安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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符合条件商品：共89455件

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关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

双路施密特触发反相器

型号：NC7WZ14P6X 编号：C50793

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

超高速：在 VCC 为 5V 时，接入 50pF 负载，传输延迟（tPD）典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力：VCC 为 3V 时，输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围：1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时，性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能，便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰（EMI） - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻态

数据手册

10+
￥0.338
100+
￥0.2648
300+
￥0.2281
3000+
￥0.1962
6000+
￥0.1743
9000+
￥0.1633

有货

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双缓冲器（开漏输出）

型号：NC7WZ07P6X 编号：C95342

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

缓冲器，可以用作3.3V与5V电平高速转换用

数据手册

10+
￥0.3746
100+
￥0.2927
300+
￥0.2517
3000+
￥0.221
6000+
￥0.1964
9000+
￥0.1842

有货

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独立式耐压:15V 电流:0.05uA@10.5V

型号：MM3Z15VT1G 编号：C603316

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

10+
￥0.3824
100+
￥0.3066
300+
￥0.2687
3000+
￥0.2297
6000+
￥0.207
9000+
￥0.1956

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：MBR0540T3G 编号：C236080

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装提供了无引线 34 MELF 样式封装的替代方式。

数据手册

10+
￥0.4068
100+
￥0.3279
300+
￥0.2885
1000+
￥0.2377
5000+
￥0.2141
10000+
￥0.2022

有货

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单路反相器

型号：NC7SZ04P5X 编号：C27437

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

数据手册

10+
￥0.428
100+
￥0.3116
300+
￥0.2675
3000+
￥0.2345
6000+
￥0.208
9000+
￥0.1948

有货

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3.3V 300mA 5.5V

型号：NCP114BSN330T1G 编号：C327507

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP114是一款300 mA的低压差稳压器（LDO），可为工程师提供极其稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为优化电池供电的便携式应用的性能，NCP114采用动态静态电流调整技术，在空载时可实现极低的静态电流（IQ）消耗。

数据手册

10+
￥0.4428
100+
￥0.3511
300+
￥0.3052
3000+
￥0.244
6000+
￥0.2164
9000+
￥0.2027

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：MBRA140T3G 编号：C54798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.7147
50+
￥0.5635
150+
￥0.4879
500+
￥0.4114
2500+
￥0.3661
5000+
￥0.3434

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:1.13A

型号：NTR4502PT1G 编号：C12325

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.7348
50+
￥0.5838
150+
￥0.5083
500+
￥0.4517
3000+
￥0.3562
6000+
￥0.3335

有货

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独立式耐压:16V 电流:0.5uA@12.2V

型号：1SMA5930BT3G 编号：C128848

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.7366
50+
￥0.598
150+
￥0.5288
500+
￥0.4768
2500+
￥0.4353
5000+
￥0.4145

有货

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1个N沟道耐压:50V 电流:0.21A

型号：BSS138W 编号：C890266

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

5+
￥0.7872
50+
￥0.6159
150+
￥0.5303
500+
￥0.4661
3000+
￥0.4147
6000+
￥0.389

有货

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N 沟道开关耐压:35V 电流:2mA

型号：MMBFJ113 编号：C891686

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件适用于低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波器稳定放大器。源自 Process 51。

数据手册

5+
￥0.8252
50+
￥0.6712
150+
￥0.5943
500+
￥0.5366
3000+
￥0.4175
6000+
￥0.3944

有货

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电压:30V 电流:1A

型号：MBR130LSFT1G 编号：C235756

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。

数据手册

5+
￥0.8563
50+
￥0.6773
150+
￥0.5878
500+
￥0.5207
3000+
￥0.4222
6000+
￥0.3953

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:2.9A

型号：NVGS5120PT1G 编号：C604548

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥0.8784 ￥4.88
10+
￥0.7884 ￥4.38
30+
￥0.738 ￥4.1
100+
￥0.6804 ￥3.78
500+
￥0.6552 ￥3.64
1000+
￥0.6444 ￥3.58

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:540mA

型号：NTZD3155CT1G 编号：C236117

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

特性：领先的沟槽技术，实现低导通电阻（RDS(on)）性能。高效的系统性能。低阈值电压。静电放电（ESD）保护栅极。小尺寸封装，尺寸为 1.6×1.6mm。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换电路。带电平转换的负载/电源开关

数据手册

5+
￥0.9259
50+
￥0.7317
150+
￥0.6346
500+
￥0.5618
2500+
￥0.5035
4000+
￥0.4744

有货

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独立式耐压:12V 电流:1uA

型号：1SMB5927BT3G 编号：C53171

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9522
50+
￥0.7472
150+
￥0.6594
500+
￥0.5498
2500+
￥0.4791
5000+
￥0.4498

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:5uA@4V

型号：1SMB5920BT3G 编号：C50527

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9914
50+
￥0.8034
150+
￥0.7094
500+
￥0.6389
2500+
￥0.4851
5000+
￥0.4569

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:2.5uA@1.5V

型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0331
50+
￥0.8187
150+
￥0.7115
500+
￥0.6311
2500+
￥0.5569
5000+
￥0.5248

有货

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独立式耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：1SMB5915BT3G 编号：C152473

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0653
50+
￥0.8531
150+
￥0.7621
500+
￥0.5947
2500+
￥0.5441
5000+
￥0.5138

有货

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独立式耐压:120V 电流:1uA@91.2V

型号：1SMB5951BT3G 编号：C152508

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1055
50+
￥0.8618
150+
￥0.7573
500+
￥0.627
2500+
￥0.569
5000+
￥0.5342

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:5uA

型号：1SMB5917BT3G 编号：C89739

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1336
50+
￥0.9039
150+
￥0.8055
500+
￥0.6827
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5514

有货

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耐压:100V 电流:2A 反向恢复时间：30ns

型号：MURA210T3G 编号：C146738

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

该超快功率整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1433
50+
￥0.9111
150+
￥0.8116
500+
￥0.6874
2500+
￥0.6322
5000+
￥0.599

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS140T3G 编号：C21243

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.1943
50+
￥0.9448
150+
￥0.8379
500+
￥0.7045
2500+
￥0.5604
5000+
￥0.5247

有货

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四路三态同相缓冲器

型号：MC74HC126ADR2G 编号：C233530

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC125A 和 MC74HC126A 与 LS125 和 LS126 的引脚输出相同。该器件输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。 HC125A 和 HC126A 非反相缓冲器适用于 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和其他总线导向系统。此类器件具有四个单独的输出启用，为有效低电平 (HC125A) 或有效高电平 (HC126A)。

数据手册

5+
￥1.1944
50+
￥1.0454
150+
￥0.9815
500+
￥0.9017
2500+
￥0.7739
5000+
￥0.7526

有货

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NPN 电流:300mA 电压:400V

型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

数据手册

5+
￥1.209592 ￥1.2868
50+
￥0.949212 ￥1.0098
150+
￥0.837634 ￥0.8911
1000+
￥0.64672 ￥0.688
2000+
￥0.584774 ￥0.6221
5000+
￥0.54755 ￥0.5825

有货

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B后缀系列CMOS门电路

型号：MC14011BDR2G 编号：C7278

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

B系列逻辑门采用P沟道和N沟道增强型器件构建在单一的单片结构中（互补金属氧化物半导体，即CMOS）。它们主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的场合。

数据手册

5+
￥1.2985
50+
￥1.023
150+
￥0.9049
500+
￥0.7575
2500+
￥0.6919
5000+
￥0.6526

有货

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六路施密特触发反相器

型号：MC14584BDR2G 编号：C53571

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC14584B 六路施密特触发器是使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件，在一个单片结构中构建的。这些器件主要用于需要低功耗和/或高抗扰度的场合。MC14584B 可用来代替 MC14069UB 六路逆变器，以增强抗扰度，适应缓慢变化的波形。

数据手册

5+
￥1.3065
50+
￥1.0692
150+
￥0.9674
500+
￥0.5944
2500+
￥0.5379
5000+
￥0.504

有货

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电压:80V 电流:1A

型号：SS18 编号：C719830

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

5+
￥1.357
50+
￥1.0546
150+
￥0.925
500+
￥0.7633
2500+
￥0.6913
7500+
￥0.648

有货

立即购买

电压:60V 电流:3A

型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

数据手册

5+
￥1.6161
50+
￥1.2761
150+
￥1.1304
500+
￥0.8851
2500+
￥0.8042
5000+
￥0.7556

有货

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耐压:600V 电流:3A 反向恢复时间：75ns

型号：MURS360BT3G 编号：C150048

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.6651
50+
￥1.3171
150+
￥1.168
500+
￥0.982
2500+
￥0.7885
5000+
￥0.7388

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817A3SD 编号：C128788

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.6719
50+
￥1.3298
150+
￥1.1832
1000+
￥0.8498
2000+
￥0.7683
5000+
￥0.7195

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

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一站式采购元器件

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