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首页 > 热门关键词 > 充电模块
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P沟道，-40V,，-2.3A，110mΩ@-10V,-2A，-1.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924
封装：SOT-23
品牌：ElecSuper(静芯)
P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

  • 10+

    ￥0.4583

  • 100+

    ￥0.3623

  • 300+

    ￥0.3143

  • 3000+

    ￥0.2783
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    N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322
    封装：SOT-89
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.4583

    • 100+

      ￥0.3623

    • 300+

      ￥0.3143

    • 3000+

      ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
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    P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4459(ES) 编号：C42412323
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.4718

    • 100+

      ￥0.3758

    • 300+

      ￥0.3278
  • 有货
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    N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES50N03D 编号：C42434100
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.5041

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      ￥0.3985

    • 150+

      ￥0.3457

    • 500+

      ￥0.3061

    • 2500+

      ￥0.2744

    • 5000+

      ￥0.2585
  • 有货
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    TP4554B
    型号：TP4554B 编号：C5464793
    封装：SOP8
    品牌：TPOWER(天源)
    锂电池充电SOC TP4554B是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4554B内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块。TP4554B内置充电与放电功率MOS，充电电流为250mA，最大同步升压输出电流为500mA。

    • 5+

      ￥0.57735 ￥0.6415

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      ￥0.45639 ￥0.5071

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      ￥0.31428 ￥0.3492

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      ￥0.2961 ￥0.329
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
    型号：WPM3401-3/TR-VB 编号：C7494596
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.58596 ￥0.6168

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      ￥0.359385 ￥0.3783

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      ￥0.313975 ￥0.3305

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      ￥0.29583 ￥0.3114
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：BSS308PE-VB 编号：C878854
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.58938 ￥0.6204

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    • 500+

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    • 3000+

      ￥0.301435 ￥0.3173

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      ￥0.28329 ￥0.2982
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
    型号：IRFR024TRPBF-VB 编号：C5355706
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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      ￥1.1305 ￥1.33

    • 10+

      ￥1.1135 ￥1.31

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      ￥1.0965 ￥1.29

    • 100+

      ￥1.0795 ￥1.27
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    GBU810-MS
    型号：GBU810-MS 编号：C51928019
    封装：GBU
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款GBU810-MS采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：1000V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流 I(AV)8A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

    • 5+

      ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523
  • 有货
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    GBU808-MS
    型号：GBU808-MS 编号：C51928018
    封装：GBU
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款GBU808-MS采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：800V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流 I(AV)8A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

    • 5+

      ￥1.2123

    • 50+

      ￥0.9603

    • 150+

      ￥0.8523
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:18A
    型号：NID6002NT4G-VB 编号：C5355704
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

    • 1+

      ￥2.2015 ￥2.59

    • 10+

      ￥1.7595 ￥2.07

    • 30+

      ￥1.564 ￥1.84

    • 100+

      ￥1.3345 ￥1.57

    • 500+

      ￥1.139 ￥1.34

    • 1000+

      ￥1.0795 ￥1.27
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：VBE1303 编号：C416251
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
    数据手册

    • 1+

      ￥3.705 ￥3.9

    • 10+

      ￥3.04 ￥3.2

    • 30+

      ￥2.7075 ￥2.85

    • 100+

      ￥2.375 ￥2.5

    • 500+

      ￥1.8905 ￥1.99

    • 1000+

      ￥1.786 ￥1.88
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：AOD514-VB 编号：C2928221
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

    • 1+

      ￥3.8 ￥4

    • 10+

      ￥3.135 ￥3.3

    • 30+

      ￥2.8025 ￥2.95

    • 100+

      ￥2.47 ￥2.6

    • 500+

      ￥2.128 ￥2.24

    • 1000+

      ￥2.0235 ￥2.13
  • 有货
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    HC32F334JAUIZFN48TR
    型号：HC32F334JAUI-ZFN48TR 编号：C20071236
    封装：QFN-48-EP(5x5)
    品牌：XHSC(小华)
    特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。 集成FPU、MPU。 支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。 最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。 最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。 系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

    • 1+

      ￥13.17

    • 10+

      ￥10.98

    • 30+

      ￥9.61

    • 100+

      ￥8.2
  • 有货
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    电源模块
    型号：NN1-12S05A3NT 编号：C18723711
    封装：SMD-5
    品牌：AIPULNION(爱浦电子)
    应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

    • 1+

      ￥13.18

    • 10+

      ￥11.11

    • 30+

      ￥9.81

    • 100+

      ￥8.48
  • 有货
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    13.3F -10%~+30% 24V
    型号：CMZ1860S13624R0W-XR 编号：C18212291
    封装：-
    品牌：CDA(智烽维)
    特性：独特的超薄外形设计/引脚型端子。无源线性电压平衡电池。快速充电时间/莫仕迷你锁定连接器。免维护备份。与电池相比是绿色解决方案。每个模块都有电压平衡。应用：自动抄表器。汽车子系统

    • 1+

      ￥297 ￥330

    • 24+

      ￥287.1 ￥319
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-12V，-3.8A，29mΩ@-4.5V,-3.8A，-0.62V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1001

    • 200+

      ￥0.0978

    • 600+

      ￥0.0962
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装小信号肖特基二极管
    型号：RB551V-30 编号：C397604
    封装：SOD-323
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压30V，正向连续电流0.5A，SOD-323封装，正向压降0.47V@0.5A；功能：完成中低压电路的低损耗整流、续流，提升电路能效；应用：手机充电电路、微型逆变器辅助回路、传感器供电整流、消费电子的小型电源模块等
    数据手册

    • 50+

      ￥0.11381 ￥0.1198

    • 500+

      ￥0.091865 ￥0.0967

    • 3000+

      ￥0.065835 ￥0.0693

    • 6000+

      ￥0.05852 ￥0.0616

    • 24000+

      ￥0.05225 ￥0.055

    • 51000+

      ￥0.04883 ￥0.0514
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2307DS-T1-GE3-VB 编号：C6705306
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.259165 ￥0.3049

    • 50+

      ￥0.252705 ￥0.2973

    • 150+

      ￥0.24837 ￥0.2922

    • 500+

      ￥0.244035 ￥0.2871
  • 有货
    • 立即购买
    0.8A 灵敏栅极可控硅整流器
    型号：MCR100-8G 编号：C22391948
    封装：TO-92
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率，具有较强的抗电磁干扰能力。应用：电源充电器。 T型工具

    • 10+

      ￥0.28139 ￥0.2962

    • 100+

      ￥0.22173 ￥0.2334

    • 300+

      ￥0.191805 ￥0.2019

    • 1000+

      ￥0.173185 ￥0.1823

    • 5000+

      ￥0.15523 ￥0.1634

    • 10000+

      ￥0.1463 ￥0.154
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：NVTR4502PT1G-VB 编号：C7429095
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.31603 ￥0.3718

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      ￥0.30957 ￥0.3642

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      ￥0.3009 ￥0.354
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2335DS-T1-E3-VB 编号：C7463638
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥0.3179 ￥0.374

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2323CDS-T1-GE3-VB 编号：C558256
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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      ￥0.324235 ￥0.3413

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    P沟道，-30V,，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES9435 编号：C42412242
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.3437

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      ￥0.2717

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    TP4552B
    型号：TP4552B 编号：C5464792
    封装：SOP8
    品牌：TPOWER(天源)
    锂电池充电SOC TP4552B是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4552B内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块。TP4552B内置充电与放电功率MOS，充电电流可通过外部电阻设置，最大充电电流为400mA。

    • 5+

      ￥0.49644 ￥0.5516

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      ￥0.24525 ￥0.2725
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：Si2399CDS-T1-GE3-VB 编号：C6705310
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.52989 ￥0.6234

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      ￥0.25602 ￥0.3012
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：RU20P4C-VB 编号：C558236
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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      ￥0.53788 ￥0.6328

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AO3421E-VB 编号：C557945
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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      ￥0.545105 ￥0.6413

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      ￥0.257125 ￥0.3025
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    TP4584B
    型号：TP4584B 编号：C5464795
    封装：ESOP8
    品牌：TPOWER(天源)
    锂电池充电SOC TP4584B是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块、按键模块和自动开关机模块。内置充电与放电功率MOS，充电电流为250mA，最大同步升压输出电流为500mA。

    • 5+

      ￥0.55593 ￥0.6177

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