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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.548505 ￥0.6453
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￥0.25925 ￥0.305

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型号：VBZ3401X 编号：C3040221

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.549015 ￥0.6459
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型号：DMG2307L-7-F-VB 编号：C7463646

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.552415 ￥0.6499
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型号：FDN360P-NL-VB 编号：C7428966

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.55505 ￥0.653
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￥0.29478 ￥0.3468
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型号：SI2303ADS-T1-GE3-VB 编号：C7494553

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.56712 ￥0.6672
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型号：SM2303PSA-VB 编号：C7494539

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.56712 ￥0.6672
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型号：PMV50UPE-VB 编号：C7494631

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台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.56712 ￥0.6672
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型号：HM3401B-VB 编号：C19190274

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品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57684 ￥0.6072
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型号：XP202A0003MR-G-VB 编号：C20755615

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台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.39558 ￥0.4164
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￥0.350265 ￥0.3687
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：NDS352AP-NL-VB 编号：C6705296

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：P5103EMG-VB 编号：C879132

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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型号：AP2305N-VB 编号：C7494610

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.59033 ￥0.6214
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￥0.296305 ￥0.3119

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型号：SI2307BDS-T1-GE3-VB 编号：C5179520

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.591945 ￥0.6231
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￥0.471105 ￥0.4959
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型号：AP2303GN-VB 编号：C558071

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.59603 ￥0.6274
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￥0.476425 ￥0.5015
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￥0.416575 ￥0.4385
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￥0.31084 ￥0.3272
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￥0.292885 ￥0.3083

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型号：EMB50P03J-VB 编号：C7568776

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.625005 ￥0.6579
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￥0.501885 ￥0.5283
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￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：SK34HE3-HXY 编号：C52988718

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式结构，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类低压直流转换系统中。

5+
￥0.829255 ￥0.8729
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￥0.660535 ￥0.6953
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￥0.576175 ￥0.6065
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￥0.512905 ￥0.5399
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￥0.46227 ￥0.4866
6000+
￥0.437 ￥0.46

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型号：STPS3H100U-HXY 编号：C52988698

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。

5+
￥0.92131 ￥0.9698
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￥0.72979 ￥0.7682
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￥0.64771 ￥0.6818
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3000+
￥0.4997 ￥0.526
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￥0.47234 ￥0.4972

有货

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型号：AOSP32314 编号：C49420476

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效能开关和功率控制的场景，广泛用于电源管理、充电控制、DC-DC转换以及各类电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性和响应速度，能够满足多样化电路设计需求。

5+
￥1.266825 ￥1.3335
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￥0.890625 ￥0.9375
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￥0.749835 ￥0.7893
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￥0.687135 ￥0.7233
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￥0.649515 ￥0.6837

有货

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型号：MC33063ADR2G-HXY 编号：C20616341

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

电池充电器电源适配器 LED驱动器电压转换模块微处理器电源其他便携式设备

5+
￥1.358295 ￥1.6365
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￥1.073854 ￥1.2938
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￥0.951927 ￥1.1469
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￥0.799788 ￥0.9636
2500+
￥0.698196 ￥0.8412
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￥0.657526 ￥0.7922

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型号：CSD17304Q3-HXY 编号：C22367305

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

CSD17304Q3 型号MOS管采用前沿DFN3X3-8L封装工艺，体积小巧且散热出色。这款N沟道MOSFET具有30V的峰值电压耐受力，能安全稳定地承载高达80A的漏极电流，展现出卓越的电力传输性能。其导通电阻仅为4.7mΩ，显著增强了电路能效，减小了能量损耗。广泛适用于大电流开关电源、快速充电模块、电机驱动系统等高强度应用场景，是您构建高效、低耗能系统的理想半导体组件。

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￥1.51116 ￥2.1588
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￥1.18664 ￥1.6952
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￥1.04748 ￥1.4964
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￥0.87395 ￥1.2485
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￥0.79667 ￥1.1381
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￥0.75026 ￥1.0718

有货

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型号：SM3113NSUC-TRG-VB 编号：C5444649

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.9855 ￥2.09
10+
￥1.938 ￥2.04
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￥1.9095 ￥2.01
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￥1.881 ￥1.98

有货

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型号：HTK50P04M1 编号：C42401161

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID），适用于高电流需求的应用中。其最大工作电压（VDSS）为40V，确保了在多种电压环境下使用的安全性。导通电阻（RDSON）仅为7.7毫欧，在导通状态下能有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。栅源电压（VGS）的最大值为20V，便于电路设计时的驱动控制。此MOSFET适用于需要高效能转换与控制的场合，如电源管理模块、便携式设备充电电路等。

1+
￥1.992 ￥2.49
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￥1.568 ￥1.96
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￥1.384 ￥1.73
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￥1.152 ￥1.44
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￥1.056 ￥1.32
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￥0.992 ￥1.24

有货

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型号：CMSH3-40TR13-HXY 编号：C52988715

封装：SMC

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。其正向压降为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率敏感的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及低压直流转换系统中。

5+
￥2.04991 ￥2.1578
50+
￥1.623835 ￥1.7093
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￥1.44115 ￥1.517
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￥1.21334 ￥1.2772
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￥1.11188 ￥1.1704
6000+
￥1.050985 ￥1.1063

有货

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型号：IPD90N03S4L-03-VB 编号：C7463434

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.0805 ￥2.19
10+
￥2.0425 ￥2.15
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￥2.0045 ￥2.11
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￥1.976 ￥2.08

有货

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型号：MTD3055ELT4G-VB 编号：C7463621

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.479 ￥1.74
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￥1.241 ￥1.46
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￥1.139 ￥1.34
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￥1.0795 ￥1.27

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型号：2SK2414-Z-E1-AZ-VB 编号：C5878776

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.479 ￥1.74
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￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

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型号：IPD14N06S2-80-VB 编号：C18795046

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.142 ￥2.52
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型号：IRFR014TRLPBF-VB 编号：C20626351

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：EMB60N06A-VB 编号：C879014

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.159 ￥2.54
10+
￥1.717 ￥2.02
30+
￥1.5215 ￥1.79
100+
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500+
￥1.1815 ￥1.39
1000+
￥1.1135 ￥1.31

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型号：STD10NF06LT4-VB 编号：C7463631

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.21 ￥2.6
10+
￥1.768 ￥2.08
30+
￥1.581 ￥1.86
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￥1.343 ￥1.58
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￥1.139 ￥1.34
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