安森美滤波器_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N4148WS 编号：C118873

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

数据手册

20+
￥0.254
200+
￥0.2015
600+
￥0.1723
3000+
￥0.1548
9000+
￥0.1396
21000+
￥0.1314

有货

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型号：MMSZ5244BT1G 编号：C242286

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

数据手册

10+
￥0.267
100+
￥0.2126
300+
￥0.1854
3000+
￥0.1446
6000+
￥0.1283
9000+
￥0.1201

有货

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型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.2688
200+
￥0.2218
600+
￥0.1957
3000+
￥0.1801
9000+
￥0.1665
21000+
￥0.1592

有货

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型号：MMSZ4684T1G 编号：C24672

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

提供了三种齐纳二极管系列，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。

数据手册

20+
￥0.2777
200+
￥0.2194
600+
￥0.187
3000+
￥0.1423
9000+
￥0.1255
21000+
￥0.1164

有货

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型号：NL27WZ17DFT2G 编号：C152467

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ17 是一款高性能的双缓冲器，由 1.65 至 5.5 V 电源供电。在 VCC = 3.0 V 下，高阻抗 TTL 兼容输入显著减少了输入驱动器的电流负载，而 TTL 兼容输出则提高了开关噪音性能。

数据手册

10+
￥0.3561
100+
￥0.2817
300+
￥0.2446
3000+
￥0.2057
6000+
￥0.1834
9000+
￥0.1722

有货

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型号：NL27WZ14DFT2G 编号：C89316

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：onsemi(安森美)

NL27WZ14 是一款高性能双反相器，带有施密特触发器输入，工作电源电压范围为 1.65 至 5.5 V。

数据手册

10+
￥0.3769
100+
￥0.3001
300+
￥0.2617
3000+
￥0.2127
6000+
￥0.1897
9000+
￥0.1782

有货

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型号：MMBT5088LT1G 编号：C232555

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

数据手册

10+
￥0.4245
100+
￥0.3405
300+
￥0.2984
3000+
￥0.2581
6000+
￥0.2329
9000+
￥0.2203

有货

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型号：SMMUN2233LT1G 编号：C894369

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

数据手册

10+
￥0.4255
100+
￥0.3318
300+
￥0.2849
3000+
￥0.2498
6000+
￥0.2217

有货

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型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5308
50+
￥0.4241
150+
￥0.3707
500+
￥0.3307
3000+
￥0.2817
6000+
￥0.2657

有货

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型号：BCV27 编号：C258198

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件适用于集极电流达 1.0 A、需要极高电流增益的应用。源自 Process 05。

数据手册

10+
￥0.541
100+
￥0.4217
300+
￥0.362
3000+
￥0.3173
6000+
￥0.2815

有货

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型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.5597
100+
￥0.4404
300+
￥0.3807
3000+
￥0.3173
6000+
￥0.2815
9000+
￥0.2636

有货

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型号：MRA4004T3G 编号：C40324

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。

数据手册

5+
￥0.6196
50+
￥0.4952
150+
￥0.433
500+
￥0.3863
2500+
￥0.349
5000+
￥0.3304

有货

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型号：NC7WZ04P6X 编号：C457618

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

NC7WZ04 是安森美半导体（ON Semiconductor）TinyLogic 超高速（UHS）系列的双反相器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力，同时在较宽的 VCC 工作电压范围内保持较低的静态功耗。该器件可在非常宽的 VCC 工作电压范围内工作

数据手册

5+
￥0.6512
50+
￥0.4958
150+
￥0.418
500+
￥0.3598
3000+
￥0.1634
6000+
￥0.14

有货

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型号：MBRS130LT3G 编号：C51771

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥0.6767
50+
￥0.5377
150+
￥0.4682
500+
￥0.416
2500+
￥0.3308
5000+
￥0.31

有货

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型号：PN2222ABU 编号：C896866

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：可作为中功率放大器和开关使用，集电极电流可达500mA

数据手册

5+
￥0.6862
50+
￥0.5493
150+
￥0.4809
500+
￥0.4296
2500+
￥0.3655
5000+
￥0.345

有货

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型号：1SMA5929BT3G 编号：C32357

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.8185
50+
￥0.6551
150+
￥0.5734
500+
￥0.5121
2500+
￥0.3888
5000+
￥0.3643

有货

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型号：NTR4170NT1G 编号：C236116

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这是一款 30 V N 沟道功率 MOSFET。

数据手册

5+
￥0.8952
50+
￥0.7128
150+
￥0.6216
500+
￥0.5533
3000+
￥0.4985
6000+
￥0.4712

有货

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型号：1SMA5928BT3G 编号：C235763

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9101
50+
￥0.7055
150+
￥0.6178
500+
￥0.5084
2500+
￥0.4596
5000+
￥0.4304

有货

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型号：MBRS240LT3G 编号：C8165

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源；续流二极管和极性保护二极管

数据手册

5+
￥0.9303
50+
￥0.7221
150+
￥0.6328
500+
￥0.5215
2500+
￥0.4719
5000+
￥0.4421

有货

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型号：LM317LBDR2G 编号：C274645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端正电压调节器，能够在1.2 V至37 V的输出电压范围内提供超过100 mA的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需两个外部电阻即可设置输出电压。此外，它采用了内部电流限制、热关断和安全区域补偿，使其基本不会出现熔断问题。可用于多种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

数据手册

5+
￥0.9407
50+
￥0.7332
150+
￥0.6295
500+
￥0.5517
2500+
￥0.4894
5000+
￥0.4583

有货

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型号：MMBFJ310LT1G 编号：C33416

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 JFET 器件适用于高频放大器和振荡器。

数据手册

5+
￥0.965
50+
￥0.7567
150+
￥0.6525
500+
￥0.5744
3000+
￥0.4914
6000+
￥0.4601

有货

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型号：1SMB5918BT3G 编号：C142361

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0394
50+
￥0.8282
150+
￥0.7226
500+
￥0.5659
2500+
￥0.5025
5000+
￥0.4709

有货

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型号：ES1B 编号：C232818

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低外形封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高。应用：本产品为通用产品，适用于多种不同应用

数据手册

5+
￥1.1259
50+
￥0.9042
150+
￥0.8092
500+
￥0.6906
2500+
￥0.5684
7500+
￥0.5368

有货

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型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.2047
50+
￥0.9661
150+
￥0.8638
500+
￥0.7362
2500+
￥0.6071
5000+
￥0.573

有货

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型号：PZTA42T1G 编号：C82085

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：与PZTA92T1G互补。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.2426
50+
￥0.988
150+
￥0.879
1000+
￥0.6451
2000+
￥0.5845
5000+
￥0.5482

有货

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型号：MC78M05BDTRKG 编号：C94612

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

数据手册

5+
￥1.3383
50+
￥1.0882
150+
￥0.9811
500+
￥0.6212
2500+
￥0.5616
5000+
￥0.5259

有货

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型号：MMBFJ270 编号：C160435

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

JFET，P沟道,30V,50mA

数据手册

5+
￥1.3397
50+
￥1.0615
150+
￥0.9423
500+
￥0.7935
3000+
￥0.6304
6000+
￥0.5907

有货

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型号：NDS355AN 编号：C236917

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要采用非常小形的表面贴装封装，实现快速开关和线路内低功率损耗。

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