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首页 > 热门关键词 > 充电模块
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ZPL20SXX00WS系列是一款适用于恶劣工业环境、电动汽车充电器和汽车应用的PCB安装开关电源模块。该模块具有宽范围的交流和直流输入电压,高效低待机功耗,内置EMI滤波组件,并符合EN55032 Class B标准。
  • 1+

    ¥188.07
  • 200+

    ¥75.04
  • 480+

    ¥72.54
  • 1000+

    ¥71.3
  • 订货
  • GSM11系列是一款11W通用输入AC/DC电源模块,具有小尺寸设计。适用于各种医疗设备应用,包括小型单板计算机、电池充电和运行小型电机、泵和电磁阀。
    • 1+

      ¥852.95
    • 240+

      ¥340.33
    • 480+

      ¥328.96
    • 960+

      ¥323.34
  • 订货
  • CP3500AC65TEZ是一款高效率的电源模块,支持100-240Vac输入,提供65Vdc@3500W和5Vdc@10W的输出。具有96%以上的转换效率,符合80+ Titanium标准。支持PMBus和RS485通信接口,适用于多种应用如激光器、工业电池充电器等。
    • 1+

      ¥6571.06
    • 200+

      ¥6171.54
    • 500+

      ¥5965.31
    • 1000+

      ¥5863.41
  • 订货
  • 特性:具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率,具有较强的抗电磁干扰能力。应用:电源充电器。 T型工具
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3334
    • 100+

      ¥0.2719
    • 300+

      ¥0.2412
    • 1000+

      ¥0.1824
    • 5000+

      ¥0.164
    • 10000+

      ¥0.1547
  • 有货
  • 特性:具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率,抗电磁干扰能力强。应用:电源充电器。 T型工具
    数据手册
    • 5+

      ¥1.232
    • 50+

      ¥1.0052
    • 150+

      ¥0.908
    • 500+

      ¥0.7868
    • 3000+

      ¥0.5675
    • 6000+

      ¥0.535
  • 有货
  • 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性,特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中,实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
    • 20+

      ¥0.170765 ¥0.2009
    • 200+

      ¥0.13124 ¥0.1544
    • 600+

      ¥0.10931 ¥0.1286
    • 3000+

      ¥0.095115 ¥0.1119
    • 9000+

      ¥0.08364 ¥0.0984
    • 21000+

      ¥0.07752 ¥0.0912
  • 有货
  • BT151 系列可控硅整流器具有很强的承受大电流冲击负载的能力,提供高 dv/dt 速率,且抗电磁干扰能力强。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、电动工具等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7074
    • 50+

      ¥0.5682
    • 150+

      ¥0.4986
    • 500+

      ¥0.4464
    • 2500+

      ¥0.3597
    • 5000+

      ¥0.3388
  • 有货
  • TP4333 是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案,内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与 LED 指示模块、保护模块。 TP4333 内置充电与放电功率 MOS,充电电流固定为 0.8A,同步升压支持 1A 输出电流。 TP4333 内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等多重安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全,应用电路简单,只需很少元件便可实现充电管理与放电管理。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.77634 ¥0.8172
    • 50+

      ¥0.61674 ¥0.6492
    • 150+

      ¥0.53694 ¥0.5652
    • 500+

      ¥0.47709 ¥0.5022
    • 2500+

      ¥0.376485 ¥0.3963
    • 4000+

      ¥0.35245 ¥0.371
  • 有货
  • 特性:ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU,120MHz/150DMIPS,128KB Flash,36KB SRAM,5KB OTP,15Timers,6HRPWMs,3ADCs,3DACs,3CMPs,4UARTs,3LINs,1SPI,1I2C,2CAN FDs(FD/2.0B)。 集成FPU、MPU。 支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。 最高工作主频120MHz,达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。 最大128KB的Flash memory,最大36KB的单周期访问高速SRAM。 系统电源:1.8~3.63V。应用:面向AC/DC、DC/DC数字电源应用,如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等
    • 1+

      ¥14.04
    • 10+

      ¥11.7
    • 30+

      ¥10.24
    • 160+

      ¥8.74
    • 480+

      ¥8.06
    • 960+

      ¥7.77
  • 有货
  • 特性:具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率,对电磁干扰有很强的抵抗力。应用:电源充电器。 T型工具
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5781
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      ¥0.4677
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      ¥0.4125
    • 1000+

      ¥0.332
    • 2000+

      ¥0.2989
    • 5000+

      ¥0.2823
  • 有货
  • P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。
    • 1+

      ¥1.79
    • 10+

      ¥1.56
    • 30+

      ¥1.46
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      ¥1.34
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      ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.25
  • 有货
  • TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员,专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU,使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心,该核心提供 120 MHz 的信号处理性能,可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC(循环冗余校验)扩展指令集,从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB(128KW)的闪存。此外,还提供高达 36KB(18KW)的片上 SRAM,以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上,并与处理和 PWM 单元紧密耦合,以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级,从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口(如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD)支持接口,并提供多种引脚复用选项,以实现最佳的信号放置。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.27
    • 10+

      ¥14.53
    • 30+

      ¥12.82
    • 100+

      ¥11.06
    • 500+

      ¥10.27
  • 有货
  • TP4336是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理SOC,为移动电源等锂电池电子设备提供完整的单芯片电源解决方案。 TP4336内部集成了线性充电管理模块、同步升压放电管理模块、电量检测与LED指示模块和多种保护模块。TP4336内置充电与放电功率MOS,充电电流固定为1A。
    • 5+

      ¥0.5443
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      ¥0.4743
    • 150+

      ¥0.4393
    • 500+

      ¥0.413
    • 2500+

      ¥0.4025
    • 4000+

      ¥0.392
  • 有货
  • P-Channel增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅。
    • 5+

      ¥1.0773
    • 50+

      ¥0.9408
    • 150+

      ¥0.8823
    • 500+

      ¥0.8093
    • 2500+

      ¥0.7768
    • 5000+

      ¥0.7573
  • 有货
  • 特性:1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。 硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联。 低EMI。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。 充电
    数据手册
    • 1+

      ¥29.91
    • 10+

      ¥26.26
    • 30+

      ¥22.05
    • 100+

      ¥19.86
    • 500+

      ¥18.85
  • 有货
  • ESGNH10R90 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9944
    • 50+

      ¥0.8684
    • 150+

      ¥0.8144
    • 500+

      ¥0.747
    • 2500+

      ¥0.717
  • 有货
  • AON6407(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.4668
    • 50+

      ¥1.2778
    • 150+

      ¥1.1968
    • 500+

      ¥1.0957
    • 2500+

      ¥1.0507
    • 5000+

      ¥1.0237
  • 有货
  • AON6484(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥1.99
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:具有承受大电流冲击负载的高能力。 提供高dv/dt速率,具有强抗电磁干扰能力。应用:电源充电器。 T型工具
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5659
    • 50+

      ¥0.4507
    • 150+

      ¥0.3931
    • 500+

      ¥0.3499
    • 2500+

      ¥0.2889
    • 4000+

      ¥0.2717
  • 有货
  • IRFR3607TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 特性:低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的组件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用:电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块(VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。汽车发动机控制。磁盘驱动器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1588
    • 200+

      ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.1042
    • 5000+

      ¥0.0925
    • 10000+

      ¥0.0824
    • 20000+

      ¥0.0769
  • 有货
  • AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
    • 2500+

      ¥0.5378
  • 有货
  • AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
    • 2500+

      ¥0.5378
    • 5000+

      ¥0.5243
  • 有货
  • ESDNJ03R4是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥1.3259
    • 50+

      ¥1.1579
    • 150+

      ¥1.0859
    • 500+

      ¥0.996
    • 2500+

      ¥0.956
  • 有货
  • AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.7458
    • 50+

      ¥0.6513
    • 150+

      ¥0.6108
    • 500+

      ¥0.5603
    • 2500+

      ¥0.5378
    • 5000+

      ¥0.5243
  • 有货
  • AO4409A(ES)采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AO4409A(ES)为无铅产品
    • 5+

      ¥0.8493
    • 50+

      ¥0.6765
    • 150+

      ¥0.5901
    • 500+

      ¥0.5253
    • 2500+

      ¥0.4734
    • 4000+

      ¥0.4475
  • 有货
  • AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    • 5+

      ¥0.9387
    • 50+

      ¥0.7371
    • 150+

      ¥0.6507
    • 500+

      ¥0.5429
    • 2500+

      ¥0.4949
    • 5000+

      ¥0.466
  • 有货
  • ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 1+

      ¥4.49
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.77
    • 500+

      ¥2.51
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • 8W,输入10V-18V,输出400V,适用于仪器仪表、医疗、高压电解电容充电
    数据手册
    • 1+

      ¥195.47
    • 3+

      ¥181.8
    • 30+

      ¥175.6
  • 有货
  • PMV250EPEAR(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
    • 10+

      ¥0.3336
    • 100+

      ¥0.2616
    • 300+

      ¥0.2256
    • 3000+

      ¥0.1986
    • 6000+

      ¥0.177
    • 9000+

      ¥0.1662
  • 有货
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