安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-14

包含六个逻辑反相器，可接受标准CMOS输入信号（对于MC74AC14为TTL电平），并提供标准CMOS输出电平。它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。此外，它们比传统反相器具有更大的噪声容限。在正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），该迟滞由晶体管比率在内部确定，并且基本上不受温度和电源电压变化的影响。

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型号：MC14516BDR2G 编号：C70412

封装：SOIC-16-150mil

品牌：onsemi(安森美)

MC14516B 同步正数/倒数二进制计数器在一个单片结构中使用 MOS P 沟道和 N 沟道增强模式器件构造。此计数器可通过对预设输入（P0、P1、P2、P3）应用所需的二进制值，然后将预设启用 (PE) 置于高电平，来进行预设。计数方向通过向 UP/DOWN 输入应用高电平（用于正数）或低电平（用于倒数）来进行控制。计数器的状态基于时钟输入的正向转换来变化。级联可通过对每个计数器进行并行计时的同时，将输出进位条与下一阶段的输入进位条相联接来完成。通过对重置 (R) 引脚应用高电平，可将输出（Q0、Q1、Q2、Q3）重置为低电平状态。此 CMOS 计数器主要用于正数/倒数和差异计数。其他应用包括： (1) 需要低功耗和/或高抗扰性的频率合成器应用，(2) 模拟-数字和数字-模拟转换，以及 (3) 量级和符号生成。

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型号：MC79M12CDTRKG 编号：C67852

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

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型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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型号：NCP1654BD200R2G 编号：C603659

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1654 是一款用于连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 步升预转换器的控制器。它在固定频率模式下控制电源开关导通时间 (PWM)，取决于瞬时线圈电流。该电路采用 SO-8 封装，最大程度减少了外部部件数量，并极大简化了 PFC 实施。它还集成了高安全性功能，使得 NCP1654 成为一款适用于有效输入功率失控箝位电路。

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型号：MOC3023SR2M 编号：C40701

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：NCP361SNT1G 编号：C233714

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

当在NCP361的输入端检测到VBUS工作条件异常时，它会断开其输出端的系统连接。该系统具备正向过压保护功能，可承受高达 +20 V 的电压。由于集成了 PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的 PCB 面积

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型号：QRE1113GR 编号：C232862

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

QRE1113 由在塑料矩形盒体中与兼容硅光电晶体管并排封装的 940nm 发射极组成。采用表面贴装和通孔选项。

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型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能

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型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。

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型号：FSA2567UMX 编号：C357761

封装：UFQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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型号：FDMS86200 编号：C128799

封装：PDFN-8(4.9x5.8)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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型号：HCPL0601R2 编号：C411208

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL06XX光电耦合器包含AlGaAS LED，该LED光学耦合至具有可选通输出的超高速集成光电探测器逻辑门（单通道器件）。这些器件采用紧凑型小尺寸封装。该输出具有开路集电极，从而允许有线OR输出。 HCPL0600、HCPL0601和HCPL0611输出包含基于双极性工艺的双极性晶体管，而HCPL0637、HCPL0638和HCPL0639输出包含基于CMOS工艺的双极性晶体管，以降低功耗。在-40°C至+85°C温度范围内可确保耦合参数。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制。

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型号：RHRP15120 编号：C11771

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP15120 是一款具有软恢复特性的超高速二极管。它采用氮化硅钝化离子布植外延平面结构，其恢复时间仅为超快速二极管恢复时间的一半。这些器件主要是在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流/箝位二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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型号：LV8728MR-AH 编号：C73904

封装：MFP-30KR

品牌：onsemi(安森美)

LV8728MR是一款PWM电流控制的微步步进电机驱动器。该驱动器可执行从整步到1/128步的八种励磁模式，并且只需通过CLK输入即可实现简单驱动。

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型号：MC12080DR2G 编号：C903920

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模，用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF，如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频，则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。

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￥31.12
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型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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型号：BC857BLT1G 编号：C111644

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2139
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￥0.1679
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￥0.1423
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型号：MMBTA56LT1G 编号：C85394

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.2318
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￥0.1818
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￥0.1068
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￥0.099

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型号：BC807-16LT3G 编号：C232631

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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￥0.2319
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￥0.1793
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￥0.1325
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￥0.1173
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型号：MMSZ12T1G 编号：C72599

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

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10+
￥0.2427
100+
￥0.192
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￥0.1667
3000+
￥0.1375
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￥0.1223
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￥0.1147

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型号：MMSZ10T1G 编号：C236094

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装形式提供了一个方便的替代方案。

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20+
￥0.2465
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￥0.1963
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￥0.1518
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￥0.1373
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￥0.1295

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型号：MMSZ4697T1G 编号：C48870

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

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￥0.2524
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￥0.2027
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￥0.1778
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￥0.1509
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￥0.1285

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型号：MMSZ5262BT1G 编号：C40515

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

20+
￥0.2527
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￥0.1997
600+
￥0.1702
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￥0.1442
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￥0.1289
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￥0.1206

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型号：NTR5103NT1G 编号：C152469

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

小信号 MOSFET，60 V，310mA，单 N 沟道，SOT-23

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10+
￥0.2602
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￥0.2074
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￥0.181
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￥0.1612
6000+
￥0.1454
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￥0.1375

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型号：MMSZ4700T1G 编号：C236099

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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10+
￥0.3046
100+
￥0.247
300+
￥0.2182
3000+
￥0.1712
6000+
￥0.1539
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￥0.1452

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型号：MMSZ5227BT1G 编号：C154803

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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￥0.3186
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￥0.2628
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￥0.2349
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￥0.1797

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型号：MMSZ6V8T1G 编号：C132794

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽，为2.4V至56V。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。带有SZ前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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10+
￥0.3255
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￥0.2565
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￥0.2221
3000+
￥0.1812
6000+
￥0.1605
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型号：NC7WZ14P6X 编号：C50793

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

超高速：在 VCC 为 5V 时，接入 50pF 负载，传输延迟（tPD）典型值为 3.2ns - 高输出驱动能力：VCC 为 3V 时，输出电流为±24mA - 宽泛的 VCC 工作电压范围：1.65V 至 5.5V - 在 VCC 为 3.3V 时，性能与 LCX 器件相匹配 - 掉电时输入/输出呈高阻态 - 输入过压容限功能，便于实现 5V 到 3V 电平转换 - 采用专有技术降低噪声和电磁干扰（EMI） - 采用超小型 MicroPak™ 封装 - 采用节省空间的 SC70 封装该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽泛的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的 VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V。当 VCC 为 0V 时，输入和输出呈高阻态

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￥0.338
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￥0.2648
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￥0.2281
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