充电模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：ME2325-VB 编号：C20754959

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.39558 ￥0.4164
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￥0.350265 ￥0.3687
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￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：CPH3355-TL-H-VB 编号：C20755225

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57741 ￥0.6078
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￥0.456475 ￥0.4805
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￥0.39596 ￥0.4168
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￥0.350645 ￥0.3691
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￥0.314355 ￥0.3309
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￥0.29621 ￥0.3118

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型号：ST2315SRG-VB 编号：C879063

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
50+
￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：SSC8033GS6-VB 编号：C878856

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
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￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：ST2341A-VB 编号：C4355100

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.591945 ￥0.6231
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￥0.471105 ￥0.4959
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￥0.410685 ￥0.4323
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￥0.36537 ￥0.3846
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：SI2343DS-T1-E3-VB 编号：C45662585

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
50+
￥0.47766 ￥0.5028
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￥0.41724 ￥0.4392
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￥0.371925 ￥0.3915
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￥0.33573 ￥0.3534
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￥0.317585 ￥0.3343

有货

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型号：DMG3415UQ-7-VB 编号：C45662588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.47766 ￥0.5028
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￥0.317585 ￥0.3343

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型号：DMP3130LQ-7-VB 编号：C45662593

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.33573 ￥0.3534
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￥0.317585 ￥0.3343

有货

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型号：SI2369BDS-T1-GE3-VB 编号：C45662591

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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型号：RQ5E035ATTCL-VB 编号：C45662592

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.317585 ￥0.3343

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型号：SI2393DS-T1-GE3-VB 编号：C45662584

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.317585 ￥0.3343

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型号：DMP3125L-7-VB 编号：C45662587

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.33573 ￥0.3534
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有货

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型号：AOSS21311C-VB 编号：C45662589

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.47766 ￥0.5028
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￥0.33573 ￥0.3534
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型号：FDN360P-VB 编号：C45662583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.5985 ￥0.63
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￥0.47766 ￥0.5028
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￥0.41724 ￥0.4392
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￥0.33573 ￥0.3534
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￥0.317585 ￥0.3343

有货

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型号：APM2309AC-TRL-VB 编号：C5878783

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.602015 ￥0.6337
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￥0.481175 ￥0.5065
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￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：SI2343CDS-T1-GE3-VB 编号：C7429101

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.607715 ￥0.6397
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￥0.484595 ￥0.5101
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￥0.314355 ￥0.3309
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：AM3401E3VR-VB 编号：C709883

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.616645 ￥0.6491
50+
￥0.495805 ￥0.5219
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￥0.43529 ￥0.4582
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￥0.389975 ￥0.4105
3000+
￥0.314165 ￥0.3307
6000+
￥0.29602 ￥0.3116

有货

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型号：SSF3341L-VB 编号：C18212575

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.617405 ￥0.6499
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￥0.496565 ￥0.5227
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￥0.436145 ￥0.4591
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￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：AO3407-VB 编号：C693136

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.61788 ￥0.6504
50+
￥0.49704 ￥0.5232
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￥0.43662 ￥0.4596
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￥0.391305 ￥0.4119
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：FDN304PZ-NL-VB 编号：C558122

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.637545 ￥0.6711
50+
￥0.51015 ￥0.537
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￥0.446405 ￥0.4699
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3000+
￥0.331075 ￥0.3485
6000+
￥0.311885 ￥0.3283

有货

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型号：SSC8035GS6-VB 编号：C725195

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.646665 ￥0.6807
50+
￥0.525825 ￥0.5535
150+
￥0.465405 ￥0.4899
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￥0.42009 ￥0.4422
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：NTD3055L104G-VB 编号：C7429082

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2065 ￥1.27
10+
￥1.178 ￥1.24
30+
￥1.159 ￥1.22
100+
￥1.14 ￥1.2

有货

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型号：AO6706-VB 编号：C5179559

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、移动设备充电管理等电子领域。SOT23-6；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.4~1.5V；

数据手册

5+
￥1.249075 ￥1.4695
50+
￥0.996285 ￥1.1721
150+
￥0.887995 ￥1.0447
500+
￥0.75276 ￥0.8856
3000+
￥0.66249 ￥0.7794
6000+
￥0.62645 ￥0.737

有货

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型号：IRFR220NTRPBF(ES) 编号：C42434103

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976

有货

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型号：P75N02LDG-VB 编号：C20755568

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.995 ￥2.1
10+
￥1.9475 ￥2.05
30+
￥1.919 ￥2.02
100+
￥1.8905 ￥1.99

有货

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型号：IRFR024TRPBF-VB 编号：C5355706

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.479 ￥1.74
100+
￥1.241 ￥1.46
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：RFD3055LESM9A-VB 编号：C7429097

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
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型号：STD12NF06T4-VB 编号：C879013

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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30+
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型号：D9N05CLG-VB 编号：C20417721

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
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型号：K2503TL-VB 编号：C7494592

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.142 ￥2.52
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