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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：2305-VB 编号：C5179555

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：2SJ486ZU-TL-E-VB 编号：C5179574

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2319SRG-VB 编号：C5137393

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
500+
￥0.29767 ￥0.3502

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：2303-VB 编号：C4355084

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：KFH-VB 编号：C4355051

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
150+
￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：VBZ3401B 编号：C3040200

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.315095 ￥0.3707
50+
￥0.30855 ￥0.363
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￥0.304215 ￥0.3579
500+
￥0.29988 ￥0.3528

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212592

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307CDS-T1-E3-VB 编号：C18212455

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
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￥0.309655 ￥0.3643
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￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NTR4502PT3G-VB 编号：C18212525

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
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￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2343CDS-T1-E3-VB 编号：C18794935

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
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￥0.30107 ￥0.3542

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2305AS23RG-VB 编号：C18212494

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
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￥0.309655 ￥0.3643
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￥0.305405 ￥0.3593
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￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2313-VB 编号：C18212583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212544

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV33UPE-VB 编号：C18795004

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303BDS-T1-GE3-VB 编号：C7568765

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：STS3415-VB 编号：C725216

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.319855 ￥0.3763
50+
￥0.31331 ￥0.3686
150+
￥0.308975 ￥0.3635
500+
￥0.30464 ￥0.3584

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2323PSA-VB 编号：C878887

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.321215 ￥0.3779
50+
￥0.31467 ￥0.3702
150+
￥0.310335 ￥0.3651
500+
￥0.306 ￥0.36

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2305PE-T1-PF-VB 编号：C5878777

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.328225 ￥0.3455
50+
￥0.32091 ￥0.3378
150+
￥0.31616 ￥0.3328
500+
￥0.311315 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP3130L-7-VB 编号：C7494574

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.330905 ￥0.3893
50+
￥0.32436 ￥0.3816
150+
￥0.32011 ￥0.3766
500+
￥0.315775 ￥0.3715

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV50UPE-VB 编号：C7494631

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.330905 ￥0.3893
50+
￥0.32436 ￥0.3816
150+
￥0.32011 ￥0.3766
500+
￥0.315775 ￥0.3715

有货

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：FDN360P-VB 编号：C45662583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG3415UQ-7-VB 编号：C45662588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

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-30 V，SOT23-3 封装，单P沟道沟槽MOSFET

型号：SI2343DS-T1-E3-VB 编号：C45662585

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP3130LQ-7-VB 编号：C45662593

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

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30V沟槽型单P沟道MOSFET

型号：RQ5E035ATTCL-VB 编号：C45662592

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
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￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

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-30V单P沟道沟槽型SOT23-3封装MOSFET

型号：SI2393DS-T1-GE3-VB 编号：C45662584

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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￥0.327275 ￥0.3445
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￥0.317585 ￥0.3343

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SOT23-3封装，-30V单P沟道沟槽MOSFET

型号：SI2369BDS-T1-GE3-VB 编号：C45662591

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

5+
￥0.334495 ￥0.3521
50+
￥0.327275 ￥0.3445
150+
￥0.32243 ￥0.3394
500+
￥0.317585 ￥0.3343

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SOT23-3封装，单沟槽、30V MOSFET

型号：AOSS21311C-VB 编号：C45662589

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：WPM3005-VB 编号：C879106

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：VBZ3407 编号：C3040336

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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