安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

六缓冲器

型号：MC14050BDR2G 编号：C233573

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单个单片结构中构建而成。这些互补MOS器件主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。这些器件仅使用一个电源电压VDD即可实现逻辑电平转换。输入信号高电平(VIH)可以超过VDD电源电压以进行逻辑电平转换。当这些器件用作CMOS到TTL/DTL转换器时，可以驱动两个TTL/DTL负载(VDD = 5.0V，VOL ≤ 0.4V，IOL ≥ 3.2mA)。

数据手册

5+
￥1.8493
50+
￥1.4617
150+
￥1.2957
500+
￥0.9627
2500+
￥0.8705
5000+
￥0.8151

有货

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六路反相器

型号：MC74ACT14DR2G 编号：C7316

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

包含六个逻辑反相器，可接受标准CMOS输入信号（对于MC74AC14为TTL电平），并提供标准CMOS输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，它们比传统反相器具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。

数据手册

5+
￥1.8983
50+
￥1.4675
150+
￥1.2829
500+
￥1.0526
2500+
￥0.95
5000+
￥0.8884

有货

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10V~36V

型号：UC3844BD1R2G 编号：C7117

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准源、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器，以及一个触发器，该触发器每隔一个振荡周期将输出关断，允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级设有单独的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5V（开启）和7.6V（关断）。

数据手册

5+
￥2.1293
50+
￥1.6991
150+
￥1.5147
500+
￥1.0688
2500+
￥0.9663
5000+
￥0.9049

有货

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64 Kb I2C 接口，CMOS 串行 EEPROM

型号：CAT24C64WI-GT3 编号：C13645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.142
50+
￥1.6927
150+
￥1.5001
500+
￥1.2598
3000+
￥1.1528
6000+
￥1.0886

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:5uA@1V

型号：1N5337BRLG 编号：C9705

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.1518
50+
￥1.7266
150+
￥1.5444
500+
￥1.3171
2500+
￥1.2159
4000+
￥1.1551

有货

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7.6V~30V

型号：UC3843BVD1R2G 编号：C231572

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，包括输入和参考欠压锁定且全部带有迟滞、按周期电流限制、可编程输出停滞时间和用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX843B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

数据手册

5+
￥2.3457
50+
￥1.7802
150+
￥1.5379
500+
￥1.2355
2500+
￥1.1008
5000+
￥1.02

有货

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64 Kb I2C CM0S 串行 EEPROM

型号：CAT24C64YI-GT3 编号：C238979

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥2.3559
50+
￥1.8872
150+
￥1.6863
500+
￥1.3229
3000+
￥1.2113
6000+
￥1.1444

有货

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单电源、高转换速率、低输入失调电压运算放大器

型号：MC33272ADR2G 编号：C54559

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

高带宽高内阻,低偏置,超宽供电电压，电力，汽车，工业，仪表用。

数据手册

1+
￥2.42
10+
￥1.91
30+
￥1.69
100+
￥1.41
500+
￥1.17
1000+
￥1.1

有货

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继电器驱动器 24V

型号：SZNUD3124LT1G 编号：C233433

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.21
30+
￥1.95
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCS20074DR2G 编号：C89844

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

数据手册

1+
￥3.22
10+
￥2.56
30+
￥2.23
100+
￥1.9
500+
￥1.71
1000+
￥1.61

有货

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NPN 100V 2A

型号：MJD112T4G 编号：C233690

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

专为通用电源和开关应用而设计，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出级或驱动级。

数据手册

1+
￥3.24
10+
￥2.52
30+
￥2.22
100+
￥1.83
500+
￥1.66
1000+
￥1.56

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:12A

型号：NTD2955T4G 编号：C10663

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.51
100+
￥1.75
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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低压比较器

型号：NCS2220AMUT1G 编号：C464059

封装：UDFN-8-EP(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NCS2220A是业界首款亚1V的低功耗比较器。该器件专为轨到轨输入和输出性能而设计，功耗仅为7。

数据手册

1+
￥3.52
10+
￥2.81
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3041M 编号：C8921

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3
50+
￥2.48
100+
￥2.12
500+
￥1.9
1000+
￥1.79

有货

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2/4/8/16 Kb I2C串口EEPROM

型号：CAT24C16HU4I-GT3 编号：C464144

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C16 是一款 EEPROM 串行 16-Kb I2C 器件，内部组织为 128 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多一个 CAT24C16 器件的寻址。

数据手册

1+
￥3.77
10+
￥3.03
30+
￥2.71
100+
￥2.32
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

有货

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ESD 5V截止峰值浪涌电流：28A@8/20us

型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

1+
￥4.22
10+
￥3.56
30+
￥3.24
100+
￥2.91
500+
￥2.31
1000+
￥2.21

有货

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9V~28V

型号：NCP1380BDR2G 编号：C15428

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1380 是一款高性能器件，旨在为准谐振转换器供电。该控制器基于专属的谷锁闭系统，可以在功率负载变轻时进行切换并降低开关频率。这样将产生稳定的运行，即使在漏极-源极谷中总是触发的开关事件下也是如此。此系统可在低至第 4 个谷的条件下运行，并在之后切换到变频模式，确保卓越的待机功率性能。为了提高过载条件下的安全性，该控制器包括了过功率保护 (OPP) 电路，可对高电平线路处提供的电源进行箝制。具有安全功能的固定内部计时器依赖反馈电压来检测故障。一旦计时器到期，控制器则停止并保持选项 A 和 C 的锁存状态，或者进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。该控制器尤其适用于适配器应用，有一个引脚来实施过电压/高温组合保护（版本 A 和 B）或欠电压/过电压组合保护（版本 C 和 D）。

数据手册

1+
￥4.35
10+
￥3.66
30+
￥3.31
100+
￥2.96
500+
￥2.46
1000+
￥2.35

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：NTF3055L108T1G 编号：C152278

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.3
1000+
￥2.17

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:20A

型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.34
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

有货

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带三态输出的8位双电源电平转换收发器

型号：74LVX4245MTCX 编号：C61186

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

是一款双电源、8位转换收发器，设计用于在3V/5V混合电源环境中的5V总线和3V总线之间进行接口。发送/接收（T/R）输入决定数据流方向。发送（高电平有效）使数据从A端口流向B端口；接收（低电平有效）使数据从B端口流向A端口。输出使能输入为高电平时，通过将A和B端口置于高阻抗状态来禁用它们。A端口与5V总线接口；B端口与3V总线接口。适用于混合电压应用，如使用3.3V CPU和5V LCD显示器的笔记本电脑。

数据手册

1+
￥5.35
10+
￥4.32
30+
￥3.81
100+
￥3.3
500+
￥2.68
1000+
￥2.52

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:60A

型号：FDMS86101 编号：C102622

封装：Power56-8

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

数据手册

1+
￥7.3
10+
￥6.04
30+
￥5.35
100+
￥4.57
500+
￥3.91
1000+
￥3.75

有货

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430V 21A

型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

数据手册

1+
￥8.43
10+
￥7.03
30+
￥6.26
100+
￥5.39
500+
￥5
1000+
￥4.83

有货

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300mJ、400V，N沟道点火IGBT

型号：ISL9V3040D3ST-F085C 编号：C603080

封装：DPAK(TO-252)

品牌：onsemi(安森美)

特性：SCIS能量：在TJ = 25℃时为300 mJ。逻辑电平栅极驱动。通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：汽车点火线圈驱动电路。大电流点火系统

数据手册

1+
￥9.58
10+
￥8.02
30+
￥7.16
100+
￥6.18
500+
￥5.75
1000+
￥5.55

有货

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单线CAN收发器

型号：NCV7356D1R2G 编号：C235992

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7356是一款单线数据链路物理层设备，支持多种载波侦听多路访问/冲突解决 (CSMA/CR) 协议。

数据手册

1+
￥10.28
10+
￥8.62
30+
￥7.58
100+
￥6.52
500+
￥6.04
1000+
￥5.83

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:59A

型号：FDA59N30 编号：C140696

封装：TO-3PN

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

数据手册

1+
￥13.25
10+
￥11.11
30+
￥9.78
90+
￥8.41
450+
￥7.79
900+
￥7.52

有货

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耐压:1.2kV 电流:75A 反向恢复时间：100ns

型号：RHRG75120 编号：C11773

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG75120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

数据手册

1+
￥16.31
10+
￥14.14
30+
￥12.01
90+
￥10.62
450+
￥9.99
900+
￥9.72

有货

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THB6128-TLM-H

型号：THB6128-TLM-H 编号：C5337018

封装：MFP30KR

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥27.66
10+
￥23.95
30+
￥21.74
100+
￥18.92
500+
￥17.89

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:310mA

型号：2N7002ET1G 编号：C71533

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道 MOSFET，小信号，60V，310mA，2.5 Ω 沟槽，N 沟道， SOT23

数据手册

20+
￥0.2052
200+
￥0.1593
600+
￥0.1338
3000+
￥0.1106
9000+
￥0.0973
21000+
￥0.0901

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:5uA@1V

型号：BZX84C3V6LT1G 编号：C94413

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2152
200+
￥0.1688
600+
￥0.143
3000+
￥0.1276
9000+
￥0.1142
21000+
￥0.107

有货

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独立式耐压:10V 电流:3uA@8V

型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

数据手册

20+
￥0.2166
200+
￥0.1675
600+
￥0.1402
3000+
￥0.1238
9000+
￥0.1096
21000+
￥0.102

有货

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