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N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：HTK50P04M1 编号：C42401161

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。

1+
￥1.112 ￥1.39
10+
￥1.088 ￥1.36
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￥1.072 ￥1.34
100+
￥1.056 ￥1.32

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：F3055LESM-VB 编号：C20755296

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2065 ￥1.27
10+
￥1.178 ￥1.24
30+
￥1.159 ￥1.22
100+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：STD10NF06LT4-VB 编号：C7463631

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.2325 ￥1.45
10+
￥1.207 ￥1.42
30+
￥1.19 ￥1.4
100+
￥1.173 ￥1.38

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：HSTD30PF03LT4 编号：C42401182

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。

1+
￥1.3005 ￥1.53
10+
￥1.2665 ￥1.49
30+
￥1.2495 ￥1.47
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￥1.2325 ￥1.45

有货

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硅N沟道功率MOSFET

型号：SMIRF8N65T2TL-HXY 编号：C49256411

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备10A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高压开关应用环境。导通电阻（RDON）为860mΩ，在同类器件中具备良好的导通性能，有助于提升电路效率。器件结构设计优化，具有较强的耐压能力和稳定的工作表现，适用于电源适配器、充电器、LED驱动模块以及各类交直流转换设备中的高频开关电路设计，满足高效能与高可靠性要求。

1+
￥1.58
10+
￥1.54
50+
￥1.52

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：UT108N03L-TN3-R-VB 编号：C20417713

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.6575 ￥1.95
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：SM3113NSUC-TRG-VB 编号：C5444649

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.7765 ￥2.09
10+
￥1.734 ￥2.04
30+
￥1.7085 ￥2.01
100+
￥1.683 ￥1.98

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：SM3116NAUC-TRG-VB 编号：C5137420

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.8955 ￥2.23
10+
￥1.853 ￥2.18
30+
￥1.8275 ￥2.15
100+
￥1.802 ￥2.12

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：MTD3055VLT4G-VB 编号：C879110

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.299 ￥2.42
10+
￥1.805 ￥1.9
30+
￥1.596 ￥1.68
100+
￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：BUK92150-55A-VB 编号：C20754953

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.299 ￥2.42
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.596 ￥1.68
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￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：CEU4060AL-VB 编号：C709935

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.3655 ￥2.49
10+
￥1.8715 ￥1.97
30+
￥1.6625 ￥1.75
100+
￥1.3965 ￥1.47
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：LR024N-VB 编号：C725106

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.4795 ￥2.61
10+
￥1.9855 ￥2.09
30+
￥1.7765 ￥1.87
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￥1.5105 ￥1.59
500+
￥1.159 ￥1.22
1000+
￥1.0925 ￥1.15

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：FDD86102LZ-VB 编号：C879101

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥2.907 ￥3.42
10+
￥2.839 ￥3.34
30+
￥2.7965 ￥3.29
100+
￥2.754 ￥3.24

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：SUD50N10-34P-E3-VB 编号：C7463629

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.2385 ￥3.81
10+
￥3.1705 ￥3.73
30+
￥3.128 ￥3.68
100+
￥3.0855 ￥3.63

有货

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P沟道增强型MOSFET

型号：UPA2738GR-E1-AX-HXY 编号：C48972131

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），可在较高功率应用场景中稳定工作。其导通电阻（RDON）仅为13毫欧，有效减小导通损耗，提升整体能效。器件采用P沟道结构，适用于各类中低电压功率控制电路，如电源适配器、充电管理模块、便携式电子设备及家用电器中的开关电源与负载驱动电路。

1+
￥3.268 ￥3.44
10+
￥3.192 ￥3.36
30+
￥3.1445 ￥3.31
100+
￥3.0875 ￥3.25

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:28.6A

型号：HUF75545P3-VB 编号：C7463522

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥3.366 ￥3.96
10+
￥3.2895 ￥3.87
50+
￥3.2385 ￥3.81
100+
￥3.179 ￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：AP85U03GH-HF-VB 编号：C558082

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.755 ￥2.9
30+
￥2.4225 ￥2.55
100+
￥2.09 ￥2.2
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：FDD16AN08A0-VB 编号：C7428956

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.134 ￥6.04
10+
￥4.1565 ￥4.89
30+
￥3.672 ￥4.32
100+
￥3.1875 ￥3.75
500+
￥2.8985 ￥3.41
1000+
￥2.754 ￥3.24

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：SQD50N10-8M9L-GE3-VB 编号：C7569099

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：AUFR3710Z-VB 编号：C20755130

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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N沟道,电流:85A,耐压:100V

型号：IXTH16N10D2-VB 编号：C2680853

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥10.217 ￥12.02
10+
￥8.7125 ￥10.25
30+
￥7.2675 ￥8.55
90+
￥6.2985 ￥7.41
510+
￥5.865 ￥6.9
990+
￥5.678 ￥6.68

有货

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用于高功率通用离线电源的PWM电流模式控制器

型号：NCP1216AD65R2G 编号：C603512

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1216 采用 SOIC−8 或 PDIP−7 封装，是基于 NCP1200 的增强版本。因其高驱动能力，可驱动大栅极电荷 MOSFET，结合内部斜坡补偿和内置频率抖动，便于现代 AC−DC 适配器的设计。控制器通过高压轨自供电，无需辅助绕组，在特定应用（如电池充电器或电视机）中减轻了设计任务。

数据手册

1+
￥10.95
10+
￥9.97
30+
￥9.36
100+
￥8.73

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:45A

型号：FDPF390N15A-VB 编号：C18795069

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
10+
￥11.5805 ￥12.19
50+
￥10.26 ￥10.8
100+
￥8.911 ￥9.38
500+
￥8.303 ￥8.74
1000+
￥8.037 ￥8.46

有货

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高速开关系列第五代

型号：AIGB15N65H5 编号：C533143

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷Qs。最高结温175℃。经过动态应力测试。应用：车载充电器。非车载充电器

数据手册

1+
￥24.87
10+
￥24.24
30+
￥23.81

有货

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1.2kV 150A

型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

数据手册

1+
￥44.34
10+
￥42.54
30+
￥39.29

有货

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TEN 5-2422WI

型号：TEN 5-2422WI 编号：C6880677

封装：-

品牌：TRACO POWER

单价：
￥238.4 / 个

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：N0302P-VB 编号：C19190233

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM2307PE-T1-PF-VB 编号：C20417559

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5203GTRPBF-VB 编号：C19190281

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMS7401-VB 编号：C19632159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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