充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESNQ07R086 编号：C42412312

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583
2500+
￥1.0158
5000+
￥0.9903

有货

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型号：F2800157QPHPRQ1 编号：C22428130

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电器

数据手册

1+
￥32.07
10+
￥28.47
30+
￥26.63
100+
￥24.17
500+
￥23.28

有货

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型号：SCT3017ALHRC11-HXY 编号：C48972078

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高功率密度和高效能的电源转换系统。主要参数包括：漏极电流ID可达120A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为15mΩ，具备较低的导通损耗和优异的开关性能。器件采用高耐压设计，适合用于各类中高压电力电子设备中的主开关或同步整流电路，例如电源适配器、充电装置、储能系统及智能家电等应用中的电力调控模块。

1+
￥148.6275 ￥156.45
30+
￥141.5025 ￥148.95

有货

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型号：GSA12100HS-8 编号：C441466

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

8W,低压输入10V～18V,输出100V,适用于仪器仪表、医疗、高压电解电容充电

数据手册

1+
￥170.25
5+
￥158.35
30+
￥152.95

有货

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型号：GSA12400HS-8 编号：C441464

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

8W,输入10V-18V,输出400V,适用于仪器仪表、医疗、高压电解电容充电

数据手册

1+
￥195.47
3+
￥181.8
30+
￥175.6

有货

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型号：BAV99LT1G-HXY 编号：C50176893

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复耐压（VR）达70V，适用于低电流、中等电压的电路环境。其正向导通压降（VF）为1.25V，在小电流工况下具备良好的整流效率。反向漏电流（IR）典型值为2.5μA，表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合，适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。

50+
￥0.058235 ￥0.0613
500+
￥0.04541 ￥0.0478
3000+
￥0.038285 ￥0.0403
6000+
￥0.03401 ￥0.0358
24000+
￥0.03268 ￥0.0344
51000+
￥0.03059 ￥0.0322

有货

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型号：TP4582B 编号：C5464794

封装：ESOP8

品牌：TPOWER(天源)

锂电池充电SOC TP4582B是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。TP4582B内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块、按键模块和自动开关机模块。TP4582B内置充电与放电功率MOS，充电电流为250mA，最大同步升压输出电流为500mA。

5+
￥0.43821 ￥0.4869
50+
￥0.38043 ￥0.4227
150+
￥0.35145 ￥0.3905
500+
￥0.32976 ￥0.3664
2500+
￥0.31239 ￥0.3471
4000+
￥0.30375 ￥0.3375

有货

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型号：BSS308PE-VB 编号：C878854

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58938 ￥0.6204
50+
￥0.46854 ￥0.4932
150+
￥0.40812 ￥0.4296
500+
￥0.362805 ￥0.3819
3000+
￥0.301435 ￥0.3173
6000+
￥0.28329 ￥0.2982

有货

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型号：TP4337 编号：C29075511

封装：ESOP-10L

品牌：TPOWER(天源)

TP4337是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC，为移动电源等锂电池电子设备提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4337内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块和多种保护模块。TP4337内置充电与放电功率MOS，充电电流固定为1A。

5+
￥0.6355
50+
￥0.5473
150+
￥0.5095
500+
￥0.4623
2500+
￥0.4539
4000+
￥0.4413

有货

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型号：VBE1695 编号：C416259

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.7085 ￥2.01
30+
￥1.5215 ￥1.79
100+
￥1.2835 ￥1.51
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.1135 ￥1.31

有货

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型号：RV-3129-C3-32.768KHZ-8PPM-OPTION-A-TB-QA 编号：C5366552

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 8ppm @-40°C ~ 125°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥29.44
10+
￥25.21
30+
￥22.7
100+
￥20.16
500+
￥18.98

有货

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型号：CMZ1860S11624R0W-XR 编号：C18212292

封装：-

品牌：CDA(智烽维)

特性：独特的超薄外形设计/引脚型端子。无源线性电压平衡电池。快速充电时间/莫仕迷你锁定连接器。免维护备份。与电池相比是绿色解决方案。每个模块都有电压平衡。应用：自动抄表器。汽车子系统

1+
￥275.4 ￥306
24+
￥266.22 ￥295.8

有货

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型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123

有货

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型号：ESP2301LT1G(ES) 编号：C42412342

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

有货

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型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

有货

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型号：MCR100-8G 编号：C784597

封装：TO-92

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，具有强抗电磁干扰能力。应用：电源充电器。 T型工具

数据手册

10+
￥0.2962
100+
￥0.2386
300+
￥0.2098
2000+
￥0.1617
4000+
￥0.1444
10000+
￥0.1358

有货

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型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452

有货

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型号：TP4110 编号：C382136

封装：SOP-16

品牌：TPOWER(天源)

一款专为便携式USB充电风扇设计的单芯片解决方案，内部集成了充电管理模块、升压管理模块、保护模块、按键控制以及档位指示模块。固定充电电流为0.8A，输出电压为4.5V-12V，3档位工作模式，支持一档最大或一档最小可选模式。内部集成了恒温充电工作模式、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出短路保护等安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全，同时应用电路简单，只需很少元件便可实现便携式充电风扇完整方案。

数据手册

5+
￥0.7917
50+
￥0.6914
150+
￥0.6484
500+
￥0.5947
2500+
￥0.5709

有货

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型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
2500+
￥0.526
5000+
￥0.4972

有货

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型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2147
50+
￥1.0677
150+
￥1.0047
500+
￥0.9261
3000+
￥0.8911
6000+
￥0.8701

有货

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型号：NTD3055L170T4G-VB 编号：C725131

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.413 ￥2.54
10+
￥1.919 ￥2.02
30+
￥1.7005 ￥1.79
100+
￥1.444 ￥1.52
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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型号：FD12-36S05A3N2 编号：C18724020

封装：DIP,25.4x25.4mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥27.25
10+
￥27.06
30+
￥26.22
100+
￥25.51

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型号：F2800157QPNRQ1 编号：C18207636

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

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