充电模块_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.372 ￥6.32
10+
￥4.403 ￥5.18
30+
￥3.91 ￥4.6
100+
￥3.434 ￥4.04
500+
￥2.8985 ￥3.41
1000+
￥2.754 ￥3.24

有货

立即购买

型号：AUIRFR2607ZTR-VB 编号：C7494593

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.423 ￥6.38
10+
￥4.4455 ￥5.23
30+
￥3.961 ￥4.66
100+
￥3.4765 ￥4.09
500+
￥2.8985 ￥3.41
1000+
￥2.754 ￥3.24

有货

立即购买

型号：BUK9230-100B-VB 编号：C7568755

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.947 ￥6.26
10+
￥4.864 ￥5.12
30+
￥4.313 ￥4.54
100+
￥3.781 ￥3.98
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：Si7252ADP-VB 编号：C18457620

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N型功率MOSFET，采用SGT结束，适用于电动车辆、电源开关、工业控制和充电器/逆变器等多个领域，为各种模块的设计提供了可靠的功率开关解决方案。DFN(5X6)；N—Channel沟道,100V；35A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥6.194 ￥6.52
10+
￥4.9875 ￥5.25
30+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

立即购买

型号：STP75NF75-VB 编号：C7463538

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥6.239 ￥7.34
10+
￥5.253 ￥6.18
50+
￥4.3605 ￥5.13
100+
￥3.7485 ￥4.41
500+
￥3.4765 ￥4.09
1000+
￥3.349 ￥3.94

有货

立即购买

型号：AOT13N50-VB 编号：C878786

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面技术制造，适用于工业电源模块、电动汽车充电器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；18A；RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~4V；

数据手册

1+
￥7.752 ￥9.12
10+
￥6.4515 ￥7.59
50+
￥5.168 ￥6.08
100+
￥4.3605 ￥5.13
500+
￥4.0035 ￥4.71
1000+
￥3.842 ￥4.52

有货

立即购买

型号：NN1-12S05A3NT 编号：C18723711

封装：SMD-5

品牌：AIPULNION(爱浦电子)

应用：铁路。电力行业。船舶。医疗。通信。工业控制。智能家居。物联网。充电桩。安防

1+
￥9.94
10+
￥9.07
30+
￥8.53
100+
￥7.98

有货

立即购买

型号：FDPF390N15A-VB 编号：C18795069

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

立即购买

型号：STP20NK50Z-VB 编号：C7463561

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.1185 ￥16.61
10+
￥11.951 ￥14.06
50+
￥10.591 ￥12.46
100+
￥9.197 ￥10.82
500+
￥8.568 ￥10.08
1000+
￥8.296 ￥9.76

有货

立即购买

型号：FDP20N50-VB 编号：C7525068

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥14.756 ￥17.36
10+
￥12.5885 ￥14.81
50+
￥11.2285 ￥13.21
100+
￥9.8345 ￥11.57
500+
￥9.2055 ￥10.83
1000+
￥8.9335 ￥10.51

有货

立即购买

型号：HCT415B-L 编号：C5375358

封装：-

品牌：HOP(北京霍远)

充电桩桩用B型漏电互感器，交直流漏电检测，需配合漏电芯片或漏电模块使用

1+
￥20.12
10+
￥19.05
30+
￥18.41

有货

立即购买

型号：F2800154QPHPRQ1 编号：C22428129

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电器

数据手册

1+
￥29.42
10+
￥25.99
30+
￥24.24

有货

立即购买

型号：VB3222A 编号：C42412582

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

SOT23-6；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1.5V；是一款双N+N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、移动设备充电管理等电子领域。

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

立即购买

型号：VBA2317A 编号：C967458

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.962905 ￥2.3093
50+
￥1.551675 ￥1.8255
150+
￥1.375385 ￥1.6181
500+
￥1.15549 ￥1.3594
2500+
￥1.05757 ￥1.2442
4000+
￥0.998835 ￥1.1751

有货

立即购买

型号：BT139F-800E 编号：C22459226

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，具有较强的抗电磁干扰能力。应用：电源充电器。 T型工具

5+
￥1.97733 ￥2.0814
50+
￥1.55268 ￥1.6344
150+
￥1.37066 ￥1.4428
500+
￥1.143515 ￥1.2037
2000+
￥1.042435 ￥1.0973
5000+
￥0.98173 ￥1.0334

有货

立即购买

型号：MTD10N05ET4G-VB 编号：C20417476

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

立即购买

型号：2SK3022-VB 编号：C20755448

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

立即购买

型号：NID9N05CLG-VB 编号：C19632223

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

立即购买

型号：F3055LESM-VB 编号：C20755296

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

立即购买

型号：5P06V-VB 编号：C19190126

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

立即购买

型号：FS10ASJ-06F-T13-VB 编号：C5878799

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.479 ￥1.74
100+
￥1.241 ￥1.46
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

立即购买

型号：AP9971H-VB 编号：C20755039

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：AUIRLR024NTRPBF-VB 编号：C7568984

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：MLD1N06CLT4G-VB 编号：C20417678

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：13N05L-VB 编号：C20755283

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：12N06ZG-TN3-R-VB 编号：C19626674

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：MTD3055T4G-VB 编号：C20754989

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：TSM10N06CPRO-VB 编号：C20755208

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：MTD3055ET4G-VB 编号：C20755095

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

型号：RSD080N06TL-VB 编号：C19190105

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示