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台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：SI2319DS-T1-GE3-VB 编号：C558255

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.59223 ￥0.6234
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￥0.47139 ￥0.4962
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￥0.41097 ￥0.4326
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￥0.365655 ￥0.3849
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型号：IRLML5203TRPBF-VB 编号：C558176

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.604865 ￥0.6367
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￥0.423605 ￥0.4459
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￥0.37829 ￥0.3982
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￥0.313975 ￥0.3305
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型号：MI3407-VB 编号：C3040332

封装：SOT-23

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.611325 ￥0.6435
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￥0.490485 ￥0.5163
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￥0.430065 ￥0.4527
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￥0.38475 ￥0.405
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：BT169GW 编号：C3039999

封装：SOT-223

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具

数据手册

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￥0.67113 ￥0.7457
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￥0.53028 ￥0.5892
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￥0.4599 ￥0.511
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￥0.40707 ￥0.4523
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￥0.34974 ￥0.3886
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￥0.32868 ￥0.3652

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型号：SH8MA3TB1-HXY 编号：C48972102

封装：SOP-8

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于中功率电源管理系统。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。该器件结合N沟道与P沟道结构，具备良好的开关特性和稳定性，适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。

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￥1.05355 ￥1.109
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￥1.028945 ￥1.0831
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￥1.01251 ￥1.0658
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￥0.996075 ￥1.0485

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型号：AOD4184A(ES) 编号：C42434099

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.0915
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￥0.8646
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￥0.646

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型号：GBU1010-MS 编号：C51928020

封装：GBU

此款GBU1010-MS采用GBU扁桥封装，最高重复峰值反向电压VRRM 1000V、最大平均正向整流电流I(AV)10A，可抗高反向电动势、稳承中高功率负载；其内置优质芯片，10A电流下正向电压低、损耗小、转换效率高，反向漏电流极小、绝缘性好，封装散热佳、引脚导电抗氧化，长期使用可靠，可用于大功率开关电源、快充充电器前端整流，工业控制设备、大功率家电（空调、电热水器）交直转换，及太阳能中功率逆变器前段、通信基站电源模块。

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￥1.266825 ￥1.3335
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￥1.003485 ￥1.0563
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￥0.890625 ￥0.9375
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￥0.749835 ￥0.7893
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￥0.687135 ￥0.7233
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￥0.649515 ￥0.6837

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型号：SI9945BDY-T1-HXY 编号：C18198388

封装：SOP-8

此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。

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￥1.33578 ￥1.4842
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￥1.06632 ￥1.1848
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￥0.95085 ￥1.0565
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￥0.80676 ￥0.8964
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￥0.66132 ￥0.7348
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￥0.62289 ￥0.6921

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型号：KBL810-MS 编号：C51928014

封装：KBL

此款KBL810-MS为KBL扁桥封装整流桥堆，VRRM:1000V抗高反向电动势，I(AV)8A 稳承中大功率负载。内置GPP芯片，8A时正向压降约1.1V、损耗低，25℃下 1000V反向漏电流仅10μA；-55℃至150℃宽温适配,应用上，可用于开关电源、充电器前端整流，LED 驱动稳流减闪烁，家电交直转换，太阳能逆变器前段，及工业控制、通信设备电源模块。

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￥1.381965 ￥1.4547
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￥1.094685 ￥1.1523
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￥0.971565 ￥1.0227
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￥0.81795 ￥0.861
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￥0.74955 ￥0.789
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￥0.70851 ￥0.7458

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型号：AON7264E(ES) 编号：C42434102

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.408
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￥1.1056
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￥0.976
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￥0.8143
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￥0.7423
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￥0.699

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型号：GBU1510-MS 编号：C51928022

封装：GBU

此款GBU1510-MS采用GBU扁桥封装，最高重复峰值反向电压VRRM 1000V、最大平均正向整流电流I(AV)15A，可抗高反向电动势、稳承中高功率负载；其内置优质芯片，15A电流下正向电压低、损耗小、转换效率高，反向漏电流极小、绝缘性好，封装散热佳、引脚导电抗氧化，长期使用可靠，可用于大功率开关电源、快充充电器前端整流，工业控制设备、大功率家电（空调、电热水器）交直转换，及太阳能中功率逆变器前段、通信基站电源模块。

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￥1.72748 ￥1.8184
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￥1.36838 ￥1.4404
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￥1.21448 ￥1.2784
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￥1.022485 ￥1.0763
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￥0.936985 ￥0.9863
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￥0.885685 ￥0.9323

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型号：ESE6080A 编号：C42412247

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.7599
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￥1.3819
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￥1.2199
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￥1.0178
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￥0.9278
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￥0.8738

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型号：ETA9697E8A 编号：C7435201

封装：ESOP-8

品牌：ETA(钰泰)

ETA9697是一款超低功耗电源管理单元（PMU）,包含两个通道:一个16V单节锂电池线性充电器和一个5V同步升压转换器。线性充电器集成了恒流/恒压控制模块和充电FET,具有最小外部设备。升压转换器可在5V输出时提供0.4A电流,最高效率可达94%。

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￥1.9824
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￥1.5754
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￥1.4009
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￥1.1833
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￥1.0864
4000+
￥1.0282

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型号：IRFR024NTRPBF-VB 编号：C6705278

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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￥1.7 ￥2
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.275 ￥1.5
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￥1.173 ￥1.38
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￥1.105 ￥1.3

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型号：TK8S06K3L-VB 编号：C710105

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.4225 ￥2.55
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￥1.9285 ￥2.03
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.4535 ￥1.53
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￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

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型号：IRLR3110ZPBF-VB 编号：C558182

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

数据手册

1+
￥3.2775 ￥3.45
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￥3.211 ￥3.38
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￥3.154 ￥3.32
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￥3.1065 ￥3.27

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型号：HT1620-64LQFP-7*7 编号：C5444689

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

是一个可显示 128 点 (32×4)、内存映射多功能 LCD 驱动器。该芯片的软件配置特性使其适用于多种 LCD 应用，包括 LCD 模块和显示子系统。连接至主控制器只需 3 或 4 条线。由于内置电容型 Bias 充电泵，能以低工作电流进行工作。涵盖多种产品可满足不同应用需求。

数据手册

1+
￥5.06
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￥4.07
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￥3.58
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￥3.09

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型号：HC32F334J8UI-ZFN48TR 编号：C20071238

封装：QFN-48-EP(5x5)

品牌：XHSC(小华)

特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。集成FPU、MPU。支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

1+
￥12.2
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￥10.17
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￥8.89
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￥7.59
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型号：IRFB20N50K-VB 编号：C7568887

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥15.045 ￥17.7
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￥12.869 ￥15.14
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￥10.931 ￥12.86
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￥9.5455 ￥11.23
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￥8.6445 ￥10.17

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型号：FD12-36S12A3N2 编号：C18724018

封装：DIP,25.4x25.4mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥29.34
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￥29.16
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￥28.31
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￥27.6

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型号：AP2309GN-VB 编号：C558075

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.357485 ￥0.3763
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￥0.35017 ￥0.3686
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￥0.345325 ￥0.3635
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￥0.34048 ￥0.3584

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型号：B160Q-13-F-HXY 编号：C52988611

封装：SMA

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路，常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。

10+
￥0.381045 ￥0.4011
100+
￥0.303525 ￥0.3195
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￥0.264765 ￥0.2787
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￥0.235695 ￥0.2481
4000+
￥0.21242 ￥0.2236
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￥0.20083 ￥0.2114

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型号：GBP210-MS 编号：C51928025

封装：GBP

此款GBP210采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 2A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

10+
￥0.414675 ￥0.4365
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￥0.330315 ￥0.3477
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￥0.288135 ￥0.3033
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￥0.2565 ￥0.27
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￥0.231135 ￥0.2433
10000+
￥0.2185 ￥0.23

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型号：DMN3053L-7-HXY 编号：C49420478

封装：SOT-23

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的开关特性和导通能力，适用于多种电源管理与转换场景。其最大漏极电流ID为5A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中低功率应用中的稳定运行；导通电阻RDON仅为33毫欧，有效降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的温度特性和耐用性，可广泛用于消费类电子产品、便携式充电设备、小型电源模块及各类精密电子装置中的开关控制电路。

10+
￥0.434815 ￥0.4577
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￥0.34637 ￥0.3646
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￥0.3021 ￥0.318
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￥0.268945 ￥0.2831
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￥0.24244 ￥0.2552
9000+
￥0.22914 ￥0.2412

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型号：GBL410-MS 编号：C51928029

封装：GBL

此款GBL410-MS采用GBL扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 4A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.46056 ￥0.4848
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￥0.45049 ￥0.4742
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￥0.443745 ￥0.4671
500+
￥0.437 ￥0.46

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型号：IRLML9301TRPBF-VB 编号：C6705286

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.50694 ￥0.5964
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￥0.39882 ￥0.4692
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￥0.34476 ￥0.4056
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￥0.304215 ￥0.3579
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￥0.275315 ￥0.3239
6000+
￥0.25908 ￥0.3048

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型号：Si2399CDS-T1-GE3-VB 编号：C6705310

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.52989 ￥0.6234
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￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
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￥0.272255 ￥0.3203
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￥0.25602 ￥0.3012

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型号：SSM3J01F-VB 编号：C7494443

封装：SOT-23(TO-236)