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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2305-VB 编号：C20417588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2315BDS-T1-GE3-VB 编号：C19190166

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMS2333-VB 编号：C20754985

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM3415E-VB 编号：C20755161

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2341B-VB 编号：C20755255

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2343DS-T1-GE3-VB 编号：C20755068

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：H2305N-VB 编号：C20755159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
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￥0.26469 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5103GTRPBF-VB 编号：C20755527

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.269025 ￥0.3165
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV32UP-VB 编号：C20755388

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.269025 ￥0.3165
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CPH3348-VB 编号：C7494609

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2321GN-HF-VB 编号：C19626713

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3409A-VB 编号：C19626766

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2305BAC-VB 编号：C20755060

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GN3401-VB 编号：C7525029

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.29002 ￥0.3412
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￥0.28356 ￥0.3336
150+
￥0.279225 ￥0.3285
500+
￥0.27489 ￥0.3234

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：G2305A-VB 编号：C7524954

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27489 ￥0.3234

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP31D0U-7-VB 编号：C7525010

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.29002 ￥0.3412
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150+
￥0.279225 ￥0.3285
500+
￥0.27489 ￥0.3234

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：MEM2307XG-VB 编号：C7524897

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.29002 ￥0.3412
50+
￥0.28356 ￥0.3336
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￥0.279225 ￥0.3285
500+
￥0.27489 ￥0.3234

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2315S23RG-VB 编号：C5878857

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2315AC-TRL-VB 编号：C5456485

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2319P-T1-PF-VB 编号：C5456475

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
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50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：APM2303AC-TRL-VB 编号：C5456484

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2305AAC-TRL-VB 编号：C5355747

封装：TO-236(SOT-23)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXMP3F30FHTA-VB 编号：C5444657

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CES2307-VB 编号：C693422

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.29563 ￥0.3478
50+
￥0.28917 ￥0.3402
150+
￥0.28475 ￥0.335
500+
￥0.280415 ￥0.3299

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ME2347-VB 编号：C19626758

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXMP3A13FTA-VB 编号：C19190182

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：XP202A0003MR-G-VB 编号：C20755615

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：ME2325-VB 编号：C20754959

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ZXM61P03FTA-VB 编号：C5179572

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
50+
￥0.30634 ￥0.3604
150+
￥0.302005 ￥0.3553
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￥0.29767 ￥0.3502

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P沟道,电流:5.4A,耐压:30V

型号：VBZ3401X 编号：C3040221

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.3128 ￥0.368
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￥0.30634 ￥0.3604
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