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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055-150G-VB 编号：C19190189

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：IRLR014TRPBF-VB 编号：C19190282

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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￥1.7 ￥2
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.275 ￥1.5
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￥1.173 ￥1.38
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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055VL-VB 编号：C20755097

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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￥1.7 ￥2
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.275 ￥1.5
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￥1.173 ￥1.38
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￥1.105 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD12N06T4-VB 编号：C879190

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
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￥1.513 ￥1.78
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￥1.1135 ￥1.31
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￥1.0455 ￥1.23

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK3412-TL-E-VB 编号：C20755450

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：MTD5N05T4G-VB 编号：C19626736

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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1个N沟道耐压:60V

型号：MTD2955VG-VB 编号：C7569036

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2N0680-VB 编号：C20755284

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:18.2A

型号：K2018-VB 编号：C879091

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.142 ￥2.52
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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：RFD14N06LSM-VB 编号：C20755578

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：RFD14N05LSM9A-VB 编号：C18795088

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK2796L-VB 编号：C18794971

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055-094G-VB 编号：C19712540

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
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￥1.173 ￥1.38
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￥1.105 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：FQD13N06-VB 编号：C5240528

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.159 ￥2.54
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￥1.7255 ￥2.03
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￥1.53 ￥1.8
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￥1.3005 ￥1.53
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￥1.139 ￥1.34
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￥1.0795 ￥1.27

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：IRFR014TRPBF-VB 编号：C5179518

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.1845 ￥2.57
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￥1.7425 ￥2.05
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￥1.5555 ￥1.83
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￥1.3175 ￥1.55
500+
￥1.1645 ￥1.37
1000+
￥1.0965 ￥1.29

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD12NF06LT4-VB 编号：C4355062

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.193 ￥2.58
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￥1.751 ￥2.06
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￥1.564 ￥1.84
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￥1.326 ￥1.56
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￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD16NF06L-VB 编号：C7524979

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.299 ￥2.42
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.596 ￥1.68
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￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：HAF2007-90STL-E-VB 编号：C5438936

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.299 ￥2.42
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.596 ￥1.68
100+
￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD12NF06T4T4-VB 编号：C5355711

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.299 ￥2.42
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：MTD3055VLG-VB 编号：C18212549

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.3655 ￥2.49
10+
￥1.862 ￥1.96
30+
￥1.653 ￥1.74
100+
￥1.387 ￥1.46
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￥1.2255 ￥1.29
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￥1.1495 ￥1.21

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：DMN6068LK3-13-VB 编号：C709949

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.3655 ￥2.49
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￥1.216 ￥1.28

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055-094T4G-VB 编号：C7429080

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.394 ￥2.52
10+
￥1.9095 ￥2.01
30+
￥1.691 ￥1.78
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￥1.14 ￥1.2

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N沟道，60V（D-S）MOSFET

型号：FQD13N06LTM-VB 编号：C45662557

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。

1+
￥2.394 ￥2.52
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60V沟槽型单N沟道，TO252封装MOSFET

型号：IRLR024NTRLPBF-VB 编号：C45662556

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。

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￥2.394 ￥2.52
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￥1.9 ￥2
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￥1.425 ￥1.5
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￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.235 ￥1.3

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：AUFR024N-VB 编号：C7568982

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.4605 ￥2.59
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￥1.9665 ￥2.07
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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.14 ￥1.2

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK2415-Z-E1-AZ-VB 编号：C557928

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.4605 ￥2.59
10+
￥1.9665 ￥2.07
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￥1.7575 ￥1.85
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￥1.4915 ￥1.57
500+
￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：LR024N-VB 编号：C725106

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.4795 ￥2.61
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￥1.9855 ￥2.09
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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AP0403GH-HF-VB 编号：C19632214

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.06 ￥3.6
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￥2.465 ￥2.9
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￥2.1675 ￥2.55
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￥1.87 ￥2.2
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￥1.6915 ￥1.99
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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：2SK4213-E1-AY-VB 编号：C19626709

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.06 ￥3.6
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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：90T03GH-VB 编号：C20755452

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.06 ￥3.6
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￥2.465 ￥2.9
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