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价格(含税)

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：IRLR014NTRPBF-VB 编号：C6705288

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.479 ￥1.74
100+
￥1.241 ￥1.46
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESNU07R086 编号：C42412313

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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硅N沟道功率MOSFET

型号：SMIRF8N65T2TL-HXY 编号：C49256411

封装：TO-220F

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备10A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高压开关应用环境。导通电阻（RDON）为860mΩ，在同类器件中具备良好的导通性能，有助于提升电路效率。器件结构设计优化，具有较强的耐压能力和稳定的工作表现，适用于电源适配器、充电器、LED驱动模块以及各类交直流转换设备中的高频开关电路设计，满足高效能与高可靠性要求。

1+
￥2.91
10+
￥2.31
50+
￥2.05

有货

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双N+P沟道增强型MOSFET

型号：IRF7389TRPBF-HXY 编号：C48972101

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与转换场景。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用复合沟道设计，在兼顾性能的同时提升了开关稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。

1+
￥3.7905 ￥3.99
10+
￥3.059 ￥3.22
30+
￥2.6885 ￥2.83
100+
￥2.318 ￥2.44
500+
￥2.0995 ￥2.21
1000+
￥1.9855 ￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：2SK3148-VB 编号：C709587

封装：TO-220F-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥4.864 ￥5.12
10+
￥4.0185 ￥4.23
50+
￥3.078 ￥3.24
100+
￥2.6505 ￥2.79
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:45A

型号：AP55T10GH-HF-VB 编号：C7463615

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；

1+
￥5.0405 ￥5.93
10+
￥4.0715 ￥4.79
30+
￥3.5785 ￥4.21
100+
￥3.1025 ￥3.65
500+
￥2.7625 ￥3.25
1000+
￥2.618 ￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：STD70N10F4-VB 编号：C7463503

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.4145 ￥6.37
10+
￥4.4455 ￥5.23
30+
￥3.961 ￥4.66
100+
￥3.4765 ￥4.09
500+
￥2.8985 ￥3.41
1000+
￥2.754 ￥3.24

有货

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1个N沟道耐压:80V

型号：AOT430-VB 编号：C878797

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥5.5335 ￥6.51
10+
￥4.539 ￥5.34
50+
￥3.9355 ￥4.63
100+
￥3.3235 ￥3.91
500+
￥3.043 ￥3.58
1000+
￥2.924 ￥3.44

有货

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N沟道,电流:100A,耐压:80V

型号：FDP047AN08AO-VB 编号：C2680877

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥6.099 ￥6.42
10+
￥4.997 ￥5.26
50+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.6955 ￥3.89
500+
￥3.3915 ￥3.57
1000+
￥3.2585 ￥3.43

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRFP140NPBF-VB 编号：C5456561

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块。TO247；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥11.3905 ￥11.99
10+
￥9.709 ￥10.22
30+
￥8.208 ￥8.64
90+
￥7.1345 ￥7.51
510+
￥6.6405 ￥6.99
990+
￥6.4315 ￥6.77

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:45A

型号：IRFIB41N15DPBF-VB 编号：C4355121

封装：TO-220F

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型MOSFET，采用Trench技术，适用于工业电力模块、电动车充电桩、太阳能逆变器等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；

数据手册

1+
￥12.7925 ￥15.05
10+
￥10.914 ￥12.84
50+
￥9.7325 ￥11.45
100+
￥8.5255 ￥10.03
500+
￥7.9815 ￥9.39
1000+
￥7.7435 ￥9.11

有货

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实时时钟模块，具备I2C总线接口

型号：RV-3129-C3-32.768KHZ-6PPM-OPTION-A-TA-QC 编号：C5366551

封装：SMD

品牌：Micro Crystal(瑞士微晶)

高精度实时时钟。带温度补偿（TCXO）。 Tolerance 6ppm @-40°C ~ 85°C (factory calibrated).闹钟、定时器和中断功能。看门狗定时器。自动电池切换和电池充电。温度可读取内置32.768 kHz 晶体。

数据手册

1+
￥23.98
10+
￥20.37
30+
￥18.23
100+
￥16.06
500+
￥15.06

有货

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高速开关系列第五代

型号：AIGB15N65H5 编号：C533143

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷Qs。最高结温175℃。经过动态应力测试。应用：车载充电器。非车载充电器

数据手册

1+
￥24.87
10+
￥24.24
30+
￥23.81

有货

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双通道可编程通用神经肌肉刺激芯片

型号：ENS001-A2 编号：C6284809

封装：QFN64L

品牌：NANOCHAP(暖芯迦)

ENS001-A2芯片是一款双通道神经刺激芯片，不仅能覆盖传统的正弦波/方波/三角波及各种调制波形，更是支持从DC到50kHz以上的任意电流波形输出。可应用于体外神经/肌肉电刺激等众多领域。该芯片集成了32MHz ARM处理器，多通道恒流源输出的刺激驱动电路、片上充电电路、可配置升压直流转换器、LCD屏幕驱动、12位AD信号采集以及温度传感器等模块。电压最高为单向60V 刺激脉宽 10μs~1s，量程：1~33mA，系统OSC：HSI_32M +-2%，产品FLASH空间：28KB，输出电流波形种类：所有波形

单价：
￥30 / 个

有货

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ATmega406 8位带有电池管理功能的AVR微控制器

型号：ATMEGA406-1AAU 编号：C1338456

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega406 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega406 在 1 MHz 时可达到接近 1 MIPS 的吞吐量。ATmega406 提供以下特性：电压调节器、专用电池保护电路、集成的电池平衡 FET、高压模拟前端以及带有两个 ADC 和片上电压参考的 MCU，用于电池电量计。电压调节器可以在 4.0 - 25 伏特的宽电压范围内工作。该电压被调节为恒定的 3.3 伏特（标称值），用于集成逻辑和模拟功能。电池保护电路监测电池电压和充放电电流，以检测非法状态并在必要时保护电池。非法状态包括放电时的深度欠压、放电时的短路以及充电和放电时的过流。集成的电池平衡 FET 允许通过软件实现电池平衡算法。MCU 提供以下特性：40K 字节的 In-System Programmable Flash，具有读写同时进行的能力；512 字节 EEPROM；2K 字节 SRAM；32 个通用工作寄存器；18 条通用 I/O 线；11 条高压 I/O 线；一个 JTAG 接口，支持片上调试和编程；两个灵活的 Timer/Counters，具有 PWM 和比较模式；一个唤醒定时器；符合 SM-Bus 标准的 TWI 模块；内部和外部中断；一个 12 位 Sigma Delta ADC 用于电压和温度测量；一个高分辨率 Sigma Delta ADC 用于库仑计数和瞬时电流测量；一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器；以及四种软件可选的节能模式。AVR 核心结合了丰富的指令集与 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构比传统的 CISC 微控制器更高效，并且可以实现高达十倍的吞吐量。空闲模式停止 CPU，但允许芯片上的其他功能继续运行。掉电模式允许电压调节器、电池保护、调节器电流检测、看门狗定时器和唤醒定时器运行，同时禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，唤醒定时器和库仑计数 ADC 继续运行。该设备采用 Atmel 的高压高密度非易失性存储器技术制造。片上 ISP Flash 允许程序存储器通过常规的非易失性存储器编程器或由运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用 Flash 存储器中。当应用 Flash 部分更新时，引导 Flash 部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与系统内自编程 Flash、电量计 ADC、专用电池保护电路、电池平衡 FET 和电压调节器集成在一块单片上，Atmel ATmega406 成为了一个功能强大的微控制器，为锂离子智能电池应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

数据手册

1+
￥30.97
10+
￥26.67
30+
￥23.96
250+
￥21.38

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2309GEN-HF-VB 编号：C18212523

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NTR4171PT1G-VB 编号：C558218

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.333545 ￥0.3511
50+
￥0.326325 ￥0.3435
150+
￥0.32148 ￥0.3384
500+
￥0.316635 ￥0.3333

有货

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600V 5mA

型号：2P4M 编号：C42380669

封装：SOT-89-3L

品牌：Slkor(萨科微)

特性：工作和储存结温范围 Tj、Tstg：-55℃ 至 +150℃。适用于电热毯、电子罐等各种温度控制。适用于电动缝纫机、微型电机速度控制。适用于灯光显示设备、娱乐显示屏等调光器。适用于自动燃气打火机、电池充电器。适用于固态静态开关等

10+
￥0.3574
100+
￥0.2826
300+
￥0.2451
1000+
￥0.217
5000+
￥0.1946
10000+
￥0.1833

有货

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1kV 3A

型号：MSB30M 编号：C48783761

封装：UMSB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

整流桥是一种用于交流电转换为直流电的常用分立器件，适用于多种电源变换与整流应用。该器件支持最大3A的整流电流，正向压降为1.1V@3A，有助于提升整流效率并降低功耗。其直流反向耐压可达1000V，反向漏电流仅为5uA@1000V，具备良好的阻断性能和稳定性。此类整流桥常用于电源模块、充电设备、消费类电子产品及小型电器中，适合对电源转换效率与可靠性有要求的应用场景。

10+
￥0.4718
100+
￥0.3758
300+
￥0.3278
3000+
￥0.2918
6000+
￥0.263
9000+
￥0.2486

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：G2309-VB 编号：C693385

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.525895 ￥0.6187
50+
￥0.41854 ￥0.4924
150+
￥0.364905 ￥0.4293
500+
￥0.3247 ￥0.382
3000+
￥0.292485 ￥0.3441
6000+
￥0.27642 ￥0.3252

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMC3407S-TRG-VB 编号：C5878851

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5103TRPBF-VB 编号：C7429057

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J14T-VB 编号：C725198

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GT3401-VB 编号：C7568799

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2307PSAC-TRG-VB 编号：C7494640

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

立即购买

1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：VB2140 编号：C516877

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管；采用Trench工艺，可以用于电池管理模块、充电电路和功率开关，车载电子系统中的驱动电路和电源管理单元还可用于家用电器中的电源开关和电动马达控制。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-6A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2305B-VB 编号：C19626769

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：FDN358P-NL-VB 编号：C5355717

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2315BDS-T1-GE3-VB 编号：C19190166

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：CES2331-VB 编号：C692950

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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