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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.50694 ￥0.5964
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￥0.39882 ￥0.4692
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￥0.34476 ￥0.4056
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￥0.304215 ￥0.3579
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￥0.275315 ￥0.3239
6000+
￥0.25908 ￥0.3048

有货

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型号：Si2399CDS-T1-GE3-VB 编号：C6705310

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
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￥0.272255 ￥0.3203
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￥0.25602 ￥0.3012

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型号：SSM3J01F-VB 编号：C7494443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.52989 ￥0.6234
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￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
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￥0.29478 ￥0.3468
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￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：APM2315AC-TRL-VB 编号：C5456485

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：SI2307DS-T1-GE3-VB 编号：C6705306

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.534735 ￥0.6291
50+
￥0.426785 ￥0.5021
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￥0.37281 ￥0.4386
500+
￥0.332265 ￥0.3909
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￥0.29988 ￥0.3528
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￥0.28373 ￥0.3338

有货

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型号：HM2305-VB 编号：C20417588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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型号：SI2307CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212592

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
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￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

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型号：RU20P4C-VB 编号：C558236

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.53788 ￥0.6328
50+
￥0.42891 ￥0.5046
150+
￥0.37451 ￥0.4406
500+
￥0.333625 ￥0.3925
3000+
￥0.27727 ￥0.3262
6000+
￥0.26095 ￥0.307

有货

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型号：AP2309AGN-VB 编号：C878855

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.551905 ￥0.6493
50+
￥0.4437 ￥0.522
150+
￥0.389555 ￥0.4583
500+
￥0.348925 ￥0.4105
3000+
￥0.316455 ￥0.3723
6000+
￥0.30022 ￥0.3532

有货

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型号：SI2323DDS-T1-GE3-VB 编号：C558257

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.56202 ￥0.6612
50+
￥0.453815 ￥0.5339
150+
￥0.399755 ￥0.4703
500+
￥0.35921 ￥0.4226
3000+
￥0.28101 ￥0.3306
6000+
￥0.26486 ￥0.3116

有货

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型号：FDN352AP-NL-VB 编号：C7494537

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.56712 ￥0.6672
50+
￥0.459 ￥0.54
150+
￥0.40494 ￥0.4764
500+
￥0.364395 ￥0.4287
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：SPP2341S23RG-VB 编号：C7429107

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.576745 ￥0.6071
50+
￥0.455905 ￥0.4799
150+
￥0.395485 ￥0.4163
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：GBP310-MS 编号：C51928026

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP310-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 3A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.58273 ￥0.6134
50+
￥0.46417 ￥0.4886
150+
￥0.40489 ￥0.4262
500+
￥0.36043 ￥0.3794
2500+
￥0.324805 ￥0.3419
5000+
￥0.30704 ￥0.3232

有货

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型号：SI2347DS-T1-GE3-VB 编号：C5878837

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.58767 ￥0.6186
50+
￥0.46455 ￥0.489
150+
￥0.40299 ￥0.4242
500+
￥0.35682 ￥0.3756
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

有货

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型号：DMP3099L-7-VB 编号：C558116

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.590615 ￥0.6217
50+
￥0.469775 ￥0.4945
150+
￥0.409355 ￥0.4309
500+
￥0.36404 ￥0.3832
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：LP2305LT1G-VB 编号：C5179573

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.591945 ￥0.6231
50+
￥0.471105 ￥0.4959
150+
￥0.410685 ￥0.4323
500+
￥0.36537 ￥0.3846
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：SSM3J332R-VB 编号：C558283

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.59603 ￥0.6274
50+
￥0.475095 ￥0.5001
150+
￥0.41458 ￥0.4364
500+
￥0.36917 ￥0.3886
3000+
￥0.31426 ￥0.3308
6000+
￥0.296115 ￥0.3117

有货

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型号：GBP610-MS 编号：C51928028

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP610-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 6A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.62757 ￥0.6606
50+
￥0.49989 ￥0.5262
150+
￥0.43605 ￥0.459
500+
￥0.38817 ￥0.4086
2500+
￥0.34979 ￥0.3682
5000+
￥0.330695 ￥0.3481

有货

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型号：AO3409-VB 编号：C5179537

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.62966 ￥0.6628
50+
￥0.50882 ￥0.5356
150+
￥0.4484 ￥0.472
500+
￥0.403085 ￥0.4243
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：ESE3050K 编号：C42434105

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE3050K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
2500+
￥0.3742
5000+
￥0.3525

有货

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型号：BT152 编号：C2900857

封装：TO-252

品牌：WEIDA(韦达)

BT152 系列可控硅整流器具有很强的承受大电流冲击负载的能力，能提供高 dv/dt 速率，且抗电磁干扰能力强。特别推荐用于固态继电器、摩托车、充电器、电动工具等领域。

数据手册

1+
￥0.9327
10+
￥0.7455
30+
￥0.652
100+
￥0.5818
500+
￥0.5257
1000+
￥0.4585

有货

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型号：TP4366E 编号：C382127

封装：ESOP-8-EP

品牌：TPOWER(天源)

TP4366E是一款专为移动电源设计的同步升压的单芯片解决方案，内部集成了线性充电管理模块、同步放电管理模块、电量检测与LED指示模块、保护模块。TP4366E内置充电与放电功率MOS，充电电流固定为0.8A，同步升压支持1A输出电流。TP4366E内部集成了温度补偿、过温保护、过充与过放保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保护等多重安全保护功能以保证芯片和锂离子电池的安全，应用电路简单，只需很少元件便可实现充电管理与放电管理。

数据手册

5+
￥0.946105 ￥0.9959
50+
￥0.74594 ￥0.7852
150+
￥0.660155 ￥0.6949
500+
￥0.553185 ￥0.5823
2500+
￥0.505495 ￥0.5321
4000+
￥0.4769 ￥0.502

有货

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型号：GBL610-MS 编号：C51928030

封装：GBL

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBL610-MS采用GBL扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 6A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：GBP410-MS 编号：C51928027

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP410-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 4A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥1.036545 ￥1.0911
50+
￥0.821085 ￥0.8643
150+
￥0.728745 ￥0.7671
500+
￥0.61351 ￥0.6458
2500+
￥0.56221 ￥0.5918
5000+
￥0.53143 ￥0.5594

有货

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型号：GBL810-MS 编号：C51928031

封装：GBL

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBL810-MS采用GBL扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 8A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥1.059535 ￥1.1153
50+
￥0.839325 ￥0.8835
150+
￥0.744895 ￥0.7841
500+
￥0.627095 ￥0.6601
2500+
￥0.574655 ￥0.6049
5000+
￥0.54321 ￥0.5718

有货

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型号：GBU610-MS 编号：C51928017

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU610-MS采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：1000V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流 I(AV)6A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

5+
￥1.151685 ￥1.2123
50+
￥0.912285 ￥0.9603
150+
￥0.809685 ￥0.8523
500+
￥0.681625 ￥0.7175
2500+
￥0.624625 ￥0.6575
5000+
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型号：GBU808-MS 编号：C51928018

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU808-MS采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：800V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流 I(AV)8A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

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型号：2SK3615-VB 编号：C7568969

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：GBU608-MS 编号：C51928016

封装：GBU

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBU608采用GBU扁桥封装，核心参数：最高重复峰值反向电压VRRM：800V，可抗高反向电动势；最大平均正向整流电流I (AV)6A，稳承中等功率负载,电能损耗低、转换效率高,可应用于：开关电源、充电器前端整流；LED照明驱动稳流减闪烁；冰箱、洗衣机等家电交直转换；太阳能小功率逆变器前段；小型通信设备电源模块。

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型号：ESE01P13K 编号：C42434098

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P13K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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