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封装：TO-220F

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.926 ￥3.08
10+
￥2.869 ￥3.02
50+
￥2.3085 ￥2.43
100+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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型号：IRFR3710ZTRPBF-VB 编号：C3040211

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥3.043 ￥3.58
10+
￥2.975 ￥3.5
30+
￥2.9325 ￥3.45
100+
￥2.89 ￥3.4

有货

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型号：AUIRLR3110ZTRPBF-VB 编号：C7568853

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥3.094 ￥3.64
10+
￥3.026 ￥3.56
30+
￥2.9835 ￥3.51
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￥2.941 ￥3.46

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型号：BTA16-800B 编号：C42394973

封装：TO-220A

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt率，对电磁干扰有强抵抗力。应用：电源充电器。 T型工具

1+
￥3.1065 ￥3.27
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￥2.4795 ￥2.61
50+
￥2.204 ￥2.32
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￥1.8905 ￥1.99
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.6055 ￥1.69

有货

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型号：BUK7227-100B-VB 编号：C18795095

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.111 ￥3.66
10+
￥3.043 ￥3.58
30+
￥3.0005 ￥3.53
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￥2.958 ￥3.48

有货

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型号：IRFR2607ZTRPBF-VB 编号：C19188095

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.111 ￥3.66
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￥3.043 ￥3.58
30+
￥3.0005 ￥3.53
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￥2.958 ￥3.48

有货

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型号：STD80N10F7-VB 编号：C7429122

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥3.145 ￥3.7
10+
￥3.077 ￥3.62
30+
￥3.0345 ￥3.57
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￥2.992 ￥3.52

有货

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型号：AUIRFR2607ZTR-VB 编号：C7494593

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.196 ￥3.76
10+
￥3.128 ￥3.68
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￥3.0855 ￥3.63
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￥3.043 ￥3.58

有货

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型号：IRLR8726TRPBF-VB 编号：C7463425

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.755 ￥2.9
30+
￥2.4225 ￥2.55
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￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：NTD4906NAT4G-VB 编号：C20755239

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.42 ￥3.6
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￥2.755 ￥2.9
30+
￥2.4225 ￥2.55
100+
￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：IRLR7843TRPBF&3-VB 编号：C18212530

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.648 ￥3.84
10+
￥2.983 ￥3.14
30+
￥2.6505 ￥2.79
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￥2.318 ￥2.44
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：FDP75N08A-VB 编号：C20754944

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.762 ￥3.96
10+
￥3.6765 ￥3.87
50+
￥3.6195 ￥3.81
100+
￥3.553 ￥3.74

有货

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型号：STP30NF10FP-VB 编号：C878833

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥4.1565 ￥4.89
10+
￥3.4 ￥4
50+
￥2.754 ￥3.24
100+
￥2.3715 ￥2.79
500+
￥2.1505 ￥2.53
1000+
￥2.0315 ￥2.39

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型号：CSD19503KCS-VB 编号：C7569107

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥4.2085 ￥4.43
10+
￥4.123 ￥4.34
50+
￥3.6195 ￥3.81
100+
￥3.553 ￥3.74

有货

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型号：IPP052NE7N3G-VB 编号：C7569128

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥4.2085 ￥4.43
10+
￥4.123 ￥4.34
50+
￥3.6195 ￥3.81
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￥3.553 ￥3.74

有货

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型号：VBZMB8N60 编号：C700740

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用平面结构技术，适用于电源模块、电机驱动、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=880mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥4.284 ￥5.04
10+
￥3.502 ￥4.12
50+
￥2.8305 ￥3.33
100+
￥2.448 ￥2.88
500+
￥2.21 ￥2.6
1000+
￥2.091 ￥2.46

有货

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型号：AP55T10GH-HF-VB 编号：C7463615

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.0405 ￥5.93
10+
￥4.0715 ￥4.79
30+
￥3.5785 ￥4.21
100+
￥3.1025 ￥3.65
500+
￥2.7625 ￥3.25
1000+
￥2.618 ￥3.08

有货

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型号：FQPF10N20C-VB 编号：C7428981

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥5.263 ￥5.54
10+
￥4.3605 ￥4.59
50+
￥3.42 ￥3.6
100+
￥2.9735 ￥3.13
500+
￥2.7075 ￥2.85
1000+
￥2.565 ￥2.7

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型号：SC92F7446BP44R 编号：C221398

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：SOC(赛元)

SC92F744X系列是一增强型的1T 8051内核工业级Flash微控制器，指令系统完全兼容传统8051产品系列。SC92F744X集成有16KB Flash ROM、2KB SRAM、128Byte EEPROM、最多46个GP I/O、16个IO可外部中断、3个16位定时器、17路12位高精度ADC、1个模拟比较器、8路12位PWM、IO驱动分级控制（LED segment口）、1个16×16位硬件乘除法器、内部±1%高精度高频16/8/4/1.33MHz振荡器和±4%精度低频128K振荡器、可外接晶体振荡器、UART等通讯接口等资源。为提高可靠性及简化电路，SC92F744X内部也集成有4级可选电压LVR、2.4V基准ADC参考电压、低耗电WDT等高可靠电路。SC92F744X具有非常优异的抗干扰性能，适合应用于各种物联网控制、大小智能家电和智能家居、充电器、电源、航模、对讲机、无线通讯、游戏机等工业控制和消费应用领域。

数据手册

1+
￥5.3
10+
￥4.27
30+
￥3.75
160+
￥3.24
480+
￥2.94
960+
￥2.78

有货

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型号：AOT430-VB 编号：C878797

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.5335 ￥6.51
10+
￥4.539 ￥5.34
50+
￥3.9355 ￥4.63
100+
￥3.3235 ￥3.91
500+
￥3.043 ￥3.58
1000+
￥2.924 ￥3.44

有货

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型号：IPD60N10S4L-12-VB 编号：C7568831

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：RJK0822SPN-VB 编号：C878804

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.6865 ￥6.69
10+
￥4.692 ￥5.52
50+
￥3.995 ￥4.7
100+
￥3.3745 ￥3.97
500+
￥3.1025 ￥3.65
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：UTT80N08-VB 编号：C3040303

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.695 ￥6.7
10+
￥4.7005 ￥5.53
50+
￥3.995 ￥4.7
100+
￥3.3745 ￥3.97
500+
￥3.1025 ￥3.65
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：AUIRFR3710ZTRR-VB 编号：C20755044

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.729 ￥6.74
10+
￥4.658 ￥5.48
30+
￥4.131 ￥4.86
100+
￥3.5955 ￥4.23
500+
￥3.0345 ￥3.57
1000+
￥2.873 ￥3.38

有货

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型号：IPD082N10N3G-VB 编号：C7463537

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.852 ￥6.16
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￥4.769 ￥5.02
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￥4.2275 ￥4.45
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￥3.686 ￥3.88
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：IPD70N10S3L-12-VB 编号：C5240580

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

数据手册

1+
￥5.985 ￥6.3
10+
￥4.902 ￥5.16
30+
￥4.3605 ￥4.59
100+
￥3.819 ￥4.02
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：75N75-TA3-T-VB 编号：C20755085

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；