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首页 > 热门关键词 > 安森美滤波器
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描述
价格(含税)
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操作
250V 200mA
型号：BAS21HT1G 编号：C82466
封装：SOD-323
品牌：onsemi(安森美)
此高电压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。 此器件采用 SOD-323 表面贴装封装，适用于自动化插入。
数据手册

  • 20+

    ￥0.1543

  • 200+

    ￥0.1185

  • 600+

    ￥0.0987

  • 3000+

    ￥0.0868

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    ￥0.0764

  • 21000+

    ￥0.0709
  • 有货
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA
    型号：MMBZ5231BLT1G 编号：C16376
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.191

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      ￥0.1468

    • 600+

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      ￥0.1074

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      ￥0.0946

    • 21000+

      ￥0.0878
  • 有货
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    独立式 耐压:33V 电流:0.05uA@23.1V
    型号：BZX84C33LT1G 编号：C31775
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2131

    • 200+

      ￥0.1665

    • 600+

      ￥0.1406

    • 3000+

      ￥0.1122

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      ￥0.0987

    • 21000+

      ￥0.0915
  • 有货
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    独立式 耐压:8.2V 电流:3uA@6.5V
    型号：MMSZ5237BT1G 编号：C236103
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2426

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      ￥0.1923

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      ￥0.1672

    • 3000+

      ￥0.1483

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      ￥0.1333

    • 9000+

      ￥0.1257
  • 有货
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    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-25LT1G 编号：C82635
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2593

    • 100+

      ￥0.2065

    • 300+

      ￥0.1801

    • 3000+

      ￥0.1415

    • 6000+

      ￥0.1257

    • 9000+

      ￥0.1177
  • 有货
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    电压:30V 电流:30mA
    型号：RB751V40T1G 编号：C154819
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2706

    • 100+

      ￥0.2131

    • 300+

      ￥0.1843

    • 3000+

      ￥0.1627

    • 6000+

      ￥0.1455

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      ￥0.1369
  • 有货
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    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856BLT1G 编号：C165609
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 合格且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合 RoHS 标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2895

    • 100+

      ￥0.2352

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      ￥0.2081

    • 3000+

      ￥0.1725

    • 6000+

      ￥0.1562

    • 9000+

      ￥0.148
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54XV2T1G 编号：C81572
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3055

    • 200+

      ￥0.2476

    • 600+

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      ￥0.155

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      ￥0.146
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    50V 100mA
    型号：DTC114EET1G 编号：C94400
    封装：SC-75(SOT-416)
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3069

    • 100+

      ￥0.243

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    • 3000+

      ￥0.1744
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    单向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：MMBZ27VCLT1G 编号：C128609
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阴极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。SZ/MMBZ27VCL可用于保护单总线通信网络免受电磁干扰和静电放电瞬态浪涌电压的影响。2000年2月，美国汽车工程师协会（SAE）在J2411《车辆应用单总线CAN网络》规范中推荐使用SZ/MMBZ27VCL来解决瞬态电压问题。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3146

    • 200+

      ￥0.2417

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      ￥0.2012

    • 3000+

      ￥0.1769

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    • 21000+

      ￥0.1445
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54CWT1G 编号：C82467
    封装：SOT-323(SC-70)
    品牌：onsemi(安森美)
    该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3418

    • 200+

      ￥0.2699

    • 600+

      ￥0.23

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      ￥0.1788

    • 9000+

      ￥0.1581

    • 21000+

      ￥0.1469
  • 有货
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    NPN 电流:100mA 电压:60V
    型号：MMBT2484LT1G 编号：C154782
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3454

    • 100+

      ￥0.2768

    • 300+

      ￥0.2425

    • 3000+

      ￥0.2168

    • 6000+

      ￥0.1962

    • 9000+

      ￥0.1859
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5233DW1T1G 编号：C182463
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3922

    • 100+

      ￥0.3174

    • 300+

      ￥0.28

    • 3000+

      ￥0.2441

    • 6000+

      ￥0.2217

    • 9000+

      ￥0.2105
  • 有货
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    数字晶体管（BRT）
    型号：DTA114YM3T5G 编号：C896187
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3948

    • 50+

      ￥0.3496

    • 150+

      ￥0.327

    • 500+

      ￥0.3101

    • 2500+

      ￥0.2965

    • 5000+

      ￥0.2898
  • 有货
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    单路施密特触发反相器
    型号：NC7S14M5X 编号：C7416
    封装：SOT-23-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7S14 是一款带施密特触发器输入的单路高性能 CMOS 反相器。该电路设计在正向和负向输入阈值之间形成迟滞，从而提高了噪声容限
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3971

    • 100+

      ￥0.3107

    • 300+

      ￥0.2675

    • 3000+

      ￥0.2351

    • 6000+

      ￥0.2092

    • 9000+

      ￥0.1963
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:15V 电流:5uA@11.4V
    型号：1N4744A 编号：C238928
    封装：DO-41
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4292

    • 100+

      ￥0.3379

    • 250+

      ￥0.2847

    • 1000+

      ￥0.2504
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V
    型号：NDS7002A 编号：C74715
    封装：SOT-23-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4475

    • 100+

      ￥0.3613

    • 300+

      ￥0.3182

    • 3000+

      ￥0.2723

    • 6000+

      ￥0.2465

    • 9000+

      ￥0.2335
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:6.2V 电流:3uA
    型号：BZX84C6V2LT1G 编号：C82470
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4564

    • 100+

      ￥0.3652

    • 300+

      ￥0.3196
  • 有货
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    单路反相器
    型号：MC74HC1G04DFT1G 编号：C150227
    封装：SOT-353
    品牌：onsemi(安森美)
    MC74HC1G04 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。其内部电路由多级组成，包括一个缓冲输出级，该输出级具有高抗噪能力和稳定的输出。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5006

    • 50+

      ￥0.3902

    • 150+

      ￥0.335

    • 500+

      ￥0.2936

    • 3000+

      ￥0.2605

    • 6000+

      ￥0.2439
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:43V 电流:0.05uA@30.1V
    型号：SZMM3Z43VT1G 编号：C463665
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.532 ￥0.56

    • 50+

      ￥0.465885 ￥0.5481

    • 150+

      ￥0.40515 ￥0.5402

    • 500+

      ￥0.39915 ￥0.5322
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.4A
    型号：NTR0202PLT1G 编号：C109445
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5999

    • 50+

      ￥0.4799

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    • 500+

      ￥0.3749

    • 3000+

      ￥0.3389
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：SZMMSZ5240BT1G 编号：C604811
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.614

    • 50+

      ￥0.494

    • 150+

      ￥0.434

    • 500+

      ￥0.389

    • 3000+

      ￥0.353

    • 6000+

      ￥0.335
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:26V 电流:915mA
    型号：NTA4153NT1G 编号：C190020
    封装：SC-75(SOT-523)
    品牌：onsemi(安森美)
    小信号 MOSFET，20 V，915 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SC-75 和 SC-89
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6224

    • 50+

      ￥0.4851

    • 150+

      ￥0.4165

    • 500+

      ￥0.365

    • 3000+

      ￥0.3238
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：KSC1815YTA 编号：C424490
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    NPN 外延硅晶体管
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6809

    • 50+

      ￥0.5307

    • 150+

      ￥0.4556

    • 500+

      ￥0.3993

    • 2000+

      ￥0.3542

    • 4000+

      ￥0.3317
  • 有货
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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：17A@8/20us
    型号：SL05T1G 编号：C233424
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该浪涌保护系列产品可提供瞬态过电压保护，同时显著降低电容。通过串联一个补偿二极管来降低电容。这种集成解决方案可为高速接口（如通信系统、计算机和计算机外设）提供静电放电（ESD）保护。
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    • 5+

      ￥0.707457 ￥1.0253

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      ￥0.417366 ￥0.7074

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      ￥0.279888 ￥0.5712

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    20V 50nA@14V
    型号：SZMM5Z20VT1G 编号：C894542
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。
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    • 5+

      ￥0.7717

    • 50+

      ￥0.6167

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    单路反相器
    型号：NC7SV04P5X 编号：C891941
    封装：SC-70-5
    品牌：onsemi(安森美)
    0.9V至3.6V VCC电源供电 在VCC为0.9V至3.6V时，I/O端口可承受3.6V过压 极高速tPD： - 当VCC为2.7V至3.6V时，典型值为1.5ns - 当VCC为2.3V至2.7V时，典型值为1.8ns - 当VCC为1.65V至1.95V时，典型值为2.0ns - 当VCC为1.4V至1.6V时，典型值为3.2ns - 当VCC为1.1V至1.3V时，典型值为6.0ns - 当VCC为0.9V时，典型值为12.0ns 电源关闭时输入和输出呈高阻态 高静态驱动能力（I₀H/I₀L）： - 当VCC为3.00V时，为±24mA - 当VCC为2.30V时，为±18mA - 当VCC为1.65V时，为±6mA - 当VCC为1.4V时，为±4mA - 当VCC为1.1V时，为±2mA - 当VCC为0.9V时，为±0.1mA 采用专利Quiet Series™噪声/电磁干扰抑制电路
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    • 5+

      ￥0.8155

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      ￥0.6632

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    NPN 电流:50mA 电压:120V
    型号：KSC1845FTA 编号：C900959
    封装：TO-92-3L
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：音频低噪声放大器。 与KSA992互补。 这是无铅器件
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      ￥0.8735

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    • 500+

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:540mA
    型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117
    封装：SOT-563
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。 高效的系统性能。 低阈值电压。 静电放电（ESD）保护栅极。 小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。 带电平转换的负载/电源开关
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    • 5+

      ￥0.9066

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      ￥0.7165

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      ￥0.4645
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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：SBC846BDW1T1G 编号：C152466
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。
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    • 5+

      ￥0.9312

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      ￥0.7879

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