安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJE13007G 编号：C897088

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

MJE/MJF13007 针对下降时间至关重要的高电压、高速电源开关直感电路而设计。此类器件适用于开关稳压器、逆变器、电机控制、电磁阀/继电器驱动器和反射电路等 115 和 220 V 开关模式应用。

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型号：FDD3682 编号：C258218

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 100V 32A

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型号：RHRP8120-F102 编号：C898828

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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型号：FDS3672 编号：C274238

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，7.5A，22mΩ

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型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

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型号：FDB28N30TM 编号：C241751

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：MURB1620CTT4G 编号：C236158

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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型号：CAV25256VE-GT3 编号：C605356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持64字节页写缓冲区和SPI协议。具有硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。适合高可靠性应用。

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型号：FQB12P20TM 编号：C898636

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NTD360N80S3Z 编号：C887706

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力

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型号：FQB22P10TM 编号：C108357

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：FFA60UP30DNTU 编号：C11758

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

FFA60UP30DN 是具备低正向压降和强健 UIS 能力的超快速二极管。该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流和箝位二极管。特别适合用于开关电源与焊接器和 UPS 等工业应用。

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型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

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型号：NVMFS5113PLWFT1G 编号：C604583

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准

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型号：FCMT099N65S3 编号：C348533

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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型号：MBR40250G 编号：C150246

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

250 V，40 A 肖特基功率整流器最大程度减少了 EMI 滤波需求，降低了开关损耗，具有软恢复，无逆向恢复振荡。

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￥8.03

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.7
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￥10.7

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型号：NJW21194G 编号：C150233

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术，专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。

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￥23.36
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￥17.8
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型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

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￥15.38
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￥14.95

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型号：FQA9N90C-F109 编号：C2711

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

N沟道,900V,9A,1.4Ω@10V

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1+
￥30.04
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￥26.29
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￥20.05
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￥16.75
1200+
￥16.28

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型号：NCN5121MNTWG 编号：C891972

封装：QFN-40-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

适用于KNX双绞线网络的收发器IC，支持楼宇网络中的执行器、传感器、微控制器、开关等应用。

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1+
￥33.24
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￥28.41
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￥25.54
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￥22.64

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型号：MJ15025G 编号：C2728

封装：TO-204

品牌：onsemi(安森美)

功率晶体管，适用于高功率音频、磁盘磁头定位器和其他线性应用。

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￥36.06
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￥30.98
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￥25.11
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￥22.52

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型号：NTHL080N120SC1 编号：C898280

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型RDS(on) = 80 mΩ。超低栅极电荷（典型QG(tot) = 56 nC）。低有效输出电容（典型Cₒₛₛ = 80 pF）。 100% UIL测试。该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅。应用：UPS。 DC-DC转换器

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￥36.2886 ￥58.53
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￥29.146 ￥56.05
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￥22.9026 ￥54.53
90+
￥22.3692 ￥53.26

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型号：KA5L0380RYDTU 编号：C42305

封装：TO-220F-4

品牌：onsemi(安森美)

专为离线式开关电源设计，只需极少的外部元件。由高压功率感应场效应管和电流模式PWM集成电路组成。集成了固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐、优化的栅极导通/关断驱动器、热关断保护、过压保护以及用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精密电流源。与分立MOSFET和PWM控制器或RCC解决方案相比，可减少元件总数、设计尺寸和重量，同时提高效率、生产率和系统可靠性。适用于反激式转换器或正激式转换器的高性价比设计。

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1+
￥36.33
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￥31.09
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￥26.76
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￥24.08

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型号：NTH4L070N120M3S 编号：C19673850

封装：TO-247-4L

品牌：onsemi(安森美)

特性：典型导通电阻 RDS(on) = 65 mΩ（VGS = 18 V）。超低栅极电荷（QG(tot) = 57 nC）。低电容高速开关（Coss = 57 pF）。 100%雪崩测试。该器件无卤，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连无铅。应用：太阳能逆变器。电动汽车充电站

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￥37.46
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￥31.04
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￥28.61
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￥27.5
900+
￥26.99

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型号：FGY160T65SPD-F085 编号：C462113

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥46.52
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￥40.52
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￥36.87
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￥33.8

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型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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￥184.94
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