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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：NID9N05ACLT4G-VB 编号：C7463583

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.2355 ￥2.63
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￥1.7935 ￥2.11
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￥1.6065 ￥1.89
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￥1.3685 ￥1.61
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￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：BUK92150-55A-VB 编号：C20754953

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.299 ￥2.42
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.596 ￥1.68
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：HSTD30PF03LT4 编号：C42401182

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该P沟道场效应管（MOSFET）具有40A的持续漏极电流能力，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为18mΩ，有助于降低系统功耗。栅源电压范围为20V，确保了良好的开关特性与稳定性。适用于需要高效能、低损耗开关或线性应用的电路设计中，例如消费电子产品中的电源管理模块，以及便携式设备里的电池充电控制等场景。

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￥2.3205 ￥2.73
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￥1.819 ￥2.14
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￥1.6065 ￥1.89
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￥1.343 ￥1.58
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￥1.224 ￥1.44
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￥1.156 ￥1.36

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：AOD444-VB 编号：C693148

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.3845 ￥2.51
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.6815 ￥1.77
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￥1.4155 ￥1.49
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￥1.178 ￥1.24
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￥1.1115 ￥1.17

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：NTD4804NT4G-VB 编号：C4355079

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥3.179 ￥3.74
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￥2.584 ￥3.04
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￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
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￥1.819 ￥2.14
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￥1.7255 ￥2.03

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：NTD4904NT4G-VB 编号：C5240556

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥3.2215 ￥3.79
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￥2.6265 ￥3.09
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￥2.0315 ￥2.39
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.683 ￥1.98

有货

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双N沟道增强型MOSFET

型号：SP8K33FRATB-HXY 编号：C49256926

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具有良好的导通特性和开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为6.5A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ，适用于中功率电源转换与控制应用。该器件可在高频条件下稳定运行，降低能量损耗，提升系统效率。常用于电源管理模块、DC-AC逆变器、电机驱动电路及智能充电设备中的功率控制部分。其封装形式灵活，便于在多种电路环境中实现高效布板和良好散热。

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￥3.268 ￥3.44
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.033 ￥2.14
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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.7575 ￥1.85

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:35.8A

型号：AOD406-VB 编号：C879161

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.2725 ￥3.85
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￥2.6605 ￥3.13
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￥2.3545 ￥2.77
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￥2.057 ￥2.42
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￥1.87 ￥2.2
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￥1.7765 ￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IRLR8103VTRPBF-VB 编号：C5878824

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.3745 ￥3.97
10+
￥2.7795 ￥3.27
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￥2.482 ￥2.92
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￥2.1845 ￥2.57
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￥2.006 ￥2.36
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￥1.9125 ￥2.25

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：QM3006D-VB 编号：C19188230

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.648 ￥3.84
10+
￥2.983 ￥3.14
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.318 ￥2.44
500+
￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：IRFI540NPBF&40V-VB 编号：C7569021

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥4.267 ￥5.02
10+
￥3.5105 ￥4.13
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￥3.1365 ￥3.69
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￥2.7625 ￥3.25
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￥2.533 ￥2.98
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￥2.414 ￥2.84

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：FQPF33N10L-VB 编号：C19711240

封装：TO-220

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥4.3415 ￥4.57
10+
￥3.496 ￥3.68
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￥3.078 ￥3.24
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￥2.6505 ￥2.79
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：IRFI540GPBF-VB 编号：C558157

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥4.352 ￥5.12
10+
￥3.5955 ￥4.23
50+
￥2.754 ￥3.24
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￥2.3715 ￥2.79
500+
￥2.1505 ￥2.53
1000+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：IRFR2407TRPBF-VB 编号：C5240524

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥5.202 ￥6.12
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￥4.2245 ￥4.97
30+
￥3.74 ￥4.4
100+
￥3.2555 ￥3.83
500+
￥2.9665 ￥3.49
1000+
￥2.822 ￥3.32

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD122N10N3G-VB 编号：C20417530

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.202 ￥6.12
10+
￥4.2245 ￥4.97
30+
￥3.74 ￥4.4
100+
￥3.2555 ￥3.83
500+
￥2.9665 ￥3.49
1000+
￥2.822 ￥3.32

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:9.2A

型号：SUD50N10-34P-E3-VB 编号：C7463629

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.4655 ￥6.43
10+
￥4.4965 ￥5.29
30+
￥4.0035 ￥4.71
100+
￥3.5275 ￥4.15
500+
￥2.8985 ￥3.41
1000+
￥2.754 ￥3.24

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IPD60N10S4L-12-VB 编号：C7568831

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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P沟道增强型MOSFET

型号：UPA2738GR-E1-AX-HXY 编号：C48972131

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备11A的额定漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），可在较高功率应用场景中稳定工作。其导通电阻（RDON）仅为13毫欧，有效减小导通损耗，提升整体能效。器件采用P沟道结构，适用于各类中低电压功率控制电路，如电源适配器、充电管理模块、便携式电子设备及家用电器中的开关电源与负载驱动电路。

1+
￥5.8995 ￥6.21
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￥4.75 ￥5
30+
￥4.18 ￥4.4
100+
￥3.61 ￥3.8
500+
￥3.268 ￥3.44
1000+
￥3.0875 ￥3.25

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:28.6A

型号：HUF75545P3-VB 编号：C7463522

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥5.984 ￥7.04
10+
￥4.9895 ￥5.87
50+
￥4.4455 ￥5.23
100+
￥3.825 ￥4.5
500+
￥3.553 ￥4.18
1000+
￥3.434 ￥4.04

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：FR2307Z-VB 编号：C725051

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥5.985 ￥6.3
10+
￥4.902 ￥5.16
30+
￥4.3605 ￥4.59
100+
￥3.819 ￥4.02
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:100A

型号：75N75L-TA3-T-VB 编号：C20417569

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥6.403 ￥6.74
10+
￥5.301 ￥5.58
50+
￥4.693 ￥4.94
100+
￥3.9995 ￥4.21
500+
￥3.6955 ￥3.89
1000+
￥3.553 ￥3.74

有货

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双N+P沟道增强型MOSFET

型号：ZXMC3A16DN8QTA-HXY 编号：C48972103

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源转换与管理应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。采用N沟道与P沟道组合结构，兼顾开关速度与稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品中的功率控制电路。

1+
￥6.8115 ￥7.17
10+
￥5.6715 ￥5.97
30+
￥5.0445 ￥5.31
100+
￥4.3415 ￥4.57
500+
￥4.028 ￥4.24
1000+
￥3.8855 ￥4.09

有货

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硅N沟道功率MOSFET

型号：BFL4037-HXY 编号：C49256439

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

1+
￥9.2055 ￥9.69
10+
￥7.6665 ￥8.07
50+
￥6.821 ￥7.18
100+
￥5.8615 ￥6.17
500+
￥5.4435 ￥5.73
1000+
￥5.244 ￥5.52

有货

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32位ARM Cortex-M4微控制器

型号：HC32F334K8TI-LQFP64 编号：C20071245

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：XHSC(小华)

特性：ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU，120MHz/150DMIPS，128KB Flash，36KB SRAM，5KB OTP，15Timers，6HRPWMs，3ADCs，3DACs，3CMPs，4UARTs，3LINs，1SPI，1I2C，2CAN FDs（FD/2.0B）。集成FPU、MPU。支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。最高工作主频120MHz，达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。最大128KB的Flash memory，最大36KB的单周期访问高速SRAM。系统电源：1.8~3.63V。应用：面向AC/DC、DC/DC数字电源应用，如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等

1+
￥13
10+
￥10.83
30+
￥9.48
160+
￥8.09
480+
￥7.46

有货

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降压型 200mA 2.2V~5.5V

型号：TPS82740BSIPR 编号：C5187175

封装：SIP-9

品牌：TI(德州仪器)

TPS82740 是一款降压转换器模块，特有典型值为 360nA 的静态流耗。它是用于超低功率应用的完整 MicroSIP 直流/直流降压电源解决方案。此模块包括开关稳压器、电感器和输入/输出电容器。将所有需要的无源组件集成在一起可实现仅为 6.7mm² 的微型解决方案尺寸。这款全新的基于 DCS-ControlTM 的器件将轻负载效率范围拓展至 10μA 负载电流以下，支持高达 200mA 的输出电流。此器件由可再充电锂离子电池，锂化学电池（例如锂亚硫酰氯（Li-SOC12），锂锰电池（Li-MnO2））和两节或三节碱性电池供电运行，输入电压范围高达 5.5V，也可实现由 1 个 USB 端口和薄膜太阳能模块供电运行。用户可通过三个电压选择引脚 (VSEL) 在 1.8V 至 2.5V (TPS82740A) 和 2.6V 至 3.3V (TPS82740B) 的范围内以 100mV 的步长选择输出电压。TPS82740 特有低输出电压纹波和低噪声。一旦电池电压接近输出电压（接近 100% 占空比），此器件进入无纹波 100% 模式运行，以防止增加输出电压纹波。在这个情况下，此器件停止开关，并且输出被连接至输入电压。集成的转换率受控负载开关（具有 0.6Ω 的导通电阻典型值）将已选输出电压配送至一个临时使用的子系统。TPS82740 采用小型 9 焊锡凸点 6.7mm² MicroSiP 封装。

数据手册

1+
￥14.2
10+
￥12.03
30+
￥10.67
100+
￥9.28

有货

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PFC+SPWM双向逆变器专用芯片

型号：EG8026 编号：C2987471

封装：QFN-70

品牌：EG(屹晶微)

EG8026芯片是一款专用于双向逆变器（同一套电路可作逆变器功能，又可作电池充电器功能）中的DC/AC逆变和PFC升压的控制芯片，集成了两路600V半桥高压MOS驱动器，驱动器的输出电流能力为+/-2A，内置四路独立的逐周PWM关断保护，可有效防止在极端情况下过高的峰值电流而损坏MOS的情况，另外提供了两路SD，分别为SD1，和SD2，SD1是驱动器1 HO1和LO1的逐周关断引脚，SD2是驱动器2 HO2和LO2的逐周关断引脚，结合外部比较器和SD功能可实现过流或短路保护等功能。 EG8026主要的功能由两部分组成，第一部分为DC/AC逆变控制，主要实现将高压的直流电压转换为纯正弦波交流输出；第二部分为PFC升压控制，主要实现将市电交流电转换为高压直流电压，供电池充电所需的电压。 EG8026作DC/AC逆变控制时，内部的主要模块为SPWM正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART串口通讯模块等功能，并提供了完善的各项保护功能，直流母线过压和欠压保护、交流输出欠压保护、过载报警提示、过载保护指示、过流保护指示、过温保护指示及短路保护指示等。

1+
￥29.91
10+
￥25.57
30+
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厚膜电阻 16mΩ ±1%

型号：RS-06FL7-0R016 编号：C2924158

封装：1206

品牌：Viking(光颉)

特性：低电感。高度可靠的多层电极结构。更高的元件和设备可靠性。减小最终设备的尺寸。符合RoHS标准。应用：电源管理应用。开关电源。音频应用中的过流保护。电压调节模块 (VRM)。DC-DC转换器、电池组、充电器、适配器。磁盘驱动器

数据手册

50+
￥0.1173
500+
￥0.0914
1500+
￥0.077
5000+
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3411-VB 编号：C7568789

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：MT3401-VB 编号：C20754978

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.325375 ￥0.3425
50+
￥0.318155 ￥0.3349
150+
￥0.31331 ￥0.3298
500+
￥0.308465 ￥0.3247

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMS7401-VB 编号：C19632159

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
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￥0.408 ￥0.48
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￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
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