安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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1个独立式耐压:5.6V 电流:10uA@4V

型号：SZMMSZ4690ET1G 编号：C464273

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：-1.8V至43V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。峰值功率：225W（8×20μs）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.6204
50+
￥0.5364
150+
￥0.5004
500+
￥0.4555
3000+
￥0.4355
6000+
￥0.4235

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:1.37A

型号：NTS4101PT1G 编号：C68182

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

P 沟道,-20V,-1.37A,-83mΩ@-4.5V

数据手册

5+
￥0.6273
50+
￥0.5215
150+
￥0.4686
500+
￥0.429

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.05uA@10.5V

型号：SZMMSZ15T1G 编号：C462966

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了便利的替代方案。

数据手册

5+
￥0.6423
50+
￥0.5555
150+
￥0.5182
500+
￥0.4718
3000+
￥0.4511

有货

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4V@10nA

型号：MMBF4391LT1G 编号：C153770

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准

数据手册

5+
￥0.7378
50+
￥0.5938
150+
￥0.5218
500+
￥0.4678
3000+
￥0.4117
6000+
￥0.39

有货

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1.8V 300mA 5.5V

型号：NCP114AMX180TBG 编号：C457784

封装：UDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR

数据手册

5+
￥0.76
50+
￥0.6054
150+
￥0.5281
500+
￥0.4702
3000+
￥0.4238
6000+
￥0.4006

有货

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独立式耐压:36V 电流:0.5uA@27.4V

型号：1SMA5938BT3G 编号：C238873

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.8103
50+
￥0.6605
150+
￥0.5856
500+
￥0.5294
2500+
￥0.4844
5000+
￥0.462

有货

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耐压:3.3V 电流:25uA

型号：SZMMSZ5226BT1G 编号：C231291

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

5+
￥0.885
50+
￥0.7141
150+
￥0.6287
500+
￥0.5646

有货

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独立式耐压:11V 电流:1uA@8.4V

型号：1SMB5926BT3G 编号：C189653

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥0.907
50+
￥0.7199
150+
￥0.6263
500+
￥0.5561
2500+
￥0.4999
5000+
￥0.4719

有货

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NPN 电流:5A 电压:20V

型号：KSD5041RTA 编号：C900974

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

NPN外延硅晶体管

数据手册

1+
￥0.9102 ￥2.22
10+
￥0.6076 ￥1.96
30+
￥0.3885 ￥1.85
100+
￥0.3591 ￥1.71
500+
￥0.3444 ￥1.64
1000+
￥0.3381 ￥1.61

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:2.2A

型号：FDN337N 编号：C241805

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥0.9242
50+
￥0.7418
150+
￥0.6506
500+
￥0.5821
3000+
￥0.5274
6000+
￥0.5

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：1N5819RLG 编号：C88393

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥0.975
50+
￥0.7592
150+
￥0.6667
500+
￥0.5513
2500+
￥0.4999
5000+
￥0.469

有货

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单向ESD 3.3V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

型号：ESD8351XV2T1G 编号：C233437

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD8351系列静电放电（ESD）保护二极管旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。

数据手册

1+
￥0.9817
10+
￥0.7733
30+
￥0.684
100+
￥0.5726
500+
￥0.523
1000+
￥0.4932

有货

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独立式耐压:91V 电流:1uA@69.2V

型号：1SMB5948BT3G 编号：C152495

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0215
50+
￥0.7959
150+
￥0.6992
500+
￥0.5785
2500+
￥0.5248
5000+
￥0.4925

有货

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四2输入与非施密特触发器

型号：MC14093BDR2G 编号：C36616

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14093B施密特触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件，以单块结构制成。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合

数据手册

5+
￥1.2056
50+
￥0.9652
150+
￥0.8622
500+
￥0.7022
2500+
￥0.645
5000+
￥0.6106

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:860mA

型号：NTZS3151PT1G 编号：C236118

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 20 V P 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.2288
50+
￥0.8973
150+
￥0.7552
500+
￥0.5779
2500+
￥0.499
4000+
￥0.4516

有货

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独立式耐压:7.5V 电流:5uA@6V

型号：1SMB5922BT3G 编号：C50528

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2583
50+
￥1.0162
150+
￥0.9124
500+
￥0.783
2500+
￥0.6255
5000+
￥0.5909

有货

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二输入同相多路复用器

型号：NC7SV157P6X 编号：C184123

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于需要极高速度、高驱动和低功耗的应用。产品设计用于较宽的低电压工作范围（0.9V至3.6V Vcc），适用于比TinyLogic ULP系列需要更多驱动和速度，但仍具备一流低功耗运行的应用。专为优化功率和速度而设计，采用先进的CMOS技术制造，可实现高速运行，同时保持低CMOS功耗。

数据手册

5+
￥1.2764
50+
￥1.0258
150+
￥0.9183
500+
￥0.7843

有货

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单通道、集电极开路、低功耗、宽电源范围比较器

型号：TL331SN4T3G 编号：C604824

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

TL331是一款集电极开路的低功耗比较器，专为在宽电源电压范围内工作而设计，单电源供电范围为2 V至36 V，双电源供电范围为±1 V至±18 V。即使采用单电源供电，其输入共模电压范围也包含地电位。TL331采用节省空间的TSOP - 5封装，也有符合汽车应用标准的版本。

数据手册

5+
￥1.2906
50+
￥1.0871
150+
￥0.99 ￥1
500+
￥0.882288 ￥0.8912
3000+
￥0.664389 ￥0.6711
6000+
￥0.63558 ￥0.642

有货

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双向ESD 3V截止峰值脉冲电流：4.8A@8/20us

型号：NZL5V6AXV3T1G 编号：C233485

封装：SC-89-3

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式硅ESD保护二极管适用于对电压和ESD敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.3324
50+
￥1.0748
150+
￥0.9644
500+
￥0.8267

有货

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1.2V 300mA 5.5V

型号：NCP130AMX120TCG 编号：C892096

封装：XDFN-6-EP(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP130是一款300 mA的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS传输晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件可提供非常稳定、精确的输出电压，且噪声低，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP130具有低静态电流（IQ）消耗的特点

数据手册

1+
￥1.3432 ￥1.84
10+
￥1.0017 ￥1.59
30+
￥0.7897 ￥1.49
100+
￥0.7155 ￥1.35
500+
￥0.689 ￥1.3
1000+
￥0.6678 ￥1.26

有货

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LM2904DMR2G

型号：LM2904DMR2G 编号：C98714

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

5+
￥1.3632
50+
￥1.078
150+
￥0.9558
500+
￥0.8033
2500+
￥0.6474
4000+
￥0.6066

有货

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独立式耐压:75V 电流:1uA@56V

型号：1SMB5946BT3G 编号：C238938

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4396
50+
￥1.1485
150+
￥1.0237
500+
￥0.8681

有货

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3.3V 800mA 20V

型号：MC33269DTRK-3.3G 编号：C179576

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout、中等电流、固定和可调的正电压稳压器，专为低输入电压应用而设计。该稳压器由一个 1.0 V dropout 复合 PNP-NPN 传输晶体管、电流限制和热关断组成，能为电路设计人员提供精确电压调节的经济解决方案，同时将功率损耗降至最低。

数据手册

5+
￥1.4506
50+
￥1.1501
150+
￥0.9072
500+
￥0.7465
2500+
￥0.675
5000+
￥0.632

有货

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50V 2A

型号：MURA105T3G 编号：C895504

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.5503
50+
￥1.2278
150+
￥1.0895
500+
￥0.8589
2500+
￥0.7821
5000+
￥0.736

有货

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MC14050BDR2G

型号：MC14050BDR2G 编号：C233573

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单个单片结构中构建而成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可实现逻辑电平转换。输入信号高电平(VIH)可以超过VDD电源电压以进行逻辑电平转换。当这些器件用作CMOS到TTL/DTL转换器时，可以驱动两个TTL/DTL负载(VDD = 5.0V，VOL ≤ 0.4V，IOL ≥ 3.2mA)。

数据手册

5+
￥1.5602
50+
￥1.2379
150+
￥1.0998
500+
￥0.823
2500+
￥0.7462
5000+
￥0.7002

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817D3SD 编号：C365734

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.5928
50+
￥1.2667
150+
￥1.1269
1000+
￥0.9525
2000+
￥0.8749
5000+
￥0.8283

有货

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3.3V 500mA 5.5V

型号：CAT6219-330TDGT3 编号：C255621

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT6219是一款500 mA的CMOS低压差稳压器，在负载电流和线电压变化时能提供快速响应时间。快速启动功能允许使用外部旁路电容来降低整体输出噪声，且不会影响仅150 μs的开启时间。

数据手册

5+
￥1.5936
50+
￥1.2546
150+
￥1.1094
500+
￥0.9281

有货

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PNP 电流:500mA 电压:300V

型号：PZTA92T1G 编号：C152480

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此高压 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-223 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.6409
50+
￥1.2503
150+
￥1.0829
1000+
￥0.8741
2000+
￥0.7811

有货

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3.3V 150mA 5.5V

型号：NCP170AMX330TCG 编号：C260426

封装：DFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

超低Iq

数据手册

5+
￥1.6417
50+
￥1.3341
150+
￥1.2023
500+
￥1.0379
3000+
￥0.9646
6000+
￥0.9207

有货

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ESD 5.5V截止峰值浪涌电流：12A@8/20us

型号：NUP4114UCLW1T2G 编号：C894112

封装：SC-88-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD 保护器可为高速数据线提供针对 ESD 的保护。超低电容和高水平 ESD 保护使得此器件适用于 USB 2.0 高速应用，以及 HDMI 和 DVI 应用。

数据手册

5+
￥1.7433
50+
￥1.3522
150+
￥1.1846
500+
￥0.9754

有货

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