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60V沟槽型单N沟道，TO252封装MOSFET

型号：IRLR024NTRLPBF-VB 编号：C45662556

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。

1+
￥1.3015 ￥1.37
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￥1.273 ￥1.34
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￥1.254 ￥1.32
100+
￥1.235 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055-150T4G-VB 编号：C5240544

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.368 ￥1.44
10+
￥1.3395 ￥1.41
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￥1.3205 ￥1.39
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￥1.3015 ￥1.37

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：95N03-VB 编号：C19626793

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
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￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：EMB04N03A-VB 编号：C19632218

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：NTD4905NT4G-VB 编号：C20417577

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.632 ￥1.92
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BUK7207-30B-VB 编号：C19190185

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：B04N03-VB 编号：C20417719

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.632 ￥1.92
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：QM3016AD-VB 编号：C19190243

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AP0403GH-HF-VB 编号：C19632214

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.598 ￥1.88

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：2SK4213-E1-AY-VB 编号：C19626709

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：STD95N2LH5-VB 编号：C20626365

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：90T03GH-VB 编号：C20755452

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.632 ￥1.92
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AOD210-VB 编号：C7568753

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：PHD71NQ03LT-VB 编号：C20755570

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.6915 ￥1.99
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￥1.632 ￥1.92
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￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：STD100N3LF3-VB 编号：C5355770

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.734 ￥2.04
30+
￥1.7085 ￥2.01
100+
￥1.683 ￥1.98

有货

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N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：NVD4806NT4G-VB 编号：C2680756

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.7085 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.98

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：IRFR3709ZTRPBF-VB 编号：C5438945

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.734 ￥2.04
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￥1.7085 ￥2.01
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￥1.683 ￥1.98

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：VBZE04N03 编号：C700614

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
100+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：STD86N3LH5-VB 编号：C725208

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
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￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
100+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：NTD4904NT4G-VB 编号：C5240556

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.8615 ￥2.19
10+
￥1.819 ￥2.14
30+
￥1.7935 ￥2.11
100+
￥1.768 ￥2.08

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：UT85N03G-TN3-R-VB 编号：C18212576

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.904 ￥2.24
10+
￥1.8615 ￥2.19
30+
￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AOD528-VB 编号：C19188197

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.904 ￥2.24
10+
￥1.8615 ￥2.19
30+
￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：FDD8874-VB 编号：C18794999

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.904 ￥2.24
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￥1.8615 ￥2.19
30+
￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：NTD4965NT4G-VB 编号：C18212437

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.904 ￥2.24
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￥1.8615 ￥2.19
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￥1.836 ￥2.16
100+
￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：P0603BDG-VB 编号：C19188107

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.904 ￥2.24
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￥1.8615 ￥2.19
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AOD508-VB 编号：C18212609

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.904 ￥2.24
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￥1.8615 ￥2.19
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￥1.8105 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：AP2R803GH-VB 编号：C7568792

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥1.904 ￥2.24
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￥1.8615 ￥2.19
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.8105 ￥2.13

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N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IRLR7843TRPBF-VB 编号：C45662561

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。

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￥2.033 ￥2.14
10+
￥1.9855 ￥2.09
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.9285 ￥2.03

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：VBZE70N03 编号：C700657

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.033 ￥2.14
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￥1.9855 ￥2.09
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￥1.957 ￥2.06
100+
￥1.9285 ￥2.03

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AP0403GH-VB 编号：C878871

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.147 ￥2.26
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￥2.109 ￥2.22
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￥2.0805 ￥2.19
100+
￥2.0425 ￥2.15

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最快4小时发货
严控渠道

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物料可追溯
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