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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IPP057N08N3 G-VB 编号：C19626682

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.366 ￥3.96
10+
￥3.2895 ￥3.87
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：AP94T07GP-HF-VB 编号：C20755464

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.366 ￥3.96
10+
￥3.2895 ￥3.87
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ME80N75T-VB 编号：C20417731

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.366 ￥3.96
10+
￥3.2895 ￥3.87
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ST75NF75-VB 编号：C7524978

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.4085 ￥4.01
10+
￥3.332 ￥3.92
50+
￥3.213 ￥3.78
100+
￥3.162 ￥3.72

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BUK9213-30A-VB 编号：C20755346

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.755 ￥2.9
30+
￥2.4225 ￥2.55
100+
￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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AOD404-VB

型号：AOD404-VB 编号：C5355763

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.42 ￥3.6
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￥2.755 ￥2.9
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￥2.4225 ￥2.55
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￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

有货

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N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：CEP85N75-VB 编号：C2680844

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥3.536 ￥4.16
10+
￥3.4595 ￥4.07
30+
￥3.4 ￥4
100+
￥3.349 ￥3.94

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IRF2807ZPBF-VB 编号：C20417506

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.762 ￥3.96
10+
￥3.6765 ￥3.87
50+
￥3.6195 ￥3.81
100+
￥3.553 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：PHP79NQ08LT-VB 编号：C19190113

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IRFB3607PBF-VB 编号：C19188210

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：BUK9506-75B-VB 编号：C19190261

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IXTP76N075T-VB 编号：C19188149

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ME75N80CD-VB 编号：C19188087

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：FDP16AN08A0-VB 编号：C7569000

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.7655 ￥4.43
10+
￥3.689 ￥4.34
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:8A

型号：VBMB16R08 编号：C516967

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面结构技术，适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥3.8675 ￥4.55
10+
￥3.0855 ￥3.63
50+
￥2.652 ￥3.12
100+
￥2.261 ￥2.66
500+
￥2.0315 ￥2.39
1000+
￥1.9125 ￥2.25

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：STP75NF75-VB 编号：C7463538

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.876 ￥4.56
10+
￥3.7995 ￥4.47
50+
￥3.4 ￥4
100+
￥3.349 ￥3.94

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:28.6A

型号：IRF2807PBF-VB 编号：C7463530

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.876 ￥4.56
10+
￥3.7995 ￥4.47
50+
￥3.4 ￥4
100+
￥3.349 ￥3.94

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:85A

型号：RU75N08R-VB 编号：C19190286

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥4.2085 ￥4.43
10+
￥4.123 ￥4.34
50+
￥3.6195 ￥3.81
100+
￥3.553 ￥3.74

有货

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N沟道,电流:100A,耐压:80V

型号：IXTP70N075T2-VB 编号：C2680733

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥4.237 ￥4.46
10+
￥4.1515 ￥4.37
50+
￥3.6195 ￥3.81
100+
￥3.553 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:6.5A

型号：VBMB1203M 编号：C481029

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥4.335 ￥5.1
10+
￥3.5275 ￥4.15
50+
￥2.8645 ￥3.37
100+
￥2.465 ￥2.9
500+
￥2.2185 ￥2.61
1000+
￥2.0995 ￥2.47

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:16A

型号：IPP50R380CE-VB 编号：C20417602

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

1+
￥4.403 ￥5.18
10+
￥4.301 ￥5.06
50+
￥4.233 ￥4.98
100+
￥4.165 ￥4.9

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:18A

型号：AOT12N50-VB 编号：C20626354

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

1+
￥4.403 ￥5.18
10+
￥4.301 ￥5.06
50+
￥4.233 ￥4.98
100+
￥4.165 ￥4.9

有货

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1个N沟道耐压:650V

型号：STP10NM65N-VB 编号：C7569065

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

1+
￥4.4795 ￥5.27
10+
￥4.3775 ￥5.15
50+
￥4.233 ￥4.98
100+
￥4.165 ￥4.9

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：IRFR2307ZTRPBF-VB 编号：C5456564

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD50N10S3L-16-VB 编号：C7428998

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：BUK9230-100B-VB 编号：C7568755

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.947 ￥6.26
10+
￥4.864 ￥5.12
30+
￥4.313 ￥4.54
100+
￥3.781 ￥3.98
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：FR2307Z-VB 编号：C725051

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥5.985 ￥6.3
10+
￥4.902 ￥5.16
30+
￥4.3605 ￥4.59
100+
￥3.819 ￥4.02
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:50A

型号：SSP45N20B-VB 编号：C20755320

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

1+
￥6.0945 ￥7.17
10+
￥5.95 ￥7
50+
￥5.848 ￥6.88
100+
￥5.7545 ￥6.77

有货

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2个N沟道耐压:100V 电流:36A

型号：Si7252ADP-VB 编号：C18457620

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N型功率MOSFET，采用SGT结束，适用于电动车辆、电源开关、工业控制和充电器/逆变器等多个领域，为各种模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。DFN(5X6)；N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥6.194 ￥6.52
10+
￥4.9875 ￥5.25
30+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
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1个N沟道耐压:650V 电流:13A

型号：FCP16N60N-VB 编号：C7525047

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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