充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：TEN 5-2412WI 编号：C6880675

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥202.93 / 个

有货

立即购买

型号：TEN 5-2422WI 编号：C6880677

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥238.4 / 个

有货

立即购买

型号：RS-06FL7-0R015 编号：C5120077

封装：1206

品牌：Viking(光颉)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的元件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块 (VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。磁盘驱动器

数据手册

50+
￥0.1087
500+
￥0.0843
1500+
￥0.0708

有货

立即购买

型号：SMG2339P-VB 编号：C725187

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.6261
50+
￥0.4989
150+
￥0.4353
500+
￥0.3876
3000+
￥0.3494
6000+
￥0.3303

有货

立即购买

型号：RQJ0303PGDQATL-E-VB 编号：C5441260

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

型号：SM2309PSAC-TRG-VB 编号：C7525099

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

型号：APM2305AC-VB 编号：C558088

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.6599
50+
￥0.5314
150+
￥0.4671
500+
￥0.4189
3000+
￥0.3505
6000+
￥0.3312

有货

立即购买

型号：VBZ3401 编号：C3040193

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

型号：GE3401-VB 编号：C709978

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

型号：FDN304P-NL-VB 编号：C725030

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

我要订货

型号：2SK4033-VB 编号：C557932

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.3
10+
￥1.78
30+
￥1.56
100+
￥1.29
500+
￥1.25
1000+
￥1.18

有货

立即购买

型号：VBE1101N 编号：C480944

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥6.96
10+
￥5.69
30+
￥5.05
100+
￥4.42
500+
￥3.61
1000+
￥3.42

有货

立即购买

型号：MSPM0L1227SRHBR 编号：C42836166

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

MSPMOLx22x微控制器(MCU)属于高度集成的超低功耗32位MSPM0MCU系列，该MCU系列基于Arm Cortex-M0+32位内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些MCU为需要采用小型封装（低至4mmx4mm）或高引脚数封装（高达80引脚）的128KB至256KB闪存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括VBAT备用岛、可选的分段式LCD控制器（在MSPMOL222x上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。这些器件提供具有内置纠错码(ECC)且高达256KB的嵌入式闪存程序存储器，以及具有ECC和奇偶校验保护功能且高达32KB的SRAM。闪存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。VBAT岛中提供了一个由VBAT引脚供电的额外32字节备份存储器，其内容即使在主电源(VDD)丢失时也会保持。 VBAT岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V至3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个32字节的备用存储器。多达五个数字IO由VBAT电源供电。提供了一种充电模式，用于在VDD大于VBAT时选择通过主(VBAT)电源对VBAT引脚上的超级电容器进行涓流充电。超低功耗分段式LCD控制器（在MSPMOL2228和MSPMOL2227器件上）支持使用多达50个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动LCD玻璃，从而实现低成本显示。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种AES对称密码模式以及TRNG熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过Arm PSA1级认证。提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持26个外部通道的12位1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。片上电压基准（1.4V或2.5V）可用于为ADC和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD电压和VBAT电压进行内核环境温度监测。

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥9.46
30+
￥9.29

有货

立即购买

型号：FN1-12S24B 编号：C18723883

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥11.11
10+
￥9.37
30+
￥8.29
100+
￥7.18

有货

立即购买

型号：NN1-12S05ANT 编号：C18723710

封装：SMD-5

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥13.86
10+
￥11.78
30+
￥10.48

有货

立即购买

型号：FN2-12D12C3N 编号：C18723823

封装：SIP,19.5x7mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥15.09
10+
￥12.78
30+
￥11.33

有货

立即购买

型号：STP20NM50FD-VB 编号：C20626366

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥16.61
10+
￥14.06
50+
￥12.46
100+
￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

有货

立即购买

型号：MSPM0L2228SPTR 编号：C43453132

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

MSPMOLx22x微控制器(MCU)属于高度集成的超低功耗32位MSPM0MCU系列，该MCU系列基于Arm Cortex-M0+32位内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些MCU为需要采用小型封装（低至4mmx4mm）或高引脚数封装（高达80引脚）的128KB至256KB闪存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括VBAT备用岛、可选的分段式LCD控制器（在MSPMOL222x上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。这些器件提供具有内置纠错码(ECC)且高达256KB的嵌入式闪存程序存储器，以及具有ECC和奇偶校验保护功能且高达32KB的SRAM。闪存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。VBAT岛中提供了一个由VBAT引脚供电的额外32字节备份存储器，其内容即使在主电源(VDD)丢失时也会保持。 VBAT岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V至3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个32字节的备用存储器。多达五个数字IO由VBAT电源供电。提供了一种充电模式，用于在VDD大于VBAT时选择通过主(VBAT)电源对VBAT引脚上的超级电容器进行涓流充电。超低功耗分段式LCD控制器（在MSPMOL2228和MSPMOL2227器件上）支持使用多达50个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动LCD玻璃，从而实现低成本显示。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种AES对称密码模式以及TRNG熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过Arm PSA1级认证。提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持26个外部通道的12位1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。片上电压基准（1.4V或2.5V）可用于为ADC和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD电压和VBAT电压进行内核环境温度监测。

数据手册

1+
￥17.06
10+
￥16.64
30+
￥16.36

有货

立即购买

型号：SPP20N60C3-VB 编号：C7568837

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥17.7
10+
￥15.15
50+
￥12.46
100+
￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

有货

立即购买

型号：IKW40N120CH7XKSA1 编号：C19631203

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 25℃时，VCEsat = 1.7 V。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥30.7
10+
￥26.46
25+
￥23.94

有货

立即购买

型号：MSG100T120FQW 编号：C5353689

封装：TO-264

品牌：MASPOWER(麦思浦)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下效率高。 10μs短路耐受时间（Tvj = 175℃）。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：UPS。充电器

数据手册

1+
￥39.4
10+
￥34.12
25+
￥30.9

有货

立即购买

型号：IKWH75N65EH7XKSA1 编号：C20191524

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软且快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥40.35
10+
￥35.32
30+
￥32.25

有货

立即购买

型号：ZAM6222B 编号：C19272625

封装：DIP-16

品牌：ZLG(致远电子)

特性：双通道PT1000热电阻测量。 -100℃-300℃ 测温范围。 0.01℃ 测温分辨率。 0.1% ± 0.1℃ 测温误差（二线制）。 0.02% ± 0.1℃ 测温误差（三线制）。 10ppm/℃ 温漂。应用：工业恒温箱。充电桩

1+
￥42.62
10+
￥36.62
30+
￥32.97

有货

立即购买

型号：LD10-23B24R2-RC 编号：C18548133

封装：DIP-4

品牌：MORNSUN(金升阳)

该系列电源具有宽输入电压范围、交直流两用、低功耗、低纹波噪声、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。产品安全可靠，EMC性能好，广泛应用于工业、电力、家电及汽车充电桩等多个领域。

1+
￥42.95
10+
￥36.91
35+
￥33.22

有货

立即购买

型号：IKY40N120CS6 编号：C17514171

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速软开关IGBT6技术，在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

1+
￥44.77
10+
￥38.23
30+
￥34.24

有货

立即购买

型号：SP10-D12 编号：C5562826

封装：插件,55x45mm

品牌：ZOEYGO(中逸光)

该系列产品主要应用于工业控制、充电桩、楼宇、安防、通讯等领域。具有宽电压输入范围（85-305VAC，100-430VDC），小巧尺寸（55*45*21mm），空载功耗<0.3W，保护种类包括短路/过载/过压，自然风冷，工作温度范围-40℃至+85℃，3kV隔离耐压。

1+
￥46.46
10+
￥40.11
24+
￥34.87
96+
￥31.63

有货

立即购买

型号：RAA215300A2GNP#HA0 编号：C27485672

封装：QFN-56

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高性能、低成本的9通道PMIC，适用于32位和64位MCU和MPU应用。支持DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4内存的电源要求。内部补偿稳压器、内置实时时钟（RTC）、32kHz晶体振荡器和纽扣电池充电器，提供高度集成、小尺寸的电源解决方案，适用于系统级模块（SOM）应用。扩频功能为对噪声敏感的音频或RF应用提供了易用的解决方案

1+
￥55.57
10+
￥48.42
30+
￥44.06

有货

立即购买

型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥58.29
10+
￥49.47
30+
￥44.1

有货

立即购买

型号：TMR 1-1211 编号：C6885704

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥62.92 / 个

有货

立即购买

型号：AUIRLR024ZTRPBF-VB 编号：C19188264

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.42
10+
￥1.9
30+
￥1.68
100+
￥1.4
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示