充电模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.592325 ￥0.6235
50+
￥0.471485 ￥0.4963
150+
￥0.411065 ￥0.4327
500+
￥0.36575 ￥0.385
3000+
￥0.31407 ￥0.3306
6000+
￥0.295925 ￥0.3115

有货

立即购买

型号：BT169GW 编号：C3039999

封装：SOT-223

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具

数据手册

5+
￥0.67113 ￥0.7457
50+
￥0.53028 ￥0.5892
150+
￥0.4599 ￥0.511
500+
￥0.40707 ￥0.4523
2500+
￥0.34974 ￥0.3886
5000+
￥0.32868 ￥0.3652

有货

立即购买

型号：SI9945BDY-T1-HXY 编号：C18198388

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款SOP-8封装的消费级双N沟道MOSFET，专为高耐压、大电流应用设计，额定电压60V，连续通过电流高达6.5A。卓越的开关效能与低导通电阻使其成为充电器、电源模块和高效能电子设备的理想选择，确保在各种电源转换场景下实现可靠且节能的性能表现。

5+
￥1.33578 ￥1.4842
50+
￥1.06632 ￥1.1848
150+
￥0.95085 ￥1.0565
500+
￥0.80676 ￥0.8964
3000+
￥0.66132 ￥0.7348
6000+
￥0.62289 ￥0.6921

有货

立即购买

型号：ESE6080A 编号：C42412247

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.7599
50+
￥1.3819
150+
￥1.2199
500+
￥1.0178
2500+
￥0.9278
5000+
￥0.8738

有货

立即购买

型号：GBU1510-MS 编号：C51928022

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU1510-MS采用GBU扁桥封装，最高重复峰值反向电压VRRM 1000V、最大平均正向整流电流I(AV)15A，可抗高反向电动势、稳承中高功率负载；其内置优质芯片，15A电流下正向电压低、损耗小、转换效率高，反向漏电流极小、绝缘性好，封装散热佳、引脚导电抗氧化，长期使用可靠，可用于大功率开关电源、快充充电器前端整流，工业控制设备、大功率家电（空调、电热水器）交直转换，及太阳能中功率逆变器前段、通信基站电源模块。

5+
￥1.8184
50+
￥1.4404
150+
￥1.2784

有货

立即购买

型号：IRFR2407TRPBF-VB 编号：C5240524

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥2.907 ￥3.42
10+
￥2.839 ￥3.34
30+
￥2.7965 ￥3.29
100+
￥2.754 ￥3.24

有货

立即购买

型号：IRLR8103VTRPBF-VB 编号：C5878824

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.1365 ￥3.69
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.244 ￥2.64
100+
￥1.955 ￥2.3
500+
￥1.666 ￥1.96
1000+
￥1.5725 ￥1.85

有货

立即购买

型号：IRFB20N50K-VB 编号：C7568887

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥15.045 ￥17.7
10+
￥12.869 ￥15.14
50+
￥10.931 ￥12.86
100+
￥9.5455 ￥11.23
500+
￥8.9165 ￥10.49
1000+
￥8.6445 ￥10.17

有货

立即购买

型号：RV-3149-C3-32.768KHZ-25PPM-OPTION-B-TA-QC 编号：C5366553

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 25ppm @-40°C ~ 85°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥21.85
10+
￥18.79
30+
￥16.97
100+
￥15.13
500+
￥14.28

有货

立即购买

型号：FD12-36S12A3N2 编号：C18724018

封装：DIP,25.4x25.4mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥29.34
10+
￥29.16
30+
￥28.31
100+
￥27.6

有货

立即购买

型号：RV-3149-C3-32.768KHZ-8PPM-OPTION-A-TB-QA 编号：C5366555

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 8ppm @-40°C ~ 125°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥30.16
10+
￥25.93
30+
￥23.42
100+
￥20.88
500+
￥19.71
1000+
￥19.18

有货

立即购买

型号：GHA24400HS-25 编号：C2999063

封装：插件

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

用于仪器仪表、高压电解电容充电

数据手册

1+
￥715.72
30+
￥679.74

有货

立即购买

型号：HoRS1210-1/2W-50mR-5% 编号：C2912748

封装：1210

品牌：Milliohm(毫欧)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器

数据手册

20+
￥0.0893
200+
￥0.0876
600+
￥0.0864
2000+
￥0.0853

订货

我要订货

型号：HoRS1210-1/2W-510mR-1% 编号：C2912749

封装：1210

品牌：Milliohm(毫欧)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器

数据手册

50+
￥0.1307
500+
￥0.1037
1500+
￥0.0887
5000+
￥0.0712
25000+
￥0.0634
50000+
￥0.0592

有货

立即购买

型号：HoRS1210-1/2W-510mR-5% 编号：C2912750

封装：1210

品牌：Milliohm(毫欧)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器

数据手册

20+
￥0.1415
200+
￥0.113
600+
￥0.0972
5000+
￥0.0752
10000+
￥0.0669
20000+
￥0.0625

有货

立即购买

型号：SS54BF 编号：C50177006

封装：SMBF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管具有5A的平均整流电流（IF）和60V的反向耐压（VR），适用于中等电压和较高电流的整流场景。其正向导通压降典型值为0.7V，在大电流工作条件下可显著降低导通损耗，提升整体能效。反向漏电流为100µA，具备基本的反向阻断能力。器件广泛用于开关电源、直流-直流转换模块、电池充电管理电路、光伏系统以及高性能消费类电子产品中的续流与防倒灌应用，具有响应速度快、热稳定性良好等特性，适合对效率要求较高的功率转换场合。

10+
￥0.1599
100+
￥0.1564
300+
￥0.154

有货

立即购买

型号：IRLML9301TRPBF-VB 编号：C6705286

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27234 ￥0.3204
50+
￥0.265795 ￥0.3127
150+
￥0.26146 ￥0.3076
500+
￥0.257125 ￥0.3025

有货

立即购买

型号：SI2319DS-T1-GE3-VB 编号：C558255

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.32148 ￥0.3384
50+
￥0.31426 ￥0.3308
150+
￥0.309415 ￥0.3257
500+
￥0.30457 ￥0.3206

有货

立即购买

型号：DMP3099L-7-VB 编号：C558116

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.326515 ￥0.3437
50+
￥0.319295 ￥0.3361
150+
￥0.31445 ￥0.331
500+
￥0.309605 ￥0.3259

有货

立即购买

型号：2P4M 编号：C42380669

封装：SOT-89-3L

品牌：Slkor(萨科微)

特性：工作和储存结温范围 Tj、Tstg：-55℃ 至 +150℃。适用于电热毯、电子罐等各种温度控制。适用于电动缝纫机、微型电机速度控制。适用于灯光显示设备、娱乐显示屏等调光器。适用于自动燃气打火机、电池充电器。适用于固态静态开关等

10+
￥0.3574
100+
￥0.2826
300+
￥0.2451
1000+
￥0.217
5000+
￥0.1946
10000+
￥0.1833

有货

立即购买

型号：GBP610-MS 编号：C51928028

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP610-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 6A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.3669
50+
￥0.3588
150+
￥0.3535

有货

立即购买

型号：ESE3050K 编号：C42434105

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE3050K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.3727
50+
￥0.3641
150+
￥0.3583
500+
￥0.3525

有货

立即购买

型号：CRS08 编号：C41424802

封装：SOD-123FL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款肖特基二极管具有卓越的性能，其最大整流电流IF/A为1.5安培，反向阻断电压VR/V最高可达40伏特。在正向导通状态下，电压降VF/V仅为0.55伏特，展现出较低的功耗特性。此外，其在反偏条件下漏电流IR/uA为500微安，瞬态峰值电流IFSM/A能够达到50安培，适合于高速开关应用。此二极管适用于消费电子设备中的电源管理部分，如便携式设备充电电路、个人电子产品内的电压转换模块，以及任何需要高效能、低电压降和快速开关响应的应用场景。

10+
￥0.426219 ￥0.4583
100+
￥0.336939 ￥0.3623
300+
￥0.292299 ￥0.3143
3000+
￥0.258819 ￥0.2783
6000+
￥0.232035 ￥0.2495
9000+
￥0.21855 ￥0.235

有货

立即购买

型号：GBL410-MS 编号：C51928029

封装：GBL

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBL410-MS采用GBL扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 4A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.4848
50+
￥0.4742
150+
￥0.4671

有货

立即购买

型号：AP2305AGN-VB 编号：C724974

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.544425 ￥0.6405
50+
￥0.438175 ￥0.5155
150+
￥0.38505 ￥0.453
500+
￥0.345185 ￥0.4061
3000+
￥0.28968 ￥0.3408
6000+
￥0.2737 ￥0.322

有货

立即购买

型号：CES2331-VB 编号：C692950

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.548335 ￥0.6451
50+
￥0.439705 ￥0.5173
150+
￥0.385475 ￥0.4535
500+
￥0.344675 ￥0.4055
3000+
￥0.276505 ￥0.3253
6000+
￥0.260185 ￥0.3061

有货

立即购买

型号：SSM3J328R-VB 编号：C7494583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57684 ￥0.6072
50+
￥0.456 ￥0.48
150+
￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

型号：SI2323DS-T1-GE3-VB 编号：C6705309

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57912 ￥0.6096
50+
￥0.45828 ￥0.4824
150+
￥0.397955 ￥0.4189
500+
￥0.35264 ￥0.3712
3000+
￥0.31388 ￥0.3304
6000+
￥0.295735 ￥0.3113

有货

立即购买

型号：TP4366E 编号：C382127

封装：ESOP-8-EP

品牌：TPOWER(天源)

TP4366E是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案，内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块。TP4366E内置充电与放电功率MOS，充电电流固定为0.8A，同步升压支持1A输出电流。TP4366E内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等多重安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全，应用电路简单，只需很少元件便可实现充电管理与放电管理。

数据手册

5+
￥0.79553 ￥0.8374
50+
￥0.62244 ￥0.6552
150+
￥0.535895 ￥0.5641
500+
￥0.47101 ￥0.4958
2500+
￥0.419045 ￥0.4411
4000+
￥0.39311 ￥0.4138

有货

立即购买

型号：SH8MA3TB1-HXY 编号：C48972102

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具有7A连续漏极电流（ID）和30V漏源耐压（VDSS），适用于中功率电源管理系统。导通电阻（RDON）低至25mΩ，可有效减少导通损耗，提升整体效率。该器件结合N沟道与P沟道结构，具备良好的开关特性和稳定性，适合用于电源适配器、充电管理模块、DC-DC转换器及各类便携式电子设备中的功率控制应用。

5+
￥1.05355 ￥1.109
50+
￥1.028945 ￥1.0831
150+
￥1.01251 ￥1.0658
500+
￥0.996075 ￥1.0485

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示