安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MMBFJ309LT1G 编号：C58012

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频率放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥0.8982
50+
￥0.7129
150+
￥0.6202
500+
￥0.5507
3000+
￥0.4951
6000+
￥0.4673

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型号：NUP4301MR6T1G 编号：C52856

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

8KV接触, 15KV空隙放电

数据手册

5+
￥0.9169
50+
￥0.7442
150+
￥0.6579
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￥0.5932
3000+
￥0.4898
6000+
￥0.4639

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型号：1SMB5935BT3G 编号：C49827

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9455
50+
￥0.7437
150+
￥0.6572
500+
￥0.5493
2500+
￥0.4533
5000+
￥0.4245

有货

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型号：1SMA5927BT3G 编号：C33754

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9612
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￥0.7827
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￥0.6935
500+
￥0.6265
2500+
￥0.421
5000+
￥0.3942

有货

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型号：MC78L05ACDR2G 编号：C7372

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

数据手册

5+
￥0.9959
50+
￥0.7852
150+
￥0.6949
500+
￥0.5234
2500+
￥0.4732
5000+
￥0.4431

有货

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型号：NC7WZ17L6X 编号：C457663

封装：MicroPaK-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ17 是一款来自 TinyLogic 产品超高速（UHS）系列的双缓冲器，带有施密特触发输入。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在非常宽的 VCC 工作电压范围内保持低静态功耗。该器件的工作电压范围为 1

数据手册

5+
￥1.0178
50+
￥0.896
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￥0.8438
500+
￥0.7787
2500+
￥0.6322
5000+
￥0.6148

有货

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型号：1SMB5929BT3G 编号：C55497

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0182
50+
￥0.8069
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￥0.7163
500+
￥0.6033
2500+
￥0.4941
5000+
￥0.4639

有货

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型号：1SMB5928BT3G 编号：C53168

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.0524
50+
￥0.832
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￥0.7376
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￥0.6197
2500+
￥0.5235
5000+
￥0.492

有货

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型号：FDN335N 编号：C241804

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

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5+
￥1.0537
50+
￥0.8168
150+
￥0.7152
500+
￥0.5886
3000+
￥0.5322
6000+
￥0.4983

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型号：1SMA5934BT3G 编号：C94409

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.0689
50+
￥0.8388
150+
￥0.7402
500+
￥0.6172
2500+
￥0.5259
5000+
￥0.4931

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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

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5+
￥1.0737
50+
￥0.864
150+
￥0.7741
500+
￥0.6619
2500+
￥0.571
5000+
￥0.541

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型号：FDN360P 编号：C124463

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

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5+
￥1.0895
50+
￥0.8664
150+
￥0.7708
500+
￥0.6515
3000+
￥0.5055
6000+
￥0.4736

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型号：MBR120LSFT1G 编号：C891416

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。由于其尺寸小巧，因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式和电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个电源电压的“OR”运行，以及性能和尺寸至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.0965
50+
￥0.8673
150+
￥0.7691
500+
￥0.6466
3000+
￥0.592
6000+
￥0.5593

有货

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型号：1SMA5916BT3G 编号：C146725

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.1119
50+
￥0.8932
150+
￥0.7994
500+
￥0.6824
2500+
￥0.4914
5000+
￥0.4601

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型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

5+
￥1.1404
50+
￥0.9067
150+
￥0.8065
500+
￥0.6816
3000+
￥0.5713
6000+
￥0.5379

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型号：NC7SZ74L8X 编号：C184651

封装：UFQFN-8(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NC7SZ74 是一款单路 D 型 CMOS 触发器，具备预置和清零功能，属于超高速系列产品。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在 1.65V 至 5V 这一极宽的 Vcc 工作电压范围内保持较低的静态功耗。

数据手册

5+
￥1.1474
50+
￥1.0162
150+
￥0.9599
500+
￥0.8897
2500+
￥0.6813
5000+
￥0.6625

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型号：UESD3.3DT5G 编号：C233435

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

μESD系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于尺寸小巧，该系列产品适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

数据手册

5+
￥1.2069
50+
￥0.9636
150+
￥0.8593
500+
￥0.7292
2500+
￥0.619
5000+
￥0.5842

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型号：FDG6303N 编号：C512895

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。

数据手册

5+
￥1.2595
50+
￥0.9776
150+
￥0.8567
500+
￥0.706
3000+
￥0.6389
6000+
￥0.5986

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型号：NSR05F40NXT5G 编号：C146713

封装：0402

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经优化适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级封装 (CSP) 以减少板空间。低热电阻使设计人员能够完成提高能效并满足减少空间要求的具有挑战性的任务。

数据手册

5+
￥1.2812
50+
￥1.0128
150+
￥0.8978
500+
￥0.7543
2500+
￥0.6093
5000+
￥0.5709

有货

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型号：MC14069UBDR2G 编号：C36955

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的，以尽量减少传播延迟。

数据手册

5+
￥1.2896
50+
￥0.9848
150+
￥0.8541
500+
￥0.6911
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.575

有货

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型号：LM317MBDTRKG 编号：C179570

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

数据手册

5+
￥1.3069
50+
￥1.013
150+
￥0.8871
500+
￥0.73
2500+
￥0.66
5000+
￥0.618

有货

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型号：ESD8104MUTAG 编号：C94394

封装：DFN-10(1x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如USB 3）之间的阻抗一致性十分必要

数据手册

5+
￥1.3205
50+
￥1.069
150+
￥0.9613
500+
￥0.7445
3000+
￥0.6846
6000+
￥0.6487

有货

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型号：1SMB5931BT3G 编号：C146740

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型 3 级 ESD 等级（>16kV）。扁平操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要特定场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.3958
50+
￥1.1682
150+
￥1.0544
500+
￥0.605
2500+
￥0.5367
5000+
￥0.5026

有货

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型号：MC74ACT08DR2G 编号：C233452

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：输出源/灌电流：24 mA。 -ACT08具有与TTL兼容的输入。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.4465
50+
￥1.134
150+
￥1.0001
500+
￥0.7763
2500+
￥0.7019
5000+
￥0.6573

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型号：NUP4114HMR6T1G 编号：C260431

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NUP4114 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和高级别的ESD保护使这些器件非常适合用于USB 2.0高速应用。新型NUP4114是一款低电容ESD二极管阵列，旨在保护通信系统、计算机和计算机外设等敏感电子设备，使其免受ESD事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速I/O数据线。NUP4114的集成设计在单个封装（TSOP - 6）中集成了低电容转向二极管和ESD二极管。该器件可保护电源线免受过压情况影响，避免损坏电源和任何下游组件。

数据手册