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1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
型号：SM3116NAUC-TRG-VB 编号：C5137420
封装：TO-252
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:35.8A
    型号：SUD70N03-04P-VB 编号：C5179526
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：AP0403GH-VB 编号：C878871
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BUK9213-30A-VB 编号：C20755346
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    AOD404-VB
    型号：AOD404-VB 编号：C5355763
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：IPD090N03LG-VB 编号：C19632053
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
    型号：IPD70N10S3L-12-VB 编号：C5240580
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
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    N沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：IRLR7843TRPBF-VB 编号：C45662561
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：MDD1501RH-VB 编号：C18212560
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
    型号：VBMB16R08 编号：C516967
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面结构技术，适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：2SK1817-M-VB 编号：C20755444
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：2SK3599-01MR-VB 编号：C20755142
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：FS50KMJ-2-VB 编号：C7524953
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：TF2916L-VB 编号：C19188150
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：IRLI540GPBF-VB 编号：C18794939
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：QM0016F-VB 编号：C19711176
    封装：TO-220
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：TK25A10K3-VB 编号：C19188143
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：STP30NF10FP-VB 编号：C878833
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
    型号：VBZMB8N60 编号：C700740
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面结构技术，适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:10A
    型号：AOTF450L-VB 编号：C20626318
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:6.5A
    型号：VBMB1203M 编号：C481029
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
    型号：FDPF3860TYDTU-VB 编号：C20626299
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    型号：KHB9D5N20F-VB 编号：C878763
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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    型号：IRFI1310NPBF-VB 编号：C18795085
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    型号：IRLI2910PBF-VB 编号：C4355120
    封装：TO-220F
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
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    型号：ME50N10-VB 编号：C20417458
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：UD0018A-VB 编号：C19632181
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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    型号：FDD86102LZ-VB 编号：C879101
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
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    型号：FDD16AN08A0-VB 编号：C7428956
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

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    型号：BUK6226-75C-VB 编号：C20755479
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