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描述

价格(含税)

库存

操作

1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：WPM3401-3/TR-VB 编号：C7494596

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.611325 ￥0.6435
50+
￥0.490485 ￥0.5163
150+
￥0.430065 ￥0.4527
500+
￥0.38475 ￥0.405
3000+
￥0.33934 ￥0.3572
6000+
￥0.321195 ￥0.3381

有货

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32位ARM Cortex-M4微控制器

型号：HC32F334KATI-LQFP64 编号：C20071243

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：XHSC(小华)

特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。集成FPU、MPU。支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

1+
￥14.04
10+
￥11.7
30+
￥10.24
160+
￥8.74
480+
￥8.06
960+
￥7.77

有货

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陶瓷电阻 40mΩ ±1% 500mW 停产

型号：HoRS1210-1/2W-40mR-1% 编号：C2912747

封装：1210

品牌：Milliohm(毫欧)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器

数据手册

20+
￥0.1588
200+
￥0.1237
600+
￥0.1042
5000+
￥0.0925
10000+
￥0.0824
20000+
￥0.0769

有货

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双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：AQHV12-01LTG-C 编号：C1974808

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQHVxx-01LTG-C系列提供了高效的ESD、EFT和雷电浪涌保护元件。它非常适合用于电源接口、乘客充电接口、LED照明模块和低速I/O。其±30kV的ESD额定值超过了IEC 61000-4-2国际标准中规定的最大ESD额定要求，且性能不会下降。AQHV12-C可承受高达10A的浪涌电流（符合IEC 61000-4-5第二版标准），在雷电感应事件中提供低电压钳位水平。

数据手册

5+
￥1.042
50+
￥0.825
150+
￥0.732
500+
￥0.6159
2500+
￥0.5643
5000+
￥0.5333

有货

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N沟道，30V，41A，5.0mΩ@10V,20A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESDNJ03R4 编号：C42412251

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.3259
50+
￥1.1579
150+
￥1.0859
500+
￥0.996
2500+
￥0.956

有货

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N沟道，68V，80A，7.3mΩ@10V,30A，2.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR3607TRPBF(ES) 编号：C42434113

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

1+
￥1.95
10+
￥1.69
30+
￥1.59
100+
￥1.45
500+
￥1.39
1000+
￥1.35

有货

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P沟道，-30V，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.7A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO6405(ES) 编号：C42434118

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6238
50+
￥0.4894
150+
￥0.4222
500+
￥0.3718
3000+
￥0.3315

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2319CDS-T1-GE3-VB 编号：C558254

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.655975 ￥0.6905
50+
￥0.535135 ￥0.5633
150+
￥0.474715 ￥0.4997
500+
￥0.4294 ￥0.452
3000+
￥0.34903 ￥0.3674
6000+
￥0.33098 ￥0.3484

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7208
50+
￥0.6263
150+
￥0.5858
500+
￥0.5352
2500+
￥0.5127
5000+
￥0.4992

有货

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N沟道，30V，32A，10.0mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON6204(ES) 编号：C42412241

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5243

有货

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P沟道，-30V,，-12.4A，7.5mΩ@-10V,-12A，-1.4V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4409A(ES) 编号：C42412351

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品

5+
￥0.8248
50+
￥0.652
150+
￥0.5656
500+
￥0.5008
2500+
￥0.449
4000+
￥0.423

有货

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P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9387
50+
￥0.7371
150+
￥0.6507
500+
￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

有货

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DC-DC模块电源

型号：GSA12500HS-4 编号：C441463

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

4W,输入10V～18V,直流高压输出500V,适用于仪器仪表、高压电容充电

数据手册

1+
￥190.86
30+
￥181.27

有货

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0.8A 灵敏栅极可控硅整流器

型号：MCR100-8-23 编号：C2984760

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具

数据手册

10+
￥0.1683 ￥0.187
100+
￥0.13041 ￥0.1449
300+
￥0.10935 ￥0.1215
3000+
￥0.10161 ￥0.1129
6000+
￥0.09072 ￥0.1008
9000+
￥0.08478 ￥0.0942

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：VB2355 编号：C416212

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.574655 ￥0.6049
50+
￥0.453815 ￥0.4777
150+
￥0.393395 ￥0.4141
500+
￥0.34808 ￥0.3664
3000+
￥0.286235 ￥0.3013
6000+
￥0.26809 ￥0.2822

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB 编号：C3040216

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.641725 ￥0.6755
50+
￥0.52098 ￥0.5484
150+
￥0.46056 ￥0.4848
500+
￥0.41534 ￥0.4372
3000+
￥0.31369 ￥0.3302
6000+
￥0.29564 ￥0.3112

有货

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N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

有货

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2个N沟道，30V，13A，7.5mΩ@10V,13A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747

有货

立即购买

N沟道，60V，80A，4.6mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2888
50+
￥1.1208
150+
￥1.0488
500+
￥0.959
2500+
￥0.919
5000+
￥0.895

有货

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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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N沟道，100V，15A，80mΩ@10V,10A，1.8V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRLR3410TRPBF(ES) 编号：C42412310

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.5745
50+
￥1.2217
150+
￥1.0705
500+
￥0.8819

有货

立即购买

N沟道，100V，18A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250μA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR3410TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.6
50+
￥1.39
150+
￥1.3
500+
￥1.19

有货

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实时时钟模块，带SPI总线

型号：RV-3149-C3-32.768KHZ-OPTION-A-TB-QA 编号：C5366555

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 8ppm @-40°C ~ 125°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥29.44
10+
￥25.21
30+
￥22.7
100+
￥20.16
500+
￥18.98

有货

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DC-DC模块电源

型号：GSA12600HS-4 编号：C441462

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

4W,输入12V,直流高压输出600V,适用于仪器仪表、高压电容充电

数据手册

1+
￥209.15
3+
￥196.01
30+
￥189.41

有货

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DC-DC模块电源

型号：GSA24600HS-4 编号：C441467

封装：插件,50.8x25.4mm

品牌：GTL-POWER(冠图电子)

4W，输入24V,隔离升压,输出600V,适用于仪器仪表、高压电容充电等

数据手册

1+
￥214.39
3+
￥199.4
30+
￥192.6

有货

立即购买

0.8A 灵敏栅极可控硅整流器

型号：MCR100-8-23L 编号：C3018488

封装：SOT-23-3L

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，具有强抗电磁干扰能力。应用：电源充电器。 T型工具

数据手册

10+
￥0.2457 ￥0.273
100+
￥0.19818 ￥0.2202
300+
￥0.17442 ￥0.1938
3000+
￥0.14571 ￥0.1619
6000+
￥0.13149 ￥0.1461

有货

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600V 5mA

型号：X0405M 编号：C42371340

封装：TO-252

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，抗电磁干扰能力强。应用：电源充电器。 T型工具

5+
￥0.54153 ￥0.6017
50+
￥0.47133 ￥0.5237
150+
￥0.43623 ￥0.4847
500+
￥0.40995 ￥0.4555
3000+
￥0.38889 ￥0.4321
6000+
￥0.37836 ￥0.4204

有货

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N沟道，30V，40A，6.5mΩ@10V,18A，1.35V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7400A(ES) 编号：C42434123

封装：PDFN3X3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7400A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.574
50+
￥0.504
150+
￥0.469
500+
￥0.4428
2500+
￥0.4218
5000+
￥0.4113

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3401-VB 编号：C709885

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.62187 ￥0.6546
50+
￥0.50103 ￥0.5274
150+
￥0.44061 ￥0.4638
500+
￥0.395295 ￥0.4161
3000+
￥0.295165 ￥0.3107
6000+
￥0.27702 ￥0.2916

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N沟道，60V，30A，14mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE6050KA 编号：C42412311

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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