固定频率电流模式控制器和一个700 V MOSFET。该系列采用PDIP - 7或SOT - 223封装，具备构建坚固且低成本电源所需的一切功能，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP101X本质上运行安静：在标称负载运行期间，该器件以可选频率（65 - 100 - 130 kHz）之一进行开关操作。当电流设定点降至给定值以下时，例如输出功率需求降低，IC会自动进入所谓的跳周期模式，在轻载时提供出色的效率。由于这种情况通常发生在最大峰值的1/4左右，因此不会产生声学噪声。因此，待机功耗可降至最低且无声学噪声产生。当反馈信号消失时，例如在真正的短路情况或光耦合器损坏的情况下，会进行短路检测。通过简单地将反馈引脚拉低，或通过一个廉价的SCR将其锁存到地以实现完全锁存关断，可轻松实现外部禁用。最后，软启动和频率抖动进一步减轻了设计人员快速开发低成本、可靠离线电源的任务。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将功耗降至100 mW以下。在此模式下，内置的锁存过压保护可防止在光耦合器损坏时出现致命的电压失控。这些器件提供经济实惠的8引脚双列直插式和4引脚SOT - 223封装。

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型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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型号：MURB1620CTT4G 编号：C236158

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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型号：FQPF7N80C 编号：C467788

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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型号：RHRP8120-F102 编号：C898828

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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型号：FSV2060L 编号：C110669

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：极低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1 mm。符合RoHS标准。符合IEC61249标准的绿色模塑料。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。通过回流焊（J-STD-020）和260℃焊接温度分类认证

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型号：NCP1562BDR2G 编号：C462900

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1562x 是一个电压模式控制器系列，用于需要高能效和较少零部件的 DC-DC 转换器。这些控制器将两个同相输出与重叠延迟相结合，以防止同时导通，实现了软切换。主输出用于驱动前向转换器主 MOSFET。辅助输出用于驱动有源箝位电路 MOSFET、辅助侧的同步整流器或不对称半桥电路。NCP1562 系列在最大占空比限制、欠电压检测器和过电流阈值等重要规格方面集成了很高的准确性，减少了部件数量，降低了系统尺寸。NCP1562 的两个不同功能为软截止和带有时间阈值的周期跳过电流限制。如果检测到严重故障，软截止电路则会以受控方式逐渐关闭转换器电源。周期跳过检测器实现了出现连续过电流情况下的软截止序列。NCP1562 的其他功能包括线路前馈、高达 1.0 MHz 的频率同步、带前缘间隔 (LEB) 的按周期电流限制、独立的欠电压和过电压检测器、可调节输出重叠延迟、可编程最大占空比、内部启动电路和软启动。

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型号：NCV7240BDPR2G 编号：C603983

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7240 是一款汽车八沟道低压侧驱动器，提供高达每沟道 600 mA 的驱动能力。输出控制通过 SPI 端口进行，针对开路负载（或接地短路）、过载和高温条件提供方便的故障报告。另外，输出的并行控制可通过 INx 引脚寻址（成对）。专用的跋行回家模式引脚 (LHI) 启用 OUT1 至 OUT4，而禁用 OUT5 至 OUT8。每个输出驱动器均具有过载电流保护，且包括一个用于电感负载的输出箝位。NCV7240 采用 SSOP24 带保险丝引线封装。

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型号：NVD5C684NLT4G 编号：C236252

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 DPAK 封装中且具有较高的热性能。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：FDP030N06B-F102 编号：C898579

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：MSRD620CTT4G 编号：C904297

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。软 Ultrafast 整流器适用于低电压、高频率开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：NTD360N80S3Z 编号：C887706

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力

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型号：LC709204FXE-01TBG 编号：C895466

封装：WLCSP-12(1.48x1.91)

品牌：onsemi(安森美)

LC709204F是一款适用于单节锂离子/聚合物电池的电量计。它是我们智能锂电池电量计系列的一部分，该系列电量计采用名为HG - CVR2的独特算法来测量电池的相对荷电状态（RSOC）。即使在不稳定条件下（如电池温度变化、负载变化、老化和自放电），HG - CVR2算法也能提供准确的RSOC信息。准确的RSOC有助于延长便携式设备的运行时间。HG - CVR2算法的电量计（换言之，油量表、电池监测器或电池电量计）功能使该LSI在各种应用中具有很高的适用性。插入电池后，只需设置几个参数，该LSI即可立即开始电池测量。这样可以避免因学习周期而导致的复杂应用制造过程。该LSI还通过报警功能和向应用处理器报告电池健康状态（SOH）来保障电池安全。其工作消耗电流非常低，仅为2 μA，适用于可穿戴设备和1串N并电池等应用。

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型号：FUSB302B01MPX 编号：C488155

封装：MLP-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302B面向期望实现DRP/SRC/SNKUSBType-C连接器，但需要少量编程的系统设计人员。支持USBType-C检测，包括连接和方向。集成USBBMC电力输送协议的物理层，允许高达100W功率和角色互换。

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型号：MC33364DR2G 编号：C903953

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC33364系列是一款可变频率电流模式临界导通解决方案，集成了高压启动和保护电路，可用于实现现代消费电子电源的离线反激式转换器。不同的频率钳位选项可满足不同的定制需求。该器件系列集成了700 V超高压（VHV）启动电路。因此，无需任何额外的启动电路或组件，即可设计出输入电压范围为85 Vac至265 Vac的通用输入电压应用。临界导通特性具有诸多优势。首先，MOSFET在零电流时导通，二极管在零电流时关断。零电流可降低这些导通和关断的开关损耗。它还能降低开关电源（SMPS）的电磁干扰（EMI），并可使用成本较低的整流器。其次，通过防止开关电源进入不连续导通模式（DCM），MOSFET漏极峰值电流仅限制为平均输入电流的两倍。这使得可以使用更小、更便宜的MOSFET。第三，通过防止开关电源进入连续导通模式（CCM），反激式拓扑传递函数保持为一阶，其反馈补偿网络得到显著简化。它还能使反激变压器的功率传输达到其1/2 LI²的极限。

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型号：NB7NQ621MMUTWG 编号：C891915

封装：QFN-38-EP(4.2x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

NB7NQ621M是一款3.3 V双模式DisplayPort (DP++)四通道线性再驱动器，支持高达12 Gbps的HDMI 2.1固定速率链路 (FRL)、高达6 Gbps的TMDS以及DisplayPort v1。

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型号：FGH40N60SMD 编号：C49512

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

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型号：FDMS86101A 编号：C605041

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。

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型号：FCP099N65S3 编号：C516097

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。

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型号：NJW21193G 编号：C604171

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

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型号：NJW21194G 编号：C150233

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

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型号：MJ15025G 编号：C2728

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

功率晶体管，适用于高功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。

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型号：FGY75T120SQDN 编号：C898206

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。

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￥54.58
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￥43.44
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型号：NTHL040N120M3S 编号：C20625009

封装：TO-247-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)。低电容高速开关 (Coss = 80 pF)。 100% 雪崩测试。此器件无卤，符合RoHS指令7a豁免要求，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。电动汽车充电站

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型号：NVH4L040N120M3S 编号：C19673852

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻：在栅源电压为18V时为40mΩ。超低栅极电荷：Qg(tot)=75nC。低电容高速开关：Coss = 80pF。 100%雪崩测试。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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