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台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：AQHV12-01LTG 编号：C1974442

封装：SOD-523

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQHVxx - 01LTG系列旨在为快速响应、高性能的过压保护元件提供选择。该系列非常适合用于电源接口、乘客充电接口、LED照明模块以及低速I/O。它能保护敏感设备免受静电放电（ESD）和其他过压瞬变的损害。它可以安全地承受高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准最高等级（4级，±8KV接触放电）的反复ESD冲击，且性能不会下降，并能以极低的钳位电压安全传导高达10A（AQHV12）的感应浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）。

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型号：AOD444-VB 编号：C693148

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：NN1-12S05ANT 编号：C18723710

封装：SMD-5

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥13.86
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￥11.78
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型号：IRFB18N50KPBF-VB 编号：C19632198

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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型号：MSPM0L2228SPTR 编号：C43453132

封装：LQFP-48(7x7)

MSPMOLx22x微控制器(MCU)属于高度集成的超低功耗32位MSPM0MCU系列，该MCU系列基于Arm Cortex-M0+32位内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些MCU为需要采用小型封装（低至4mmx4mm）或高引脚数封装（高达80引脚）的128KB至256KB闪存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括VBAT备用岛、可选的分段式LCD控制器（在MSPMOL222x上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。这些器件提供具有内置纠错码(ECC)且高达256KB的嵌入式闪存程序存储器，以及具有ECC和奇偶校验保护功能且高达32KB的SRAM。闪存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。VBAT岛中提供了一个由VBAT引脚供电的额外32字节备份存储器，其内容即使在主电源(VDD)丢失时也会保持。 VBAT岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V至3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个32字节的备用存储器。多达五个数字IO由VBAT电源供电。提供了一种充电模式，用于在VDD大于VBAT时选择通过主(VBAT)电源对VBAT引脚上的超级电容器进行涓流充电。超低功耗分段式LCD控制器（在MSPMOL2228和MSPMOL2227器件上）支持使用多达50个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动LCD玻璃，从而实现低成本显示。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种AES对称密码模式以及TRNG熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过Arm PSA1级认证。提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持26个外部通道的12位1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。片上电压基准（1.4V或2.5V）可用于为ADC和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD电压和VBAT电压进行内核环境温度监测。

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￥16.77
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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

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￥18.9
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￥18.1

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型号：PIC16CE625-04/SO 编号：C642648

封装：SOIC-18-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC16CE62X 是多功能低成本、高性能CMOS全静态8位微控制器系列中的18引脚和20引脚EPROM型成员，带有EEPROM数据存储器。所有P|C微控制器均采用先进的RISC架构。PIC16CE62X系列具有增强的核心特性、八级深度堆栈以及多个内部和外部中断源。哈佛架构的独立指令和数据总线允许14位宽的指令字与8位宽的数据分开。两阶段指令流水线使得除程序分支（需要两个周期）外的所有指令都能在一个周期内执行。共有35条指令（精简指令集）可用。此外，大量的寄存器集合提供了一些用于实现极高性能的架构创新。PIC16CE62X微控制器通常在其同类8位微控制器中实现了2:1的代码压缩和4:1的速度提升。PIC16CE623和PIC16CE624拥有96字节的RAM，而PIC16CE625则有128字节的RAM。每个微控制器包含一个128x8 EEPROM存储阵列，用于存储非易失性信息，如校准数据或安全码。该存储器具有1,000,000次擦写循环寿命，并能保持数据40年以上。每款设备都有13个I/O引脚和一个带8位可编程预分频器的8位定时器/计数器。此外，PIC16CE62X还增加了两个模拟比较器，配备了一个可编程片上电压参考模块。比较器模块非常适合需要低成本模拟接口的应用场景（例如电池充电器、阈值检测器、白色家电控制器等）。PIC16CE62X器件具备减少外部组件的特殊功能，从而降低了系统成本，提高了系统可靠性，并减少了功耗。提供了四种振荡器选项，其中单引脚RC振荡器提供了一种低成本解决方案，LP振荡器最小化了功耗，XT为标准晶体振荡器，HS适用于高速晶体振荡器。SLEEP（掉电）模式可以节省电力。用户可以通过多种外部和内部中断及复位从SLEEP状态唤醒芯片。一个高度可靠的看门狗定时器配备了专用的片上RC振荡器，以防止软件死锁。UV-可擦除的CERDIP封装版本非常适合代码开发，而成本效益高的一次性编程(OTP)版本适合于任何批量生产。PIC16CE62X系列非常适合从多槽电池充电器到低功耗远程传感器等各种应用。EPROM技术使得定制应用程序（检测水平、脉冲生成、定时器等）变得极其快速方便。小尺寸封装使这一系列微控制器成为所有空间受限应用的理想选择。低成本、低功耗、高性能、易于使用和I/O灵活性使PIC16CE62X非常通用。

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￥27.8391 ￥39.21
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￥18.9312 ￥37.12

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型号：SP10-D0512 编号：C5562824

封装：插件,55x45mm

品牌：ZOEYGO(中逸光)

该系列产品主要应用于工业控制、充电桩、楼宇、安防、通讯等领域。具有宽电压输入范围（85-305VAC，100-430VDC），小巧尺寸（55*45*21mm），空载功耗<0.3W，保护种类包括短路/过载/过压，自然风冷，工作温度范围-40℃至+85℃，3kV隔离耐压。

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￥34.85
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￥32.16
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￥31.63

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型号：MSG100T120FQW 编号：C5353689

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下效率高。 10μs短路耐受时间（Tvj = 175℃）。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：UPS。充电器

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￥37.53
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￥32.24
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￥29.03

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型号：ZAM6222B 编号：C19272625

封装：DIP-16

品牌：ZLG(致远电子)

特性：双通道PT1000热电阻测量。 -100℃-300℃ 测温范围。 0.01℃ 测温分辨率。 0.1% ± 0.1℃ 测温误差（二线制）。 0.02% ± 0.1℃ 测温误差（三线制）。 10ppm/℃ 温漂。应用：工业恒温箱。充电桩

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￥42.62
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￥36.62
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￥32.97

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型号：LT3420EMS-1#PBF 编号：C670533

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LT3420/LT3420-1 能够快速高效地为高电压闪光灯电容充电。这些器件专为数码和胶片相机设计，采用反激式拓扑结构，其效率比竞争的闪光模块高出四倍。一种独特的自适应关断时间控制算法在整个充电周期内保持电流限制连续模式变压器运行，消除了通常在模块中发现的大浪涌电流。LT3420/LT3420-1 的输出电压检测方案通过监测反激电压来间接调节输出电压，从而省去了输出电阻分压器或离散齐纳二极管。这一特性使得电容器能够在完全充电状态下保持而不会消耗过多功率。自动刷新功能（可以被禁用）允许电容器在用户定义的刷新速率下保持充电状态，同时平均输入电流约为2mA。CHARGE 引脚上的逻辑高电平启动充电，而 DONE 引脚则表示电容器已完全充电。

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￥57.74
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￥55.81
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￥54.6938 ￥55.81

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型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

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￥59.62
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￥50.8
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￥45.42

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1 编号：C19631201

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。 EV 充电

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￥91.83
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￥87.2
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￥79.19

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型号：TMR 0523 编号：C6718436

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥123.2 / 个

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型号：TEN 5-2412WI 编号：C6880675

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥202.93 / 个

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型号：RS-06FL7-0R015 编号：C5120077

封装：1206

品牌：Viking(光颉)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的元件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块 (VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。磁盘驱动器

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50+
￥0.1087
500+
￥0.0843
1500+
￥0.0708

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型号：AO3411-VB 编号：C7568789

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.3292
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￥0.3165
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￥0.3114

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型号：2SK4033-VB 编号：C557932

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.3
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￥1.78
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￥1.56
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￥1.29
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￥1.25
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￥1.18

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型号：FN1-05S3V3B3N 编号：C18723901

封装：SIP,19.5x6mm

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥10.28
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￥8.62
30+
￥7.64

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型号：FN1-3V3S12AN 编号：C18723852

封装：SIP,11.5x6mm

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥10.32
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￥8.53
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￥7.55

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型号：FN1-05S24B3N 编号：C18723905

封装：SIP,19.5x6mm

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥10.72
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￥9.07
30+
￥8.04

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型号：FN1-3V3S05BN 编号：C18723853

封装：SIP,19.5x6mm

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥10.97
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￥9.29
30+
￥8.23

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型号：FN1-24S24AN 编号：C18723858

封装：SIP,11.5x6mm

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥14.74
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￥12.48
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￥11.07

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型号：IPP60R165CP-VB 编号：C7525008

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.76
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￥14.2
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￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
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￥9.76

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型号：HCT401C-B 编号：C5375342

封装：插件,26.3x24.6mm

品牌：HOP(北京霍远)

充电桩用计量+B型漏电二合一互感器，漏电部分可进行交直流漏电检测，需配合漏电芯片或漏电模块使用

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￥18.84
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￥17.83
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￥17.23

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型号：F2800157QPNQ1 编号：C22457462

封装：LQFP-80(12x12)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。应用包括：HVAC压缩机模块、前灯、直流/直流转换器、逆变器和电机控制、车载充电器(OBC)和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、感应和信号调理。采用32位锁步双C28x CPU，使得该器件无需过多的软件开销即可成为ASILB级功能安全器件。实时控制子系统基于TI的32位C28x DSP内核，可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码提供120MHz的信号处理性能。三角函数加速器(TMU)和VCRC（循环冗余校验）扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能，从而加快了实时控制系统关键常用算法的速度。支持高达256KB(128KW)的闪存

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￥36.81
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￥35.91
30+
￥35.31

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型号：F2800154QPNRQ1 编号：C34424699

封装：LQFP-80(12x12)