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  • 积层陶瓷贴片电容器的C系列,是由该电体材料以及内部电极、导电材料相互积层的表面贴装(SMD)产品。单片式结构保证优异的机械强度和高可靠性。又因其简单的构造,跟其他种类电容相比具有更低的ESR、ESL,频率特性良好。目前可以做到100uF的大容量,满足薄膜电容和电解电容的容量领域。
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  • 应用:汽车多媒体。汽车内饰。汽车舒适性应用。通用电子设备
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  • 特性:低损耗:通过设计陶瓷材料和电极材料,在甚高频 (VHF)、超高频 (UHF) 和微波或更高频段实现低损耗。低电感:该电容器设计为使电容器在高频侧的寄生电感分量 (ESL) 更低。适合降低声学噪声和低失真:通过设计材料和配置,该产品可抑制使用陶瓷电容器时产生的声学噪声。抗挠曲开裂:该电容器设计为在电路板挠曲时尽可能防止因开裂导致的短路故障。抗焊接裂纹:金属端子和引线可缓解焊料膨胀和收缩产生的应力,从而抑制焊接裂纹。推荐电压和温度降额使用:该产品适用于在工作电路中连续施加到电容器的电压低于(降额)电容器额定电压的情况。特性:
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      ¥0.0358
  • 有货
  • 应用:汽车多媒体。汽车内饰。汽车舒适性应用。通用电子设备
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  • 特性:低损耗:通过设计陶瓷材料和电极材料,在甚高频 (VHF)、超高频 (UHF) 和微波或更高频段实现低损耗。低电感:该电容器设计为使电容器在高频侧的寄生电感分量 (ESL) 更低。适合降低声学噪声和低失真:通过设计材料和配置,该产品可抑制使用陶瓷电容器时产生的声学噪声。抗挠曲开裂:该电容器设计为在电路板挠曲时尽可能防止因开裂导致的短路故障。抗焊接裂纹:金属端子和引线可缓解焊料膨胀和收缩产生的应力,从而抑制焊接裂纹。推荐电压和温度降额使用:该产品适用于在工作电路中连续施加到电容器的电压低于(降额)电容器额定电压的情况。特性:
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  • 特性:低损耗:通过设计陶瓷材料和电极材料,在甚高频 (VHF)、超高频 (UHF) 和微波或更高频段实现低损耗。低电感:该电容器设计为使电容器在高频侧的寄生电感分量 (ESL) 更低。适合降低声学噪声和低失真:通过设计材料和配置,该产品可抑制使用陶瓷电容器时产生的声学噪声。抗挠曲开裂:该电容器设计为在电路板挠曲时尽可能防止因开裂导致的短路故障。抗焊接裂纹:金属端子和引线可缓解焊料膨胀和收缩产生的应力,从而抑制焊接裂纹。推荐电压和温度降额使用:该产品适用于在工作电路中连续施加到电容器的电压低于(降额)电容器额定电压的情况。特性:
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      ¥0.0467
  • 有货
  • 多层陶瓷贴片电容C系列是一种表面贴装产品,由多层电介质和导电材料交替层叠而成。整体结构确保了卓越的机械强度和可靠性。此外,与其他电容器相比,简单的结构具有较低的等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)和更好的频率特性。电容范围可达100μF,产品线已扩展到薄膜电容器或电解电容器领域。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.07771 ¥0.0818
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    • 100+

      ¥0.04674 ¥0.0492
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      ¥0.04199 ¥0.0442
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      ¥0.039425 ¥0.0415
  • 有货
  • 特性:以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用:消费电子,例如。调谐器
    数据手册
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  • 特性:以卷带形式供应。镍阻挡层端接。符合RoHS标准。符合无卤标准。MSL等级:I级。应用:消费电子,例如。调谐器
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      ¥0.116
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      ¥0.1007
    • 2000+

      ¥0.0915
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  • 应用:通用电子设备
    数据手册
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    • 200+

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  • 有货
  • 应用:移动电子设备
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      ¥0.508
  • 有货
  • 电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅电容器常用于隔离直流、射频旁路、或用作滤波器、振荡器和匹配网络中的固定电容调谐元件。可广泛应用在能源、通信、自动化及医疗等领域。
    • 1+

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    • 10+

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    • 30+

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    • 100+

      ¥10.31
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    • 100+

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      ¥0.0025
    • 3000+

      ¥0.002
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