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首页 > 热门关键词 > 充电模块
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P沟道，-30V,，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
型号：ES9435 编号：C42412242
封装：SOP-8
品牌：ElecSuper(静芯)
ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

  • 10+

    ￥0.3437

  • 100+

    ￥0.2717

  • 300+

    ￥0.2357
  • 有货
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    N沟道，100V，5.0A，95mΩ@10V,2.5A，1.65V@250uA；应用领域：PLC控制器、POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322
    封装：SOT-89
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.4583

    • 100+

      ￥0.3623

    • 300+

      ￥0.3143

    • 3000+

      ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，50A，6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES50N03D 编号：C42434100
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.5041

    • 50+

      ￥0.3985

    • 150+

      ￥0.3457

    • 500+

      ￥0.3061

    • 2500+

      ￥0.2744

    • 5000+

      ￥0.2585
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AO3401A-VB 编号：C693260
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.574275 ￥0.6045

    • 50+

      ￥0.46246 ￥0.4868

    • 150+

      ￥0.406505 ￥0.4279

    • 500+

      ￥0.36461 ￥0.3838

    • 3000+

      ￥0.290605 ￥0.3059

    • 6000+

      ￥0.273885 ￥0.2883
  • 有货
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    P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESS2022A 编号：C42412309
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 5+

      ￥0.6874

    • 50+

      ￥0.5434

    • 150+

      ￥0.4714

    • 500+

      ￥0.4174

    • 3000+

      ￥0.3742

    • 6000+

      ￥0.3525
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

    • 5+

      ￥0.6874

    • 50+

      ￥0.5434

    • 150+

      ￥0.4714

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      ￥0.4174

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      ￥0.3742

    • 6000+

      ￥0.3525
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：AOD514-VB 编号：C2928221
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

    • 1+

      ￥3.8 ￥4

    • 10+

      ￥3.135 ￥3.3

    • 30+

      ￥2.8025 ￥2.95

    • 100+

      ￥2.47 ￥2.6

    • 500+

      ￥2.128 ￥2.24

    • 1000+

      ￥2.0235 ￥2.13
  • 有货
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    20A三象限三端双向可控硅
    型号：BTA20-800CW 编号：C3013740
    封装：TO-220A
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具
    数据手册

    • 1+

      ￥4.23 ￥4.7

    • 10+

      ￥3.447 ￥3.83

    • 50+

      ￥3.051 ￥3.39

    • 100+

      ￥2.655 ￥2.95

    • 500+

      ￥2.421 ￥2.69

    • 1000+

      ￥2.295 ￥2.55
  • 有货
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    实时时钟模块，带SPI总线
    型号：RV-3149-C3-32.768KHZ-OPTION-A-TA-QC 编号：C5366554
    封装：SMD
    品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)
    高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 6ppm @-40°C ~ 85°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。
    数据手册

    • 1+

      ￥25.6

    • 10+

      ￥21.92

    • 30+

      ￥19.74

    • 100+

      ￥17.53

    • 500+

      ￥16.51
  • 有货
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    碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
    型号：TP65H035WS-HXY 编号：C48972071
    封装：TO-247
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的导通特性和高可靠性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为33mΩ，能够有效提升系统效率并降低功耗。该器件具有优异的开关性能和热稳定性，适合应用于中高功率电源转换设备中的主开关元件，如各类适配器、充电器及电源模块中的同步整流与负载切换电路。

    • 1+

      ￥70.3095 ￥74.01

    • 10+

      ￥67.0795 ￥70.61

    • 30+

      ￥61.484 ￥64.72

    • 90+

      ￥56.601 ￥59.58
  • 有货
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    12V电源管理主板
    型号：FLY-12V.001 编号：C18723466
    封装：-
    品牌：FLYOUNG(远阳)
    电源管理板规格：12V智能电源管理板,采用PD快充+升降压管理集成芯片，具有恒流和恒压充电管理模式，具备对电池组11.1V电池充电，充满12.6V，最大充电电流可达4A，稳压输出12V,最大输出电流可达4A，具有过充，过放，过流，短路等一系列保护装置，使用于所有充满电12.6V的锂电池组

    • 1+

      ￥128.58

    • 10+

      ￥122.59

    • 30+

      ￥112.23
  • 有货
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    1.0A表面贴装超快恢复整流二极管
    型号：DSF1G 编号：C541659
    封装：SOD-123
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压400V，正向电流1A，正向电压1.25V@1A,恢复时间35ns，SOD-123封装；功能：超快整流和续流；应用:高频开关电源适配器、消费电子充电器、通信设备的高频电源模块、小型高频逆变器等
    数据手册

    • 50+

      ￥0.084265 ￥0.0887

    • 500+

      ￥0.065835 ￥0.0693

    • 3000+

      ￥0.058045 ￥0.0611

    • 6000+

      ￥0.05187 ￥0.0546

    • 24000+

      ￥0.046455 ￥0.0489

    • 51000+

      ￥0.043605 ￥0.0459
  • 有货
    • 立即购买
    70V 200mA
    型号：BAV70LT1G-HXY 编号：C50176902
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该肖特基二极管具备0.2A的平均整流电流（IF）和70V的反向耐压（VR），适用于中等电压的整流与续流场景。其正向导通压降为1.25V（VF），在同类耐压等级中具有合理的导通损耗表现。反向漏电流为2.5μA（IR），在高温环境下仍可保持较好的阻断能力。该器件适合用于消费类电子产品、便携式设备及通信模块中的电源电路，可应用于DC-DC转换器、电池充电管理电路以及信号整流场合，为需要较高反向耐压和稳定电气性能的电路设计提供支持。

    • 50+

      ￥0.088255 ￥0.0929

    • 500+

      ￥0.06878 ￥0.0724

    • 3000+

      ￥0.05795 ￥0.061

    • 6000+

      ￥0.051395 ￥0.0541

    • 24000+

      ￥0.04579 ￥0.0482

    • 51000+

      ￥0.04275 ￥0.045
  • 有货
    • 立即购买
    表面贴装小信号肖特基二极管
    型号：RB551V-30 编号：C397604
    封装：SOD-323
    品牌：AnBon(安邦)
    特征：反向电压30V，正向连续电流0.5A，SOD-323封装，正向压降0.47V@0.5A；功能：完成中低压电路的低损耗整流、续流，提升电路能效；应用：手机充电电路、微型逆变器辅助回路、传感器供电整流、消费电子的小型电源模块等
    数据手册

    • 50+

      ￥0.11381 ￥0.1198

    • 500+

      ￥0.091865 ￥0.0967

    • 3000+

      ￥0.065835 ￥0.0693

    • 6000+

      ￥0.05852 ￥0.0616

    • 24000+

      ￥0.05225 ￥0.055

    • 51000+

      ￥0.04883 ￥0.0514
  • 有货
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    P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ES2301 S1 编号：C42412314
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2301 S1 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042
  • 有货
    • 立即购买
    0.8A 灵敏栅极可控硅整流器
    型号：MCR100-8 编号：C5444243
    封装：SOT-23
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率，对电磁干扰有很强的抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具
    数据手册

    • 20+

      ￥0.18024 ￥0.2253

    • 200+

      ￥0.14136 ￥0.1767

    • 600+

      ￥0.11976 ￥0.1497

    • 3000+

      ￥0.1068 ￥0.1335

    • 9000+

      ￥0.0956 ￥0.1195

    • 21000+

      ￥0.08952 ￥0.1119
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：FDV303N-HXY 编号：C6285730
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。

    • 20+

      ￥0.19779 ￥0.2082

    • 200+

      ￥0.155705 ￥0.1639

    • 600+

      ￥0.132335 ￥0.1393

    • 3000+

      ￥0.110865 ￥0.1167

    • 9000+

      ￥0.098705 ￥0.1039

    • 21000+

      ￥0.092245 ￥0.0971
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.5A，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2323CDS-T1-GE3-VB 编号：C558256
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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    P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDS9435A(ES) 编号：C42434119
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：NTR4502PT1G-VB 编号：C558219
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    可控硅模块
    型号：2P4M 编号：C2894302
    封装：TO-92
    品牌：FUXINSEMI(富芯森美)
    特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具
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    P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO4459(ES) 编号：C42412323
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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    带自动开关机的锂电池充放电解决方案
    型号：TP4584B 编号：C5464795
    封装：ESOP8
    品牌：TPOWER(天源)
    锂电池充电SOC TP4584B是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块、按键模块和自动开关机模块。内置充电与放电功率MOS，充电电流为250mA，最大同步升压输出电流为500mA。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AO3421E-VB 编号：C557945
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2305AGN-VB 编号：C724974
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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