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台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,采用Trench工艺,具有高性能和稳定的特性,适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;18A;RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
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  • TO220;N—Channel沟道,600V;4A;RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体管,适用于电源管理模块、电动车辆充电器等领域和模块
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  • 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
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  • 台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
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      ¥2.28
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单晶N型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,100V;85A;RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~4V;
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单晶N型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,100V;85A;RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~4V;
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用平面技术制造,适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;18A;RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~4V;
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
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  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    • 1+

      ¥16.61
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  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    • 1+

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  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    • 1+

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      ¥9.76
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220;N—Channel沟道,650V;20A;RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
    • 1+

      ¥16.76
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      ¥14.2
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      ¥12.46
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      ¥10.82
    • 500+

      ¥10.08
    • 1000+

      ¥9.76
  • 有货
  • TO247;N—Channel沟道,500V;20A;RDS(ON)=140mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术高性能的单N沟道MOSFET,适用于工业电源、电动汽车充电站等领域和模块
    • 1+

      ¥19.37
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      ¥16.39
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  • 应用:铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防
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    • 10+

      ¥16.65
    • 30+

      ¥14.98
  • 有货
  • 是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件,旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电
    数据手册
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      ¥25.05
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      ¥24.05
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  • 特性:最大结温:TJ = 175℃。 高速开关系列。 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 40 A。 100%的器件经过动态测试。 AEC-Q101认证。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车车载充电器。 混合动力汽车的汽车DC/DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥25.57
    • 10+

      ¥24.99
    • 30+

      ¥24.6
  • 有货
  • 采用新型场截止沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,新款场截止沟槽 IGBT 系列为汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和数字发电机提供了最佳性能,这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。
    数据手册
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      ¥35.11
    • 10+

      ¥30.41
    • 30+

      ¥27.55
  • 有货
  • 是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件,旨在提高电力电子产品的效率。应用包括:HVAC压缩机模块、前灯、直流/直流转换器、逆变器和电机控制、车载充电器(OBC)和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、感应和信号调理。采用32位锁步双C28x CPU,使得该器件无需过多的软件开销即可成为ASILB级功能安全器件。实时控制子系统基于TI的32位C28x DSP内核,可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码提供120MHz的信号处理性能。三角函数加速器(TMU)和VCRC(循环冗余校验)扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能,从而加快了实时控制系统关键常用算法的速度。支持高达256KB(128KW)的闪存
    数据手册
    • 1+

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      ¥34.2
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