安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：FDMS86163P 编号：C469176

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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1+
￥7.55
10+
￥6.29
30+
￥5.6
100+
￥4.24
500+
￥3.89
1000+
￥3.73

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型号：ISL9V3040D3ST 编号：C462128

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 是下一代点火 IGBT，它们在节省空间的 D-Pak (TO-252)、工业标准 D

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1+
￥7.89
10+
￥6.49
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￥5.72
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￥4.85
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￥4.46
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￥4.29

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型号：CAT823STDI-GT3 编号：C91362

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

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1+
￥13.87
10+
￥12.22
30+
￥11.18
100+
￥10.12
500+
￥9.56
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￥9.35

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型号：RHRG30120 编号：C11753

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG30120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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1+
￥17.14
10+
￥14.97
30+
￥11.65
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￥10.26
450+
￥9.64
900+
￥9.36

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型号：FGH40N60SFDTU 编号：C49514

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

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1+
￥19.24
10+
￥16.65
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￥14.35
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￥12.69
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￥11.94
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￥11.61

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型号：FNA41560T2 编号：C411214

封装：SPM-AB-C26

品牌：onsemi(安森美)

FNA41560T2 是一款用于电机控制的电源模块，为交流直感、BLDC 和 PMSM 电机提供全功能、高性能的逆变器输出级。此类模块集成了内置 IGBT 的优化门极驱动，可最大程度减少 EMI 和损耗，同时还提供多个模块上保护功能，包括欠压锁定、过电流关断、驱动集成电路的高温监控和故障报告。内置的高速 HVIC 仅需一个电源电压，会将传入的逻辑电平门极输入转换为正确驱动模块内部 IGBT 所需的高电压、高电流驱动信号。每个相位都有单独的负 IGBT 端子，可支持最广泛的控制算法。

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1+
￥59.09
10+
￥57.47

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型号：1N4148 编号：C258182

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高电导快速二极管

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50+
￥0.1403
500+
￥0.0921
1500+
￥0.0771
5000+
￥0.0681

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型号：SMMBT3904LT1G 编号：C84555

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1764
200+
￥0.1397
600+
￥0.1193
3000+
￥0.1014
9000+
￥0.0908
21000+
￥0.085

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型号：MMBT2222ATT1G 编号：C94417

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-416/SC-75封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

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20+
￥0.1868
200+
￥0.1452
600+
￥0.1221
3000+
￥0.1009
9000+
￥0.0889
21000+
￥0.0824

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型号：MMSD914T1G 编号：C91072

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：SOD-123表面贴装封装。高击穿电压。快速开关时间。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准

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20+
￥0.2085
200+
￥0.1648
600+
￥0.1405
3000+
￥0.1224
9000+
￥0.1097
21000+
￥0.1029

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型号：BZX84C5V6LT1G 编号：C82471

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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10+
￥0.2299
100+
￥0.1814
300+
￥0.1571
3000+
￥0.1343
6000+
￥0.1198
9000+
￥0.1125

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型号：MMBT3906WT1G 编号：C150043

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适合低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2309
200+
￥0.1862
600+
￥0.1613
3000+
￥0.1464
9000+
￥0.1335

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型号：MMSZ5230BT1G 编号：C236191

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2363
200+
￥0.1859
600+
￥0.158
3000+
￥0.1323

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型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2416
200+
￥0.1893
600+
￥0.1602
3000+
￥0.1428

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型号：MM3Z4V7T1G 编号：C236205

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2573
200+
￥0.2059
600+
￥0.1774
3000+
￥0.1436
9000+
￥0.1287
21000+
￥0.1208

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型号：BAS21SLT1G 编号：C23847

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高压开关二极管适用于高电压、高速开关应用。此双二极管器件包含两个串联封装的高压开关二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

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20+
￥0.2596
200+
￥0.2027
600+
￥0.1712
3000+
￥0.1369
9000+
￥0.1205
21000+
￥0.1116

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型号：NC7WZ16P6X 编号：C114148

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ16 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列双逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。

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10+
￥0.2672
100+
￥0.2085
300+
￥0.1792
3000+
￥0.1572
6000+
￥0.1396
9000+
￥0.1308

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型号：MUN5214DW1T1G 编号：C94403

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

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10+
￥0.275
100+
￥0.2204
300+
￥0.1931
3000+
￥0.1726
6000+
￥0.1562
9000+
￥0.148

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型号：MBT3904DW1T3G 编号：C896759

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

MBT3904DW1 和 MBT3904DW2 器件是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。此双 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用，采用 SOT-363 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，此类器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.2977
100+
￥0.2363
300+
￥0.2056
1000+
￥0.1825
5000+
￥0.1641
10000+
￥0.1549

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型号：ESD5Z12T1G 编号：C233383

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

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10+
￥0.3041
100+
￥0.2466
300+
￥0.2179
3000+
￥0.1963
6000+
￥0.1791
9000+
￥0.1704

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型号：BC846BM3T5G 编号：C232536

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.3176
100+
￥0.2531
300+
￥0.2209
1000+
￥0.1968
5000+
￥0.1775
8000+
￥0.1678

有货

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型号：MM3Z75VC 编号：C891646

封装：SOD-323F

品牌：onsemi(安森美)

特性：宽齐纳电压范围选择，2.4V至75V。VZ公差选择为 ±5%（C系列）。非常小且薄的贴片封装。哑光镀锡（Sn）表面处理，无铅

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5+
￥0.36656 ￥0.4582
50+
￥0.28413 ￥0.4059
150+
￥0.22782 ￥0.3797
500+
￥0.21606 ￥0.3601
3000+
￥0.20664 ￥0.3444
6000+
￥0.2019 ￥0.3365

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型号：NSR0130P2T5G 编号：C146776

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装 SOD923 封装极其适合空间受限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.4499
100+
￥0.3657
300+
￥0.3237
1000+
￥0.2921
5000+
￥0.2669
8000+
￥0.2542

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型号：MMSZ9V1T1G 编号：C132795

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.4637
100+
￥0.3758
300+
￥0.3319
3000+
￥0.2629
6000+
￥0.2365
9000+
￥0.2233

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型号：NTZD3154NT1G 编号：C145189

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

这是一个 20 V N 沟道功率 MOSFET。

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5+
￥0.518
50+
￥0.4129
150+
￥0.3604
500+
￥0.321
2500+
￥0.2894
4000+
￥0.2737

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型号：NL17SZ08DFT2G-F22038 编号：C5207835

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

NL17SZ08 是一款采用超小尺寸封装的单路 2 输入与门。

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5+
￥0.5662
50+
￥0.4569
150+
￥0.4022
500+
￥0.3612
3000+
￥0.2988
6000+
￥0.2823

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型号：SZMMSZ4678T1G 编号：C513070

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5电路板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。带SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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