充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：IXTP76N075T-VB 编号：C19188149

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥6.1285 ￥7.21
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￥5.1425 ￥6.05
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￥3.179 ￥3.74

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型号：IRF2807PBF-VB 编号：C7463530

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥5.253 ￥6.18
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￥3.349 ￥3.94

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型号：IRF2807ZPBF-VB 编号：C20417506

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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型号：STP75N75F4-VB 编号：C20417581

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥6.4505 ￥6.79
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型号：IXTP70N075T2-VB 编号：C2680733

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

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￥6.878 ￥7.24
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￥5.7665 ￥6.07
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型号：IXTP98N075T-VB 编号：C2680735

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

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￥7.582 ￥8.92
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￥6.3665 ￥7.49
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￥4.675 ￥5.5
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￥4.3435 ￥5.11
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￥4.1905 ￥4.93

有货

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型号：STP10NM65N-VB 编号：C7569065

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

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￥7.8285 ￥9.21
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￥4.488 ￥5.28

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型号：IPP50R380CE-VB 编号：C20417602

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

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￥7.8285 ￥9.21
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型号：AOT12N50-VB 编号：C20626354

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

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￥7.8285 ￥9.21
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型号：IXTH16N10D2-VB 编号：C2680853

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥10.234 ￥12.04
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￥8.7295 ￥10.27
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￥7.786 ￥9.16
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￥6.8255 ￥8.03
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￥6.1965 ￥7.29

有货

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型号：VBP1104N 编号：C481044

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.234 ￥12.04
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￥6.1965 ￥7.29

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型号：SSP45N20B-VB 编号：C20755320

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥10.234 ￥12.04
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￥8.7295 ￥10.27
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￥6.3835 ￥7.51
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￥6.1965 ￥7.29

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型号：VBM1204N 编号：C7569074

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥10.489 ￥12.34
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￥8.9845 ￥10.57
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￥7.344 ￥8.64
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￥6.3835 ￥7.51
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￥5.9415 ￥6.99
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￥5.7545 ￥6.77

有货

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型号：FCP16N60N-VB 编号：C7525047

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥10.6845 ￥12.57
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￥7.9475 ￥9.35
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￥6.222 ￥7.32

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型号：NCP1216AD65R2G 编号：C603512

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1216 采用 SOIC−8 或 PDIP−7 封装，是基于 NCP1200 的增强版本。因其高驱动能力，可驱动大栅极电荷 MOSFET，结合内部斜坡补偿和内置频率抖动，便于现代 AC−DC 适配器的设计。控制器通过高压轨自供电，无需辅助绕组，在特定应用（如电池充电器或电视机）中减轻了设计任务。

数据手册

1+
￥10.95
10+
￥9.97
30+
￥9.36
100+
￥8.73

有货

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型号：STP40NF20-VB 编号：C7463572

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥11.3905 ￥11.99
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￥9.709 ￥10.22
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￥8.208 ￥8.64
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￥6.6405 ￥6.99
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型号：IRFB42N20DPBF-VB 编号：C19711209

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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型号：2SK216-VB 编号：C7568967

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥11.723 ￥12.34
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￥6.6405 ￥6.99
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￥6.4315 ￥6.77

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型号：RJK2017DPP-M0-VB 编号：C20417620

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥12.24 ￥14.4
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￥10.3615 ￥12.19
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￥9.18 ￥10.8
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￥7.973 ￥9.38
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：K3209-VB 编号：C20755533

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥12.24 ￥14.4
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￥10.3615 ￥12.19
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￥9.18 ￥10.8
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￥7.973 ￥9.38
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￥7.429 ￥8.74
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￥7.191 ￥8.46

有货

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型号：VBMB1204N 编号：C7569075

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥12.7925 ￥15.05
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￥8.5255 ￥10.03
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￥7.9815 ￥9.39
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￥7.7435 ￥9.11

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型号：RCX700N20-VB 编号：C20755577

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥12.7925 ￥15.05
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￥10.914 ￥12.84
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￥7.9815 ￥9.39
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￥7.7435 ￥9.11

有货

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型号：2SK3209-VB 编号：C20417716

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥12.7925 ￥15.05
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型号：HC32F334JAUI-ZFN48TR 编号：C20071236

封装：QFN-48-EP(5x5)

品牌：XHSC(小华)

特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。集成FPU、MPU。支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

1+
￥13.17
10+
￥10.98
30+
￥9.61
100+
￥8.2

有货

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型号：FQPF45N15V2-VB 编号：C20755273

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥13.68 ￥14.4
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有货

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型号：IRFI4227PBF-VB 编号：C20626287

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

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￥8.037 ￥8.46

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型号：VBZM20N65S 编号：C7569079

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.756 ￥17.36
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￥12.5885 ￥14.81
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￥11.2285 ￥13.21
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￥9.8345 ￥11.57
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￥9.2055 ￥10.83
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￥8.9335 ￥10.51

有货

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型号：FDP20N50F-VB 编号：C20626327

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥12.5885 ￥14.81
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￥9.8345 ￥11.57
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￥9.2055 ￥10.83
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￥8.9335 ￥10.51

有货

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型号：STP24NM60N-VB 编号：C20626267

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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型号：HIGLR60R260D1 编号：C42389177

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款氮化镓晶体管（GaN HEMT）为N型设计，提供高达10A的导通电流（ID），并具备650V的最大漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDON）为160毫欧，能够在高压环境下保持较低的功耗。栅源电压（VGS）的工作范围为-1.4V到+7V，适合用于多种电路设计中。其特性使其成为高频开关电源、消费类电子产品中的电源转换模块以及便携式设备充电解决方案的理想选择。

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