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封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

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￥11.3905 ￥11.99
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￥9.709 ￥10.22
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￥8.208 ￥8.64
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￥7.1345 ￥7.51
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￥6.6405 ￥6.99
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￥6.4315 ￥6.77

有货

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型号：IRFIB41N15DPBF-VB 编号：C4355121

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

数据手册

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￥12.767 ￥15.02
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￥10.8885 ￥12.81
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￥9.078 ￥10.68
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￥7.8795 ￥9.27
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￥7.327 ￥8.62
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￥7.0975 ￥8.35

有货

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型号：STP20NK50Z-VB 编号：C7463561

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥14.195 ￥16.7
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￥12.019 ￥14.14
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￥10.591 ￥12.46
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￥8.568 ￥10.08
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￥8.296 ￥9.76

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型号：FQP20N60C-VB 编号：C19190228

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥16.61
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￥14.06
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￥12.46
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￥10.08
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￥9.76

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型号：F2800154QPHPRQ1 编号：C22428129

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电器

数据手册

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￥28.67
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￥25.24
30+
￥23.49
100+
￥21.14

有货

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型号：ENS001-A3 编号：C6284808

封装：QFN-64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A3芯片是一款四通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 输出电流33μA~67mA 刺激脉宽 10μs~1s

单价：
￥55 / 个

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型号：IKY150N65EH7XKSA1 编号：C26014850

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。 EV充电

1+
￥77.52
10+
￥74.88

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型号：FLPowerPro 编号：C52754270

封装：-

品牌：立创开源扶持项目

这是一个很有意思的迷你电源，旨在提供一个可升降压数控电源输出的核心部件，其具有2个扩展接口，可以让使用者在这个核心基础上自行设计扩展功能。本项目已经额外设计了一个uA测量扩展板以及带被动均衡的锂电池充电板。核心部件基于AT32F403A单片机以及sc8701来实现升降压输出，支持5-30V输入，3-36V输出。具有短路保护、过温保护、反接保护等，尺寸约为52x52x15mm(宽x长x高)

单价：
￥224 / 个

有货

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型号：RLB12FTR050 编号：C2683387

封装：1206

品牌：大毅科技

特性：低电阻和高精度电阻,用于电流检测。散热性能良好。采用高纯度氧化铝基板,实现高功率耗散。无铅,符合RoHS要求。无卤,符合RoHS要求。应用：电源管理应用。开关电源。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。便携式仪器(PDA和手机)。电压调节模块(VRM)。计算机

20+
￥0.1682
200+
￥0.1331
600+
￥0.1136

有货

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型号：WPM3407-3/TR-VB 编号：C7494480

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.6072
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￥0.48
150+
￥0.4164
500+
￥0.3687
3000+
￥0.3305
6000+
￥0.3114

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型号：BT152 编号：C2900857

封装：TO-252

品牌：WEIDA(韦达)

BT152 系列可控硅整流器具有很强的承受大电流冲击负载的能力，能提供高 dv/dt 速率，且抗电磁干扰能力强。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、电动工具等领域。

数据手册

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￥0.8864
10+
￥0.6995
30+
￥0.606
100+
￥0.536
500+
￥0.4799
1000+
￥0.4128

有货

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型号：K2018-VB 编号：C879091

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.0455 ￥1.23
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￥1.02 ￥1.2
30+
￥1.003 ￥1.18
100+
￥0.986 ￥1.16

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型号：NTD3055-150G-VB 编号：C19190189

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
30+
￥1.037 ￥1.22
100+
￥1.02 ￥1.2

有货

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型号：NTD3055VL-VB 编号：C20755097

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
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￥1.037 ￥1.22
100+
￥1.02 ￥1.2

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型号：2SK3412-TL-E-VB 编号：C20755450

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
30+
￥1.037 ￥1.22
100+
￥1.02 ￥1.2

有货

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型号：MTD5N05T4G-VB 编号：C19626736

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
30+
￥1.037 ￥1.22
100+
￥1.02 ￥1.2

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型号：2N0680-VB 编号：C20755284

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
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￥1.037 ￥1.22
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￥1.02 ￥1.2

有货

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型号：RFD14N06LSM-VB 编号：C20755578

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
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￥1.02 ￥1.2

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型号：NTD3055-094G-VB 编号：C19712540

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
30+
￥1.037 ￥1.22
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￥1.02 ￥1.2

有货

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型号：RFD3055LESM9A-VB 编号：C7429097

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.1135 ￥1.31
30+
￥1.0965 ￥1.29
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￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：2SK2796L-VB 编号：C18794971

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.105 ￥1.3
30+
￥1.088 ￥1.28
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￥1.071 ￥1.26

有货

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型号：RFD14N05LSM9A-VB 编号：C18795088

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.105 ￥1.3
30+
￥1.088 ￥1.28
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￥1.071 ￥1.26

有货

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型号：STD12N06T4-VB 编号：C879190

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.1645 ￥1.37
10+
￥1.139 ￥1.34
30+
￥1.122 ￥1.32
100+
￥1.105 ￥1.3

有货

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型号：FQD13N06-VB 编号：C5240528

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.19 ￥1.4
10+
￥1.1645 ￥1.37
30+
￥1.1475 ￥1.35
100+
￥1.1305 ￥1.33

有货

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型号：LR024-VB 编号：C20417550

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2065 ￥1.27
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￥1.178 ￥1.24
30+
￥1.159 ￥1.22
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￥1.14 ￥1.2

有货

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型号：STD12NF06LT4-VB 编号：C4355062

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.2155 ￥1.43
10+
￥1.19 ￥1.4
30+
￥1.173 ￥1.38
100+
￥1.156 ￥1.36

有货

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型号：RSD080N06TL-VB 编号：C19190105

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.224 ￥1.44
10+
￥1.1985 ￥1.41
30+
￥1.1815 ￥1.39
100+
￥1.1645 ￥1.37

有货

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型号：MTD2955VG-VB 编号：C7569036

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥1.224 ￥1.44
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￥1.1985 ￥1.41
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￥1.1815 ￥1.39
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￥1.1645 ￥1.37

有货

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型号：MTD3055VLG-VB 编号：C18212549

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2635 ￥1.33
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￥1.235 ￥1.3
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￥1.216 ￥1.28
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￥1.197 ￥1.26

有货

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型号：FQD13N06LTM-VB 编号：C45662557

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。

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￥1.3015 ￥1.37
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￥1.273 ￥1.34
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