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封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.648 ￥3.84
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.6505 ￥2.79
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￥2.318 ￥2.44
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：QM3006D-VB 编号：C19188230

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.648 ￥3.84
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.6505 ￥2.79
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

有货

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型号：IRFI540NPBF&40V-VB 编号：C7569021

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.8845 ￥4.57
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￥2.1505 ￥2.53
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型号：ZXMC3A16DN8QTA-HXY 编号：C48972103

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源转换与管理应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。采用N沟道与P沟道组合结构，兼顾开关速度与稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品中的功率控制电路。

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￥4.0945 ￥4.31
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￥4.009 ￥4.22
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￥3.9425 ￥4.15
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￥3.8855 ￥4.09

有货

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型号：RDN050N20-VB 编号：C20417552

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥4.352 ￥5.12
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￥3.5445 ￥4.17
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￥2.55 ￥3
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￥2.3035 ￥2.71
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￥2.1845 ￥2.57

有货

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型号：KHB9D5N20F-VB 编号：C878763

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，具有可靠的性能和高质量的制造，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电动车充电器、工业自动化和UPS系统等领域的各种模块。TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

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￥4.4285 ￥5.21
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￥3.621 ￥4.26
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￥2.873 ￥3.38
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￥2.4735 ￥2.91
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￥2.108 ￥2.48

有货

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型号：IRLI2910PBF-VB 编号：C4355120

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥4.655 ￥4.9
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￥3.8095 ￥4.01
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￥3.078 ￥3.24
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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.2705 ￥2.39

有货

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型号：IRFR4510TRPBF-VB 编号：C5878814

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥5.134 ￥6.04
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￥4.1565 ￥4.89
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￥2.5245 ￥2.97

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型号：75N75L-TA3-T-VB 编号：C20417569

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥6.403 ￥6.74
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￥5.301 ￥5.58
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￥4.693 ￥4.94
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.553 ￥3.74

有货

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型号：STP75N75F4-VB 编号：C20417581

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥6.4505 ￥6.79
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￥5.339 ￥5.62
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￥4.693 ￥4.94
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￥3.9995 ￥4.21
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￥3.6955 ￥3.89
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￥3.553 ￥3.74

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型号：BFL4037-HXY 编号：C49256439

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

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￥9.2055 ￥9.69
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￥7.6665 ￥8.07
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￥6.821 ￥7.18
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￥5.244 ￥5.52

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型号：IRFP140NPBF-VB 编号：C5456561

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥11.3905 ￥11.99
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￥9.709 ￥10.22
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￥8.208 ￥8.64
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￥7.1345 ￥7.51
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￥6.6405 ￥6.99
990+
￥6.4315 ￥6.77

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型号：IRFB42N20DPBF-VB 编号：C19711209

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；

1+
￥11.3905 ￥11.99
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￥9.709 ￥10.22
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￥8.208 ￥8.64
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￥7.1345 ￥7.51
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￥6.6405 ￥6.99
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￥6.4315 ￥6.77

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型号：FQPF45N15V2-VB 编号：C20755273

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

1+
￥13.68 ￥14.4
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￥11.5805 ￥12.19
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￥10.26 ￥10.8
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￥8.911 ￥9.38
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型号：ENS001-A2 编号：C6284809

封装：QFN64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A2芯片是一款双通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 刺激脉宽 10μs~1s，量程：1~33mA，系统OSC：HSI_32M +-2%，产品FLASH空间：28KB，输出电流波形种类：所有波形

单价：
￥30 / 个

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型号：AD4170-4BCPZ 编号：C43740544

封装：LFCSP-32-EP(4x6)

品牌：ADI(亚德诺)

特性：精密交流和直流性能。低噪声：5.5 nV/√Hz（增益 = 128）。积分非线性：±0.5 ppm FSR。高信噪比：110 dB（典型值，VREF = 4.096V，增益 = 1，预充电，sinc 滤波器）。应用：工业过程控制：PLC/DCC 模块。温度和压力测量

单价：
￥264 / 个

有货

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型号：SM2307PSAC-TRG-VB 编号：C7494640

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.276165 ￥0.3249
50+
￥0.26962 ￥0.3172
150+
￥0.265285 ￥0.3121
500+
￥0.261035 ￥0.3071

有货

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型号：DMG3415U-7-F-VB 编号：C5878786

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.269025 ￥0.3165
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￥0.26469 ￥0.3114

有货

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型号：FDN358P-NL-VB 编号：C5355717

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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有货

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型号：BM3407-VB 编号：C20755145

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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有货

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型号：LP3443LT1G-VB 编号：C20755204

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.27336 ￥0.3216
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￥0.26469 ￥0.3114

有货

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型号：UT3401ZG-AE3-R-VB 编号：C20754962

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
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￥0.26469 ￥0.3114

有货

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型号：SPP3401S23RG-VB 编号：C19190171

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.280075 ￥0.3295
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￥0.269195 ￥0.3167
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￥0.26486 ￥0.3116

有货

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型号：DMP1045U-7-VB 编号：C7524914

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.29002 ￥0.3412
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￥0.28356 ￥0.3336
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￥0.279225 ￥0.3285
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￥0.27489 ￥0.3234

有货

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型号：G2309-VB 编号：C693385

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.29138 ￥0.3428
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￥0.28067 ￥0.3302
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￥0.27642 ￥0.3252

有货

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型号：SMC3407S-TRG-VB 编号：C5878851

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.293675 ￥0.3455
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￥0.28288 ￥0.3328
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￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：IRLML5103TRPBF-VB 编号：C7429057

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：SSM3J14T-VB 编号：C725198

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
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￥0.28288 ￥0.3328
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￥0.278545 ￥0.3277

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型号：SSM3J01F-VB 编号：C7494443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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型号：GT3401-VB 编号：C7568799

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.299285 ￥0.3521
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