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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：NVD6824NLT4G-VB 编号：C18795082

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.202 ￥6.12
10+
￥4.2245 ￥4.97
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￥3.74 ￥4.4
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￥3.2555 ￥3.83
500+
￥2.9665 ￥3.49
1000+
￥2.822 ￥3.32

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：STD40NF10T4-VB 编号：C19190173

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.202 ￥6.12
10+
￥4.2245 ￥4.97
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￥3.74 ￥4.4
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￥3.2555 ￥3.83
500+
￥2.9665 ￥3.49
1000+
￥2.822 ￥3.32

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：SUD50N10-18P-E3-VB 编号：C7494541

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.202 ￥6.12
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￥4.2245 ￥4.97
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￥3.74 ￥4.4
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￥3.2555 ￥3.83
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￥2.9665 ￥3.49
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￥2.822 ￥3.32

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：BUK7227-100B-VB 编号：C18795095

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.202 ￥6.12
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有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：FDD86326-VB 编号：C20626270

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.202 ￥6.12
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￥2.822 ￥3.32

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：IRFR3710ZTRLPBF-VB 编号：C19190116

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.202 ￥6.12
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有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRLR3110ZTRPBF-VB 编号：C7568810

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥5.202 ￥6.12
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￥4.2245 ￥4.97
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￥2.822 ￥3.32

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：AUIRLR3110ZTRPBF-VB 编号：C7568853

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥5.321 ￥6.26
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￥4.352 ￥5.12
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￥2.618 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD70N10S3-12-VB 编号：C7463544

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.4145 ￥6.37
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￥4.4455 ￥5.23
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￥2.8985 ￥3.41
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￥2.754 ￥3.24

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：IRFR2307ZTRPBF-VB 编号：C5456564

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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￥5.529 ￥5.82
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￥3.0305 ￥3.19
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￥2.869 ￥3.02

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD50N10S3L-16-VB 编号：C7428998

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
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￥4.4935 ￥4.73
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￥3.952 ￥4.16
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￥3.4105 ￥3.59
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：AUFR3710Z-VB 编号：C20755130

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:80V

型号：RJK0822SPN-VB 编号：C878804

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.6865 ￥6.69
10+
￥4.692 ￥5.52
50+
￥3.995 ￥4.7
100+
￥3.3745 ￥3.97
500+
￥3.1025 ￥3.65
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：75N75-TA3-T-VB 编号：C20755085

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.729 ￥6.74
10+
￥4.743 ￥5.58
50+
￥4.199 ￥4.94
100+
￥3.5785 ￥4.21
500+
￥3.3065 ￥3.89
1000+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IPP057N08N3 G-VB 编号：C19626682

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.729 ￥6.74
10+
￥4.743 ￥5.58
50+
￥4.199 ￥4.94
100+
￥3.5785 ￥4.21
500+
￥3.3065 ￥3.89
1000+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD082N10N3G-VB 编号：C7463537

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.852 ￥6.16
10+
￥4.769 ￥5.02
30+
￥4.2275 ￥4.45
100+
￥3.686 ￥3.88
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：CEP85N75-VB 编号：C2680844

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.899 ￥6.94
10+
￥4.9045 ￥5.77
50+
￥4.3605 ￥5.13
100+
￥3.7485 ￥4.41
500+
￥3.4765 ￥4.09
1000+
￥3.349 ￥3.94

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ST75NF75-VB 编号：C7524978

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.9415 ￥6.99
10+
￥4.9555 ￥5.83
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￥4.42 ￥5.2
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￥3.808 ￥4.48
500+
￥3.536 ￥4.16
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￥3.4085 ￥4.01

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：UTT80N08-VB 编号：C3040303

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.984 ￥7.04
10+
￥4.9895 ￥5.87
50+
￥4.4455 ￥5.23
100+
￥3.825 ￥4.5
500+
￥3.553 ￥4.18
1000+
￥3.434 ￥4.04

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：PHP79NQ08LT-VB 编号：C19190113

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.984 ￥7.04
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有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：IRFB3607PBF-VB 编号：C19188210

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.984 ￥7.04
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￥3.553 ￥4.18
1000+
￥3.434 ￥4.04

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：BUK9506-75B-VB 编号：C19190261

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
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有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ME75N80CD-VB 编号：C19188087

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
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10+
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￥3.825 ￥4.5
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￥3.553 ￥4.18
1000+
￥3.434 ￥4.04

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：AP94T07GP-HF-VB 编号：C20755464

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥5.984 ￥7.04
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￥3.553 ￥4.18
1000+
￥3.434 ￥4.04

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：ME80N75T-VB 编号：C20417731

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.984 ￥7.04
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￥4.9895 ￥5.87
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￥4.4455 ￥5.23
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￥3.434 ￥4.04

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：FDP16AN08A0-VB 编号：C7569000

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.984 ￥7.04
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￥4.9895 ￥5.87
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1个N沟道耐压:80V 电流:85A

型号：RU75N08R-VB 编号：C19190286

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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1个N沟道耐压:80V

型号：CSD19503KCS-VB 编号：C7569107

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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1个N沟道耐压:80V 电流:28.6A

型号：IPP052NE7N3G-VB 编号：C7569128

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRFR4510PBF-VB 编号：C7429046

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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