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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD16NF06L-VB 编号：C7524979

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2065 ￥1.27
10+
￥1.178 ￥1.24
30+
￥1.159 ￥1.22
100+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：5P06V-VB 编号：C19190126

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2065 ￥1.27
10+
￥1.178 ￥1.24
30+
￥1.159 ￥1.22
100+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：IRFR014TRPBF-VB 编号：C5179518

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.207 ￥1.42
10+
￥1.1815 ￥1.39
30+
￥1.1645 ￥1.37
100+
￥1.1475 ￥1.35

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：IRLR014TRPBF-VB 编号：C19190282

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.224 ￥1.44
10+
￥1.1985 ￥1.41
30+
￥1.1815 ￥1.39
100+
￥1.1645 ￥1.37

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NID9N05ACLT4G-VB 编号：C7463583

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.258 ￥1.48
10+
￥1.2325 ￥1.45
30+
￥1.2155 ￥1.43
100+
￥1.1985 ￥1.41

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NTD3055L104T4G-VB 编号：C7429083

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.258 ￥1.48
10+
￥1.2325 ￥1.45
30+
￥1.2155 ￥1.43
100+
￥1.1985 ￥1.41

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：DMN6068LK3-13-VB 编号：C709949

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.2825 ￥1.35
10+
￥1.254 ￥1.32
30+
￥1.235 ￥1.3
100+
￥1.216 ￥1.28

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：NTD4804NT4G-VB 编号：C4355079

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.666 ￥1.96
10+
￥1.6235 ￥1.91
30+
￥1.598 ￥1.88
100+
￥1.5725 ￥1.85

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：P5506BDG-VB 编号：C878972

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.666 ￥1.96
10+
￥1.632 ￥1.92
30+
￥1.6065 ￥1.89
100+
￥1.581 ￥1.86

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：86T03GH-VB 编号：C20417512

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：CEU3060-VB 编号：C19632101

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IRLR8113TRPBF-VB 编号：C20755528

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AOD510-VB 编号：C7525056

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.734 ￥2.04
10+
￥1.6915 ￥1.99
30+
￥1.666 ￥1.96
100+
￥1.6405 ￥1.93

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：QM3016D-VB 编号：C878894

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.7935 ￥2.11
10+
￥1.751 ￥2.06
30+
￥1.7255 ￥2.03
100+
￥1.7 ￥2

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：VBZE75N03 编号：C700658

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
100+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：VBZE100N03 编号：C700618

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
100+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：VBZE80N03 编号：C700660

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.819 ￥2.14
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.751 ￥2.06
100+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：AOD406-VB 编号：C879161

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.87 ￥2.2
10+
￥1.836 ￥2.16
30+
￥1.802 ￥2.12
100+
￥1.7765 ￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：AP0603GH-HF-VB 编号：C7494433

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.87 ￥2.2
10+
￥1.836 ￥2.16
30+
￥1.802 ￥2.12
100+
￥1.7765 ￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IPD090N03LG-VB 编号：C19632053

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.8905 ￥1.99
10+
￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：SUD70N03-04P-VB 编号：C5179526

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.8955 ￥2.23
10+
￥1.853 ￥2.18
30+
￥1.8275 ￥2.15
100+
￥1.802 ￥2.12

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：NTD4858NT4G-VB 编号：C7463499

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.955 ￥2.3
10+
￥1.9125 ￥2.25
30+
￥1.887 ￥2.22
100+
￥1.8615 ￥2.19

有货

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800V

型号：BT139F-800E 编号：C22459226

封装：TO-220F

品牌：YFW(佑风微)

特性：具有承受大电流冲击负载的高能力。提供高dv/dt速率，具有较强的抗电磁干扰能力。应用：电源充电器。 T型工具

5+
￥1.97733 ￥2.0814
50+
￥1.55268 ￥1.6344
150+
￥1.37066 ￥1.4428
500+
￥1.143515 ￥1.2037
2000+
￥1.042435 ￥1.0973
5000+
￥0.98173 ￥1.0334

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：D9N05CLG-VB 编号：C20417721

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7085 ￥2.01
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.2835 ￥1.51
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：AUIRLR024NTRPBF-VB 编号：C7568984

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.193 ￥2.58
10+
￥1.751 ￥2.06
30+
￥1.564 ￥1.84
100+
￥1.326 ￥1.56
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：AOD4132-VB 编号：C693178

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.1945 ￥2.31
10+
￥2.1565 ￥2.27
30+
￥2.128 ￥2.24
100+
￥2.09 ￥2.2

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：AOTF450L-VB 编号：C20626318

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.312 ￥2.72
10+
￥2.2525 ￥2.65
50+
￥2.2185 ￥2.61
100+
￥2.1845 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：2SK2415-Z-E1-AZ-VB 编号：C557928

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.4605 ￥2.59
10+
￥1.9665 ￥2.07
30+
￥1.7575 ￥1.85
100+
￥1.4915 ￥1.57
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：AOD4126&19-VB 编号：C7494619

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
30+
￥2.6605 ￥3.13
100+
￥2.618 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：082N10N-VB 编号：C18212608

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
30+
￥2.6605 ￥3.13
100+
￥2.618 ￥3.08

有货

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