充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：LD10-23B24R2-RC 编号：C18548133

封装：DIP-4

品牌：MORNSUN(金升阳)

该系列电源具有宽输入电压范围、交直流两用、低功耗、低纹波噪声、高效率、高可靠性、安全隔离等优点。产品安全可靠，EMC性能好，广泛应用于工业、电力、家电及汽车充电桩等多个领域。

1+
￥42.95
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￥36.91
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型号：F280034SPM 编号：C6196670

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000 实时微控制器系列的一员，该系列器件具有可扩展性、超低延迟，专为提高电力电子产品的效率而设计，包括但不限于：高功率密度、高开关频率以及对 GaN 和 SiC 技术的支持。这些应用包括：电机驱动、家电、混合动力、电动和动力系统、太阳能和电动汽车充电、数字电源、车身电子和照明、测试和测量。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心，该核心提供 120 MHz 的信号处理性能，可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于浮点单元 (FPU)、三角数学单元 (TMU) 和 VCRC（循环冗余校验）扩展指令集，从而加速实时控制系统的关键常用算法。CLA 允许将常见任务从主 C28x CPU 显著卸载。CLA 是一个独立的 32 位浮点数学加速器，可与 CPU 并行执行。此外，CLA 具有自己专用的存储器资源，可以直接访问典型的控制系统所需的关键外设。支持 ANSI C 的子集是标准配置，硬件断点和硬件任务切换等关键功能也是标配。F28003x 支持高达 384KB (192KW) 的闪存，分为三个 128KB (64KW) 存储块，从而实现并行编程和执行。此外，还提供高达 69KB (34.5KW) 的片上 SRAM，以补充闪存。F28003x 上的实时固件更新硬件增强功能允许从旧固件到新固件的快速上下文切换，从而在更新设备固件时最大限度地减少应用程序停机时间。高性能模拟模块集成在 F28003x 实时微控制器 (MCU) 上，并与处理和 PWM 单元紧密耦合，以提供最佳的实时信号链性能。所有支持频率无关分辨率模式的 16 个 PWM 通道，可控制各种功率级，从三相逆变器到功率因数校正和高级多电平功率拓扑。配置逻辑块 (CLB) 的包含允许用户添加自定义逻辑，并可能将 FPGA 类似的功能集成到 C2000 实时 MCU 中。通过各种行业标准通信端口（如 SPI、SCI、I2C、PMBus、LIN、CAN 和 CAN FD）支持接口，并提供多种引脚复用选项，以实现最佳的信号放置。快速串行接口 (FSI) 能够实现高达 200Mbps 的可靠通信，跨越隔离边界。C2000 平台的新增功能是主机接口控制器 (HIC)，这是一种高吞吐量接口，允许外部主机直接访问 TMS320F28003x 的资源。

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￥46
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型号：LTC1043CSW#TRPBF 编号：C7462313

封装：SOIC-18

品牌：ADI(亚德诺)

LTC1043是一款单片、电荷平衡式双路开关电容仪表构建模块。一对开关交替地将外部电容连接到输入电压，然后将已充电的电容跨接在输出端口上

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型号：TMR 1-1211 编号：C6885704

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥70.98 / 个

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型号：TEN 5-4811WI 编号：C6880679

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥221.43 / 个

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型号：AUIRLR024ZTRPBF-VB 编号：C19188264

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.27
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型号：VBM16R04 编号：C42412715

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

TO220；N—Channel沟道,600V；4A；RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体管，适用于电源管理模块、电动车辆充电器等领域和模块。

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￥2.09
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￥2.04
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￥2.01
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型号：AOD438-VB 编号：C693174

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.16
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￥2.11
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￥2.08
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型号：IRFR3709ZTRRPBF-VB 编号：C5240540

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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型号：AOD414-VB 编号：C724970

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.41
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型号：IRLR024NTRPBF-VB 编号：C6705289

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.45
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型号：VBZE90N03 编号：C700664

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.57
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￥2.54

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型号：IPD70N10S3-12-VB 编号：C7463544

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥3.75
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￥3.68
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￥3.63
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型号：AQHV24-01ETG-C 编号：C1975227

封装：SOD-882

品牌：Littelfuse(美国力特)

AQHV-C系列旨在为超快速动作、高性能的过压保护器件提供一种选择。它非常适合用于电源接口、乘客充电接口、LED照明模块以及低速I/O。该系列能保护敏感设备免受静电放电（ESD）和其他过压瞬变的损害。AQHV-C系列能够安全吸收高于IEC 61000 - 4 - 2国际标准最高等级（4级，±8KV接触放电）的重复性ESD冲击，且性能不会下降。在极低的钳位电压下，它能安全传导高达8A（AQHV12 - C）的感应浪涌电流（IEC 61000 - 4 - 5第2版，tp = 8/20μs）。

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