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封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥6.681 ￥7.86
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￥6.528 ￥7.68
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￥6.324 ￥7.44
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￥6.222 ￥7.32

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型号：VBM1204N 编号：C7569074

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥6.783 ￥7.98
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￥6.647 ￥7.82
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￥5.848 ￥6.88
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￥5.7545 ￥6.77

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型号：2SK3746-1E-HXY 编号：C49241796

封装：TO-3PF

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与中功率开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为20V，具有良好的导通损耗控制和开关响应速度。适用于各类电源管理设备、充电控制模块、LED驱动电路及小型电器中的高频开关应用，满足多种高性能电力电子系统的设计需求。

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￥7.239 ￥7.62
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￥7.0775 ￥7.45
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￥6.973 ￥7.34
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￥6.859 ￥7.22

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型号：2SK216-VB 编号：C7568967

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥7.581 ￥7.98
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￥7.429 ￥7.82
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￥6.536 ￥6.88
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￥6.4315 ￥6.77

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型号：IXTP98N075T-VB 编号：C2680735

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

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￥7.582 ￥8.92
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￥6.3665 ￥7.49
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￥5.4315 ￥6.39
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￥4.675 ￥5.5
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￥4.3435 ￥5.11
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￥4.1905 ￥4.93

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型号：RCX700N20-VB 编号：C20755577

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥7.616 ￥8.96
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

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型号：RJK2017DPP-M0-VB 编号：C20417620

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥7.616 ￥8.96
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

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型号：2SK3209-VB 编号：C20417716

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥7.616 ￥8.96
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￥7.191 ￥8.46

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型号：K3209-VB 编号：C20755533

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥7.616 ￥8.96
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￥7.191 ￥8.46

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型号：VBMB1204N 编号：C7569075

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥8.483 ￥9.98
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￥8.3045 ￥9.77
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￥7.31 ￥8.6
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￥7.191 ￥8.46

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型号：FDP20N50F-VB 编号：C20626327

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

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型号：STP24NM60N-VB 编号：C20626267

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

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型号：FDP22N50N-VB 编号：C20755352

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

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型号：FDP20N50-VB 编号：C7525068

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.908 ￥10.48
10+
￥8.6955 ￥10.23
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￥8.432 ￥9.92
100+
￥8.296 ￥9.76

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型号：MSPM0L1227SRHBR 编号：C42836166

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

MSPMOLx22x微控制器(MCU)属于高度集成的超低功耗32位MSPM0MCU系列，该MCU系列基于Arm Cortex-M0+32位内核平台，工作频率最高可达32MHz。这些MCU为需要采用小型封装（低至4mmx4mm）或高引脚数封装（高达80引脚）的128KB至256KB闪存储器的应用同时提供了成本优化和设计灵活性。这些器件包括VBAT备用岛、可选的分段式LCD控制器（在MSPMOL222x上）、网络安全机制和高性能集成模拟，并在整个工作温度范围内提供出色的低功耗性能。这些器件提供具有内置纠错码(ECC)且高达256KB的嵌入式闪存程序存储器，以及具有ECC和奇偶校验保护功能且高达32KB的SRAM。闪存储器分为两个主要存储体，用于支持现场固件更新，并支持在两个主要存储体之间进行地址交换。VBAT岛中提供了一个由VBAT引脚供电的额外32字节备份存储器，其内容即使在主电源(VDD)丢失时也会保持。 VBAT岛提供了一个完全独立的辅助电源域（与主电源分离），该电源域通过电池、超级电容器或备选电压电平（1.62V至3.6V）等备用电源为低频模块供电。VBAT岛包括低频时钟系统（LFOSC、LFXT）、实时时钟、篡改检测和时间戳逻辑、一个独立的看门狗计时器和一个32字节的备用存储器。多达五个数字IO由VBAT电源供电。提供了一种充电模式，用于在VDD大于VBAT时选择通过主(VBAT)电源对VBAT引脚上的超级电容器进行涓流充电。超低功耗分段式LCD控制器（在MSPMOL2228和MSPMOL2227器件上）支持使用多达50个引脚以各种多路复用器和偏置配置驱动LCD玻璃，从而实现低成本显示。可以使用灵活的网络安全机制来支持安全启动、安全的现场固件更新、IP保护（仅执行存储器）、密钥存储等。针对多种AES对称密码模式以及TRNG熵源提供了硬件加速。网络安全架构已通过Arm PSA1级认证。提供了一组高性能模拟模块，其中包括一个最多支持26个外部通道的12位1.68Msps SAR ADC。提供了一个模拟比较器，以支持模拟信号的低功耗或低延迟监控。片上电压基准（1.4V或2.5V）可用于为ADC和比较器提供稳定的基准电压。支持使用内部温度传感器、VDD电压和VBAT电压进行内核环境温度监测。

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥9.46
30+
￥9.29

有货

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型号：VBP1104N 编号：C481044

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥10.217 ￥12.02
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￥8.7125 ￥10.25
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￥7.2675 ￥8.55
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￥6.2985 ￥7.41
510+
￥5.865 ￥6.9
990+
￥5.678 ￥6.68

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型号：FN1-12S24B 编号：C18723883

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

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￥11.29
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￥9.55
30+
￥8.46
100+
￥7.35

有货

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型号：FN1-12S24BN 编号：C18723880

封装：SIP,19.5x6mm

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥11.44
10+
￥9.6
30+
￥8.52
100+
￥7.41

有货

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型号：NN1-05S05ANT 编号：C18723729

封装：SMD-6

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥12.9
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￥10.91
30+
￥9.66

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型号：HIGLR60R260D1 编号：C42389177

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款氮化镓晶体管（GaN HEMT）为N型设计，提供高达10A的导通电流（ID），并具备650V的最大漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDON）为160毫欧，能够在高压环境下保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的工作范围为-1.4V到+7V，适合用于多种电路设计中。其特性使其成为高频开关电源、消费类电子产品中的电源转换模块以及便携式设备充电解决方案的理想选择。

1+
￥16.1913 ￥17.41
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￥13.7733 ￥14.81
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￥12.2481 ￥13.17
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￥10.695 ￥11.5
500+
￥9.9975 ￥10.75
1000+
￥9.6906 ￥10.42

有货

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型号：STP20NM50FD-VB 编号：C20626366

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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￥14.06
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￥12.46
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￥10.82
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

有货

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型号：SPP20N60C3-VB 编号：C7568837

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥17.7
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￥15.15
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￥12.46
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￥10.08
1000+
￥9.76

有货

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型号：SPP20N60S5-VB 编号：C7568921

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥17.7
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￥15.15
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￥12.46
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￥10.82
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￥10.08
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￥9.76

有货

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型号：HCT415B-L 编号：C5375358

封装：-

品牌：HOP(北京霍远)

充电桩桩用B型漏电互感器，交直流漏电检测，需配合漏电芯片或漏电模块使用

1+
￥20.12
10+
￥19.05
30+
￥18.41

有货

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型号：HCT418B-L 编号：C5375355

封装：-

品牌：HOP(北京霍远)

充电桩桩用B型漏电互感器，交直流漏电检测，需配合漏电芯片或漏电模块使用

1+
￥21.37
10+
￥20.24
30+
￥19.56

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型号：ADM1270ACPZ-R7 编号：C657884

封装：LFCSP-16-WQ(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADM1270是一款限流控制器，可为模块化系统或电池供电系统提供浪涌电流限制和过流保护。当电路板插入带电背板时，已放电的电源旁路电容在充电时会从背板电源总线汲取较大的瞬态电流。这些瞬态电流会对连接器引脚造成永久性损坏，还会导致背板电源电压下降，从而使系统中的其他电路板复位

数据手册

1+
￥31.28
10+
￥26.77
30+
￥24.08

有货

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型号：FGH75T65UPD 编号：C605143

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，新款场截止沟槽 IGBT 系列为汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和数字发电机提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

数据手册

1+
￥31.56
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￥26.86
30+
￥24

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型号：ZP15-S05R2 编号：C5154848

封装：插件

品牌：ZOEYGO(中逸光)

ZP15-SXXR2系列产品是ZP15-SXX系列产品的升级产品，具有极高的性价比和极低的空载损耗（仅为50mW），内置保险电阻，广泛应用于充电桩、冷链系统、智能家居、工业控制等各行业中。

数据手册

1+
￥40.13
10+
￥34.49
30+
￥31.04
100+
￥28.16

有货

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型号：HIMZ120R030M1HXKSA1 编号：C42389155

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，最高承受电压VDSS/V为1200V，并拥有32毫欧的导通电阻RDSON/mΩ，栅源电压VGS/V为±15V。凭借其卓越的电气特性，此器件特别适合应用于需要高电压、大电流及低功耗的场合，例如高性能服务器电源模块、复杂电子系统的开关电源以及便携式储能设备的充电电路，能够在这些应用中实现高效的能量转换与管理。

1+
￥44.9395 ￥52.87
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￥43.911 ￥51.66
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￥43.231 ￥50.86
90+
￥42.5425 ￥50.05

有货

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型号：FLPowerPro 编号：C52754270

封装：-

品牌：立创开源扶持项目

这是一个很有意思的迷你电源，旨在提供一个可升降压数控电源输出的核心部件，其具有2个扩展接口，可以让使用者在这个核心基础上自行设计扩展功能。本项目已经额外设计了一个uA测量扩展板以及带被动均衡的锂电池充电板。核心部件基于AT32F403A单片机以及sc8701来实现升降压输出，支持5-30V输入，3-36V输出。具有短路保护、过温保护、反接保护等，尺寸约为52x52x15mm(宽x长x高)

单价：
￥224 / 个

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