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该稳压二极管的反向击穿电压（VR）为5.6V，适用于提供稳定的电压参考。其正向导通电流（IF）为20mA，正向导通压降（VF）为0.9V，具有较低的导通损耗。在反向截止状态下，漏电流（IR）典型值为5μA，表现出良好的阻断性能。该器件常用于电源稳压电路、信号电平转换及过压保护设计中，可有效维持电路工作点的稳定。在精密模拟电路、通信设备及便携式电子产品中，能为敏感模块提供可靠的电压钳位和基准电压支持。

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￥0.095095 ￥0.1001
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￥0.09291 ￥0.0978
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型号：MMZ1608D500CTAH0 编号：C76808

封装：0603

特性：用于一般信号线的降噪解决方案。具有8种不同特性的材料，具备多种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的各种情况。工作温度范围：-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端等移动设备及各种模块的降噪。个人电脑、录音机、机顶盒等家用电器、智能电网和工业设备的降噪

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50+
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4000+
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型号：MMBD4148SE 编号：C397641

封装：SOT-23

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压100V，正向电流150mA，恢复时间≤4ns，SOT-23 封装，串联式；功能：高精度信号开关，适配高频场景；应用：精密仪器、医疗设备小信号回路、通信模块等

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型号：MPZ1608D600BTA00 编号：C275482

封装：0603

特性：降噪解决方案，用于电源线。与MMZ系列相比，低直流电阻，适合大电流，低功耗。有5种不同特性的材料，具有各种频率特性，可应对从一般信号到高速信号的所有情况。在需要低直流电阻的信号线中也表现良好。工作温度范围：-55至+125℃。应用：智能手机和平板终端等移动设备及各种模块的噪声去除。 PC和记录仪、STB等家用电器、智能电网和工业设备的噪声去除

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￥0.102885 ￥0.1083
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￥0.080655 ￥0.0849
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型号：RB551V-30 编号：C397604

封装：SOD-323

品牌：AnBon(安邦)

特征：反向电压30V，正向连续电流0.5A，SOD-323封装，正向压降0.47V@0.5A；功能：完成中低压电路的低损耗整流、续流，提升电路能效；应用：手机充电电路、微型逆变器辅助回路、传感器供电整流、消费电子的小型电源模块等

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型号：HEBL0501T 编号：C42402084

封装：DFN1006-2L

本产品为单向TVS/ESD保护器件，专为高精度电子系统设计。其反向截止电压（VRWM）为5V，适用于低压信号线路的瞬态过压防护。最大峰值脉冲电流（IPP）可达4A，能够有效吸收静电放电及浪涌能量，保障后级电路安全。器件结电容（CJ）低至0.6pF，对信号完整性影响极小，适合高速数据接口应用。单通道（LINE:1通道）设计结构紧凑，便于布局与集成，广泛用于便携设备、通信模块等场景中的电路保护。

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￥0.12618 ￥0.1402
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￥0.099 ￥0.11
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￥0.08388 ￥0.0932
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型号：HCEST23NC3V3U 编号：C22440446

封装：SOT-23

这款单向ESD静电保护二极管专为双通道应用设计，每通道耐压3.3V，能承受20A峰值电流冲击，为低电压电路提供高效防护。120皮法的电容值在确保强效静电保护的同时，对信号传输影响甚微，是移动设备、物联网(IoT)模块及其它低功耗电子产品的理想选择，有效增强系统抗静电能力，保障数据传输的连续性和可靠性。

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￥0.15993 ￥0.1777
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型号：WNM2030-3-HXY 编号：C50177035

封装：SOT-723

该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。

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￥0.1753
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型号：HGG040205100N2P 编号：C22440375

封装：DFN1006-2L

此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制，5V工作电压下稳定可靠，5.5A峰值电流处理能力强劲，有效抵御静电冲击。10pF低电容设计，确保高速信号无延迟，是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择，提升电路抗静电干扰能力，保障系统运行安全。

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￥0.19368 ￥0.2152
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型号：PTVSHC3D5VU-HXY 编号：C49318000

封装：SOD-323

该静电和浪涌保护器件为单向设计，具备140A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可高效抑制静电放电及瞬态电压带来的冲击。其反向工作电压为5V（VRWM），适用于标准逻辑电平电路的防护需求。器件采用单通道布局，结电容（CJ）为980pF，适合用于低速信号线或电源线路的保护。该产品广泛应用于便携式电子设备、通信模块以及各类通用电器中的敏感电路保护，能够在复杂电磁环境中提供稳定可靠的电气防护性能。

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￥0.217835 ￥0.2293
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型号：MPZ1005F470ETD25 编号：C880687

封装：0402

特性：电源线降噪解决方案。产品线包括采用材料S的产品和采用材料F的产品，前者可在GHz频段的低频段到高频段实现阻抗，后者在GHz频段阻抗急剧上升。与MPZ系列相比，可在GHz频段实现高阻抗。与MMZ-E系列相比，具有低直流电阻，适合大电流，非常适合低功耗。在需要低直流电阻的信号线中也能表现出色。工作温度范围：-55℃至+125℃。应用：各种电子控制单元（ECUs）。各种模块

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型号：MLF1608DR12JT000 编号：C275354

封装：0603

特性：产品线包括宽电感范围。高度可靠的多层集成单片结构。工作温度范围:-55 至 +125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、调谐器、液晶电视、等离子电视、音频设备、计算机、模块信号处理等。应用指南:智能手机/平板电脑

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￥0.24187 ￥0.2546
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型号：BS170FTA-VB 编号：C558098

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.289085 ￥0.3401
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￥0.227885 ￥0.2681
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型号：BSS138K-VB 编号：C709923

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30192 ￥0.3552
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型号：BSS138LT3G-VB 编号：C4355052

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.30311 ￥0.3566
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型号：BSS138TA-VB 编号：C5179525

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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型号：BSN20-VB 编号：C558103

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.349505 ￥0.3679
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￥0.167485 ￥0.1763

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型号：2N7002F-VB 编号：C7568787

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥0.349505 ￥0.3679
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型号：2SC2873-Y-MS 编号：C52287384

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SC2873-Y-MS是一款NPN型硅双极结晶体管，它与2SA1213-构成互补对管,其核心参数适配中小功率场景：50V集射极耐压、2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求，应用精准聚焦：凭借高速开关与低损耗特性，广泛用于消费电子的音频功率放大、电源管理模块的开关控制，还适配工业自动化设备驱动电路及无线通信设备的信号处理单元。

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￥0.4718
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￥0.3758
300+
￥0.3278

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型号：2SA1213-Y-MS 编号：C52287385

封装：SOT-89

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款2SA1213-Y-MS是一款PNP型硅外延晶体管，采用SOT-89封装，与2SC2873-Y-MS构成互补对管,核心参数适配中小功率场景：-50V集射极耐压、-2A连续集电极电流，满足主流低压电路需求；0.5V低饱和压降减少损耗,应用精准聚焦：凭借低噪声、高增益特性，广泛用于消费电子的音频功率放大，也适配电源管理模块的开关控制，还可用于工业自动化设备驱动电路及无线通信设备信号处理。

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￥0.3278

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型号：SML4736-E3/61-HXY 编号：C50177009

封装：SMA

该稳压二极管具有6.8V的稳定电压（VR），在正向导通时电流为0.037A（IF），反向漏电流低至10μA（IR），表现出良好的反向阻断特性。器件在反向击穿区工作时能维持电压稳定，适用于需要精确电压参考的电路。常用于电源管理模块、模拟信号调理电路及电压检测单元中，为敏感电子组件提供可靠的电压钳位与保护，确保系统在波动环境中稳定运行。

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￥0.622345 ￥0.6551
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￥0.608665 ￥0.6407
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￥0.599545 ￥0.6311
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￥0.590425 ￥0.6215

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型号：MJE350 编号：C50275343

封装：TO-126

该PNP型三极管具有0.5A集电极电流和300V集电极-发射极耐压，适用于中等功率的信号放大与开关电路。其直流电流增益（HFE）范围为100至250，表现出稳定的电流放大能力与良好的线性特性。器件可用于电源反向控制、电平转换、继电器驱动及小功率音频信号处理等应用。较高的电压耐受性能使其适合在存在电压波动的环境中工作，广泛适用于家用电子设备、电源模块、消费类电器控制电路及通用模拟数字混合电路中的信号切换与功率控制需求。

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￥0.809115 ￥0.8517
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￥0.791255 ￥0.8329
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￥0.779475 ￥0.8205
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￥0.7676 ￥0.808

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型号：74HC14MT/TR 编号：C5310770

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

74HC14是一款高速硅栅CMOS电路，其引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。该电路符合JEDEC标准no.7A。74HC14提供六路施密特倒相模块。它们能够将缓慢变化的输入信号转变成急剧变化的输出信号。

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5+
￥0.8874
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￥0.6969
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￥0.6017
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￥0.5302
2500+
￥0.4652
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￥0.4366

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型号：FDS9435A-NL-VB 编号：C725040

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥0.901455 ￥0.9489
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￥0.88122 ￥0.9276
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￥0.86773 ￥0.9134
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￥0.854145 ￥0.8991

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型号：FDC602P-VB 编号：C709955

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
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￥0.815745 ￥0.9597
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￥0.680595 ￥0.8007
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￥0.620415 ￥0.7299
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￥0.58429 ￥0.6874

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型号：AO4425-VB 编号：C5137426

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥1.3205 ￥1.39
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￥1.292 ￥1.36
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￥1.273 ￥1.34
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￥1.254 ￥1.32

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型号：SI9435DY-T1-E3-VB 编号：C5878849

封装：SO-8