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封装：SOT-23

汽车用功率 MOSFET。此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型功率管理电路。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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型号：1N5820G 编号：C95400

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该系列采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：MOC3020SR2M 编号：C899781

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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型号：FDMS7670 编号：C891071

封装：Power-56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

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型号：MC7815CD2TR4G 编号：C35946

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作固定电压调节器，适用于包括本地板载调节在内的各种应用。这些调节器采用了内部电流限制、热关断和安全区补偿功能。在有足够散热措施的情况下，它们能够提供超过1A的输出电流

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型号：LM337BD2TR4G 编号：C154567

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端负电压调节器，能够在 -1.2V 至 -37V 的输出电压范围内提供超过 1.5A 的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部限流、热关断和安全区域补偿功能，基本上可防止损坏。适用于各种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

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型号：NCV4266-2CST50T3G 编号：C511968

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV4266−2C是一款输出电流为150 mA的集成式低压差、低静态电流稳压器系列产品，专为恶劣的汽车环境而设计。它具有较宽的工作温度和输入电压范围。该器件提供3.3 V和5.0 V的固定电压版本，输出电压精度可达±2%

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型号：MC7805ACD2TR4G 编号：C152460

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

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型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：FQT7N10LTF 编号：C154506

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：ESD8708MUTAG 编号：C890632

封装：UDFN-14(1.5x5.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8708专为保护四对高速差分线而设计。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速线路的恒定阻抗至关重要。

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型号：QRE1113GR 编号：C232862

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

QRE1113 由在塑料矩形盒体中与兼容硅光电晶体管并排封装的 940nm 发射极组成。采用表面贴装和通孔选项。

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型号：MC33074DTBR2G 编号：C231859

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

采用优质双极制造工艺和创新设计理念，该系列运算放大器提供4.5MHz的增益带宽积、13V/μs的压摆率和快速建立时间，无需使用JFET器件技术。虽然该系列可以采用双电源供电，但特别适合单电源操作，因为共模输入电压范围包括地电位(VEE)。该系列具有达林顿输入级，表现出高输入电阻、低输入失调电压和高增益。全NPN输出级的特点是无死区交越失真和大输出电压摆幅，提供高电容驱动能力、出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗和对称的源/灌交流频率响应

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型号：MC33174DTBR2G 编号：C903942

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33171/72/74、NCV33172/74 系列单片运算放大器采用了优质双极工艺制造和创新设计理念。这些器件每个放大器的工作电流为 180 μA，在不使用 JFET 器件技术的情况下，可提供 1.8 MHz 的增益带宽积和 2.1 V/μs 的压摆率。尽管该系列可以采用双电源供电，但它特别适合单电源工作，因为共模输入电压包含地电位（VEE）

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型号：NCV4264-2ST50T3G 编号：C73115

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV4264−2在功能和引脚方面与NCV4264兼容，且静态电流消耗更低。其输出级可提供100 mA电流，输出电压精度为±2.0%。在100 mA负载电流下，最大压降为500 mV

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型号：MJD50T4G 编号：C233695

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为线路供电音频输出放大器、开关模式电源驱动器及其他开关应用而设计。

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型号：BD13916STU 编号：C900678

封装：TO-126-3

品牌：onsemi(安森美)

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型号：MUR860G 编号：C50428

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：NCP1336BDR2G 编号：C457724

封装：SOIC-13

品牌：onsemi(安森美)

NCP1336 包含了一个高性能电路，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是发生的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。该控制器发挥了高电压启动电流源的优点，可提供快速无损耗通电序列。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的可调计时器依赖反馈电压来检测故障。在版本 B 上，此故障将在 VCC 引脚上触发一个三间歇，自然会降低转换器接收的平均输入功率。在版本 A 上，检测到故障时，控制器则会锁存关断。该控制器具有两个锁存输入，尤其适用于适配器应用：一个专门用于超温保护 (OTP)，提供了一个用于联接 NTC 等下拉温度传感器的简单方式，另一个更为传统，可用于执行准确的过电压保护。最后，还包含了一个欠电压引脚，可在发生低电源情况时停止电路运行。

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型号：NLSX4378ABFCT1G 编号：C604195

封装：UBUMP-12

品牌：onsemi(安森美)

NLSX4378A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器，无需方向控制引脚。VCC I/O和VL I/O端口分别设计用于跟踪两个不同的电源轨VCC和VL。VCC和VL电源轨可在1.65 V至5.5 V范围内进行配置

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型号：MUR820G 编号：C90996

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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型号：MOC3063SR2M 编号：C13411

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：UC3843BNG 编号：C5290

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC - DC转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案

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型号：FDD8444 编号：C10869

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FDD7N20TM 编号：C241784

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：BD681G 编号：C38376

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。

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型号：FAN3225TMPX 编号：C890697

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：HCPL0600R2 编号：C500389

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX 光耦合器包含一个 AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合（单沟道器件）。此类器件采用紧凑型小型封装。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。HCPL0600、HCPL0601 和 HCPL0611 输出由双极工艺上的双极晶体管组成，而 HCPL0637、HCPL0638 和 HCPL0639 输出则由 CMOS 工艺上的双极晶体管组成，用于降低功耗。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制。

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