安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCV4264-2CST33T3G 编号：C556473

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV4264−2C是一款低静态电流消耗的低压差（LDO）稳压器。其输出级可提供100 mA电流，输出电压精度为±2.0%。在负载电流为100 mA时，最大压差为500 mV

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型号：NCV1413BDR2G 编号：C138393

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413，B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

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型号：MBRM2H100T3G 编号：C464198

封装：Power-mite-2

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。Powermite 依托独特的散热设计，热性能与 SMA 相同，占地面积却小 50%。因为其尺寸较小，因而非常适合蜂窝电话、无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

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型号：NCL2801CDADR2G 编号：C497423

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCL2801 是一款电流模式 CRM 升压 PFC 控制集成电路，利用安森美半导体的 THD 增强技术可在更宽的运行范围内提供最佳等级的 THD 性能。能效和待机功率性能通过谷计数频率折回 (VCFF) 方法得以增强。

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型号：LM317TG 编号：C89320

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

直插TO220封装，可调三端稳压器，电流1.5A，输出电压1.25-37V

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型号：MC14044BDR2G 编号：C903928

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件构成单芯片结构。每个锁存器有独立的Q输出、置位和复位输入。Q输出通过具有公共使能输入的三态缓冲器选通。使能输入为逻辑“1”或高电平时输出使能；逻辑“0”或低电平时，锁存器与Q输出断开，Q输出开路。

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型号：NCP3065DR2G 编号：C145186

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单片开关稳压器，旨在为高亮度LED供电提供恒定电流。具有235mV（标称值）的极低反馈电压，用于调节LED串的平均电流。具有高达40V的宽输入电压，可使用照明应用中常用的12Vac或12Vdc电源以及铅酸电池等非稳压电源。可通过添加外部晶体管配置为控制器拓扑，以支持超过内部晶体管额定开关电流1.5A的更高LED电流。可通过最少的外部组件配置为降压（Buck）和升压（Boost）拓扑。是一款为LED驱动应用优化的单片电源开关稳压器。其灵活的架构使系统设计人员能够直接使用最少的外部组件实现升压或降压拓扑来驱动LED。

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型号：NSV1C201MZ4T1G 编号：C86644

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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型号：DF02S 编号：C241723

封装：SDIP-4

品牌：onsemi(安森美)

随着不断提高电源效率、提高浪涌额定值、提高可靠性和减小尺寸的迫切需求，DFxS系列树立了性能标准。该设计提供了50A的浪涌额定值，这在提高可靠性和效率时非常重要。高效设计力求降低电路电阻，但这可能会导致浪涌电流增加，因此可能需要高浪涌电流额定值来维持或提高可靠性。该设计还通过在25℃下实现最大1.1V的1.5A正向压降（VF）来提高效率。较低的VF也有助于实现更凉爽、更高效的运行。最后，DFxS采用SDIP表面贴装形式，与竞争产品相比，减少了电路板空间和体积要求。

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型号：NZT902 编号：C184060

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些器件设计具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流连续可达 3A。

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型号：NVTFS6H880NTAG 编号：C604652

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：MJD2955T4G 编号：C150055

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

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型号：MC7912BTG 编号：C109403

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：MBRAF440T3G 编号：C480687

封装：SMA-FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于低电压、高频率整流，或者适合作为紧凑尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中的续流和极性保护二极管。

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型号：2SA2013-TD-E 编号：C604950

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SA2013 是一款双极晶体管，-50V，-4A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于 DC-DC 转换器应用。

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型号：NVTFS5116PLWFTAG 编号：C604637

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 3x3mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：MBRS3201T3G 编号：C236150

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150°C时VF < 0.59V。快速开关速度：反向恢复时间（tRR）< 35 ns。软恢复特性：软度因子（tb / ta）≥ 1。高温下高度稳定。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

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型号：KSC2073TU 编号：C274644

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

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型号：FDN5632N-F085 编号：C891117

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。低米勒电荷。 UIS能力。符合AEC Q101标准。应用：DC/DC转换器。电机驱动器

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型号：MC33074DTBR2G 编号：C231859

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

采用优质双极制造工艺和创新设计理念，该系列运算放大器提供4.5MHz的增益带宽积、13V/μs的压摆率和快速建立时间，无需使用JFET器件技术。虽然该系列可以采用双电源供电，但特别适合单电源操作，因为共模输入电压范围包括地电位(VEE)。该系列具有达林顿输入级，表现出高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级的特点是无死区交越失真和大输出电压摆幅，提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗和对称的源/灌交流频率响应

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型号：NCP360SNT1G 编号：C603707

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP360在检测到输入端错误VBUS工作条件时断开输出。系统可防止高达+20V的正向过电压。

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型号：MJD50T4G 编号：C233695

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为线路供电音频输出放大器、开关模式电源驱动器及其他开关应用而设计。

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型号：NCP1336BDR2G 编号：C457724

封装：SOIC-13

品牌：onsemi(安森美)

NCP1336 包含了一个高性能电路，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是发生的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。该控制器发挥了高电压启动电流源的优点，可提供快速无损耗通电序列。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的可调计时器依赖反馈电压来检测故障。在版本 B 上，此故障将在 VCC 引脚上触发一个三间歇，自然会降低转换器接收的平均输入功率。在版本 A 上，检测到故障时，控制器则会锁存关断。该控制器具有两个锁存输入，尤其适用于适配器应用：一个专门用于超温保护 (OTP)，提供了一个用于联接 NTC 等下拉温度传感器的简单方式，另一个更为传统，可用于执行准确的过电压保护。最后，还包含了一个欠电压引脚，可在发生低电源情况时停止电路运行。

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￥4.85
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￥1.96
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型号：MUR820G 编号：C90996

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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￥2.67
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￥2.5

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型号：FDD390N15A 编号：C903565

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench

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￥3.15
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型号：Fusb302mpx 编号：C442699

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302 是一个可编程的 USB Type-C 控制器，支持 PD 协议，可以配置为主机、设备或双角色端口。

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型号：NCP1399APDR2G 编号：C377543

封装：SOIC-16-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP1399 是一款用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。此控制器实施了 600 V 门极驱动器，简化了布局，减少了外部部件数量。内置的欠电压输入功能简化了该控制器在所有应用中的实施。在需要 PFC 前级的应用中，NCP1399 具有一个专门的输出来驱动 PFC 控制器。此功能结合专门的跳过模式技术进一步提高了整个应用的轻负载能效。NCP1399 提供了一套保护功能，可实现在任何应用中的安全运行。其中包括：过载保护、放置硬开关周期的过电流保护、欠电压检测、开路光耦合器检测、自动停滞时间调节、过电压 (OVP) 和高温 (OTP) 保护。

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型号：NCV4276CDTADJRKG 编号：C603938

封装：DPAK-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV4276C是一款输出电流为400 mA的集成低压差稳压器系列产品，专为恶劣的汽车环境设计。它具有较宽的工作温度和输入电压范围。该器件提供3.3 V、5.0 V和可调电压版本，输出电压精度可达2%。它具有高的峰值输入电压耐受性和反向输入电压保护功能。还具备过流保护、过温保护和输出电压状态控制抑制功能。NCV4276C系列采用DPAK和D²PAK表面贴装封装。在较宽的输出电容和ESR范围内，输出保持稳定。NCV4276C在输入电压瞬变期间具有改善的启动特性。NCV4276C与NCV4276B引脚兼容。

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型号：MOC3051SR2VM 编号：C184543

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M 和 MOC3052M 包含一个 GaAs 红外发光二极管，该二极管光学耦合至非过零硅双向交流开关（三端双向可控硅开关）。这些器件将来自 115 V

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