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型号：GBU610-MS 编号：C51928017

封装：GBU

此款GBU610-MS采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：1000V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流 I(AV)6A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

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型号：GBU1010-MS 编号：C51928020

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU1010-MS采用GBU扁桥封装，最高重复峰值反向电压VRRM 1000V、最大平均正向整流电流I(AV)10A，可抗高反向电动势、稳承中高功率负载；其内置优质芯片，10A电流下正向电压低、损耗小、转换效率高，反向漏电流极小、绝缘性好，封装散热佳、引脚导电抗氧化，长期使用可靠，可用于大功率开关电源、快充充电器前端整流，工业控制设备、大功率家电（空调、电热水器）交直转换，及太阳能中功率逆变器前段、通信基站电源模块。

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型号：GBU608-MS 编号：C51928016

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU608采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：800V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流I (AV)6A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

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型号：GBU1210-MS 编号：C51928021

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU1210-MS采用GBU扁桥封装，最高重复峰值反向电压VRRM 1000V、最大平均正向整流电流I(AV)12A，可抗高反向电动势、稳承中高功率负载；其内置优质芯片，12A电流下正向电压低、损耗小、转换效率高，反向漏电流极小、绝缘性好，封装散热佳、引脚导电抗氧化，长期使用可靠，可用于大功率开关电源、快充充电器前端整流，工业控制设备、大功率家电（空调、电热水器）交直转换，及太阳能中功率逆变器前段、通信基站电源模块。

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型号：AON7264E(ES) 编号：C42434102

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：KBL810-MS 编号：C51928014

封装：KBL

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款KBL810-MS为KBL扁桥封装整流桥堆，VRRM:1000V抗高反向电动势，I(AV)8A 稳承中大功率负载。内置GPP芯片，8A时正向压降约1.1V、损耗低，25℃下 1000V反向漏电流仅10μA；-55℃至150℃宽温适配,应用上，可用于开关电源、充电器前端整流，LED 驱动稳流减闪烁，家电交直转换，太阳能逆变器前段，及工业控制、通信设备电源模块。

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￥1.0227

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型号：ESGNH10R17 编号：C42412350

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNH10R17 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：IRFR024NTRPBF-VB 编号：C6705278

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：FDD8896-VB 编号：C709962

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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型号：STD12NF06T4-VB 编号：C879013

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.091 ￥2.46
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型号：IRLR014NTRPBF-VB 编号：C6705288

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：NTD3055L104G-VB 编号：C7429082

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：TK8S06K3L-VB 编号：C710105

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.4225 ￥2.55
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型号：BSC0702LS(ES) 编号：C42434106

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

BSC0702LS(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥3.37
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￥1.89
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￥1.79

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型号：BTA20-800CW 编号：C3013740

封装：TO-220A

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具

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￥2.124 ￥2.36

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型号：FQPF33N10L-VB 编号：C19711240

封装：TO-220

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥4.3415 ￥4.57
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型号：2SK3148-VB 编号：C709587

封装：TO-220F-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥4.864 ￥5.12
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型号：HT1620-64LQFP-7*7 编号：C5444689

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

是一个可显示 128 点 (32×4)、内存映射多功能 LCD 驱动器。该芯片的软件配置特性使其适用于多种 LCD 应用，包括 LCD 模块和显示子系统。连接至主控制器只需 3 或 4 条线。由于内置电容型 Bias 充电泵，能以低工作电流进行工作。涵盖多种产品可满足不同应用需求。

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￥5.2
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￥4.21
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￥3.72
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￥3.23

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型号：IRLR3110ZPBF-VB 编号：C558182

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥5.7665 ￥6.07
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￥4.6835 ￥4.93
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￥4.142 ￥4.36
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.926 ￥3.08

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型号：FDP047AN08AO-VB 编号：C2680877

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥6.403 ￥6.74
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￥5.301 ￥5.58
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.553 ￥3.74

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型号：ATMEGA406-1AAU 编号：C1338456

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega406 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega406 在 1 MHz 时可达到接近 1 MIPS 的吞吐量。ATmega406 提供以下特性：电压调节器、专用电池保护电路、集成的电池平衡 FET、高压模拟前端以及带有两个 ADC 和片上电压参考的 MCU，用于电池电量计。电压调节器可以在 4.0 - 25 伏特的宽电压范围内工作。该电压被调节为恒定的 3.3 伏特（标称值），用于集成逻辑和模拟功能。电池保护电路监测电池电压和充放电电流，以检测非法状态并在必要时保护电池。非法状态包括放电时的深度欠压、放电时的短路以及充电和放电时的过流。集成的电池平衡 FET 允许通过软件实现电池平衡算法。MCU 提供以下特性：40K 字节的 In-System Programmable Flash，具有读写同时进行的能力；512 字节 EEPROM；2K 字节 SRAM；32 个通用工作寄存器；18 条通用 I/O 线；11 条高压 I/O 线；一个 JTAG 接口，支持片上调试和编程；两个灵活的 Timer/Counters，具有 PWM 和比较模式；一个唤醒定时器；符合 SM-Bus 标准的 TWI 模块；内部和外部中断；一个 12 位 Sigma Delta ADC 用于电压和温度测量；一个高分辨率 Sigma Delta ADC 用于库仑计数和瞬时电流测量；一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器；以及四种软件可选的节能模式。AVR 核心结合了丰富的指令集与 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构比传统的 CISC 微控制器更高效，并且可以实现高达十倍的吞吐量。空闲模式停止 CPU，但允许芯片上的其他功能继续运行。掉电模式允许电压调节器、电池保护、调节器电流检测、看门狗定时器和唤醒定时器运行，同时禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，唤醒定时器和库仑计数 ADC 继续运行。该设备采用 Atmel 的高压高密度非易失性存储器技术制造。片上 ISP Flash 允许程序存储器通过常规的非易失性存储器编程器或由运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用 Flash 存储器中。当应用 Flash 部分更新时，引导 Flash 部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与系统内自编程 Flash、电量计 ADC、专用电池保护电路、电池平衡 FET 和电压调节器集成在一块单片上，Atmel ATmega406 成为了一个功能强大的微控制器，为锂离子智能电池应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

数据手册

1+
￥32.64
10+
￥28.34
30+
￥25.63
250+
￥23.05

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型号：F2800157QPNRQ1 编号：C18207636

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员，专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU，使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB（128KW）的闪存。此外，还提供高达 36KB（18KW）的片上 SRAM，以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口（如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。

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1+
￥39.53
10+
￥34
30+
￥30.62

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型号：IKQ75N120CH3 编号：C467848

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

数据手册

1+
￥53.5
10+
￥48.29
30+
￥45.11

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型号：TMR 4811 编号：C6559795

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥107.92 / 个

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型号：GSA24500HS-4 编号：C441468

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

4W,18V～36V输入,隔离升压,500VDC输出,适用于仪器仪表、高压电容充电

数据手册

1+
￥213.85
3+
￥199.3
50+
￥189.41

有货

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型号：RS-06FL7-0R016 编号：C2924158

封装：1206

品牌：Viking(光颉)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的元件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块 (VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。磁盘驱动器

数据手册

50+
￥0.1173
500+
￥0.0914
1500+
￥0.077
5000+
￥0.0684

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型号：B160Q-13-F-HXY 编号：C52988611

封装：SMA

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有1A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及高频开关电路，常见于消费类电源适配器、便携设备充电模块及通用电子系统中。

10+
￥0.21166 ￥0.2228
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￥0.207005 ￥0.2179
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￥0.20387 ￥0.2146
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￥0.20083 ￥0.2114

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型号：DMN3053L-7-HXY 编号：C49420478

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的开关特性和导通能力，适用于多种电源管理与转换场景。其最大漏极电流ID为5A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中低功率应用中的稳定运行；导通电阻RDON仅为33毫欧，有效降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的温度特性和耐用性，可广泛用于消费类电子产品、便携式充电设备、小型电源模块及各类精密电子装置中的开关控制电路。

10+
￥0.24149 ￥0.2542
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￥0.23617 ￥0.2486
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￥0.232655 ￥0.2449
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￥0.22914 ￥0.2412

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型号：GBP210-MS 编号：C51928025

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP210采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 2A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

10+
￥0.2424
100+
￥0.2371
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￥0.2336

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型号：MSB30M 编号：C48783761

封装：UMSB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

整流桥是一种用于交流电转换为直流电的常用分立器件，适用于多种电源变换与整流应用。该器件支持最大3A的整流电流，正向压降为1.1V@3A，有助于提升整流效率并降低功耗。其直流反向耐压可达1000V，反向漏电流仅为5uA@1000V，具备良好的阻断性能和稳定性。此类整流桥常用于电源模块、充电设备、消费类电子产品及小型电器中，适合对电源转换效率与可靠性有要求的应用场景。

10+
￥0.2621
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￥0.2563
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￥0.2525
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￥0.2486

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