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描述

价格(含税)

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：NDS356AP-NL-VB 编号：C7463657

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2307AC-TRL-VB 编号：C19626806

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2347DS-T1-GE3-VB 编号：C5878837

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31863 ￥0.3354
50+
￥0.311315 ￥0.3277
150+
￥0.306375 ￥0.3225
500+
￥0.301435 ￥0.3173

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2323DDS-T1-GE3-VB 编号：C558257

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.32555 ￥0.383
50+
￥0.31909 ￥0.3754
150+
￥0.314755 ￥0.3703
500+
￥0.31042 ￥0.3652

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2305N-VB 编号：C7494610

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.32585 ￥0.343
50+
￥0.31863 ￥0.3354
150+
￥0.313785 ￥0.3303
500+
￥0.30894 ￥0.3252

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2309PSAC-TRG-VB 编号：C7525099

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.337915 ￥0.3557
50+
￥0.330695 ￥0.3481
150+
￥0.32585 ￥0.343
500+
￥0.321005 ￥0.3379

有货

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GBP310-MS

型号：GBP310-MS 编号：C51928026

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP310-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 3A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥0.3407
50+
￥0.3332
150+
￥0.3282

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AM3401E3VR-VB 编号：C709883

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.35245 ￥0.371
50+
￥0.34523 ￥0.3634
150+
￥0.340385 ￥0.3583
500+
￥0.33554 ￥0.3532

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NTR4502PT1G-VB 编号：C558219

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.370975 ￥0.3905
50+
￥0.36366 ￥0.3828
150+
￥0.358815 ￥0.3777
500+
￥0.35397 ￥0.3726

有货

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STPS3H100U-HXY

型号：STPS3H100U-HXY 编号：C52988698

封装：SMB

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流、续流及箝位电路，常见于开关电源、便携设备充电模块及各类电子系统的电源路径中。

5+
￥0.497895 ￥0.5241
50+
￥0.48697 ￥0.5126
150+
￥0.479655 ￥0.5049
500+
￥0.47234 ￥0.4972

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：TSM3401CX RF-VB 编号：C7429132

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.532525 ￥0.6265
50+
￥0.424405 ￥0.4993
150+
￥0.370345 ￥0.4357
500+
￥0.3298 ￥0.388
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：RRR040P03TL-VB 编号：C710055

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.548505 ￥0.6453
50+
￥0.4403 ￥0.518
150+
￥0.38624 ￥0.4544
500+
￥0.345695 ￥0.4067
3000+
￥0.275485 ￥0.3241
6000+
￥0.25925 ￥0.305

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：ST2315SRG-VB 编号：C879063

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
50+
￥0.46455 ￥0.489
150+
￥0.40299 ￥0.4242
500+
￥0.35682 ￥0.3756
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：IRLML5203TRPBF-VB 编号：C558176

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.604865 ￥0.6367
50+
￥0.484025 ￥0.5095
150+
￥0.423605 ￥0.4459
500+
￥0.37829 ￥0.3982
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：FDN304PZ-NL-VB 编号：C558122

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.607145 ￥0.6391
50+
￥0.48583 ￥0.5114
150+
￥0.425125 ￥0.4475
500+
￥0.37962 ￥0.3996
3000+
￥0.315305 ￥0.3319
6000+
￥0.297065 ￥0.3127

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2343CDS-T1-GE3-VB 编号：C7429101

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.61332 ￥0.6456
50+
￥0.4902 ￥0.516
150+
￥0.42864 ￥0.4512
500+
￥0.38247 ￥0.4026
3000+
￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3409-VB 编号：C5179537

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.62966 ￥0.6628
50+
￥0.50882 ￥0.5356
150+
￥0.4484 ￥0.472
500+
￥0.403085 ￥0.4243
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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N沟道增强型MOSFET

型号：AOSP32314 编号：C49420476

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效能开关和功率控制的场景，广泛用于电源管理、充电控制、DC-DC转换以及各类电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性和响应速度，能够满足多样化电路设计需求。

5+
￥0.68457 ￥0.7206
50+
￥0.66956 ￥0.7048
150+
￥0.65949 ￥0.6942
500+
￥0.649515 ￥0.6837

有货

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P沟道，-100V，-10A，150mΩ@-10V,-5A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE01P13K 编号：C42434098

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P13K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7394
50+
￥0.7221
150+
￥0.7106

有货

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N沟道，200V，5A，466mΩ@10V,3A，2V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：IRFR220NTRPBF(ES) 编号：C42434103

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥0.7394
50+
￥0.7221
150+
￥0.7106

有货

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N沟道，40V，60A，5.9mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AOD4184A(ES) 编号：C42434099

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.76
50+
￥0.7433
150+
￥0.7321
500+
￥0.721

有货

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GBL610-MS

型号：GBL610-MS 编号：C51928030

封装：GBL

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBL610-MS采用GBL扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 6A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458

有货

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GBP410-MS

型号：GBP410-MS 编号：C51928027

封装：GBP

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款GBP410-MS采用GBP扁桥封装，结构紧凑、其核心参数为最高重复峰值反向电压VRRM：100V、最大平均正向整流电流I (AV) 4A；电流下正向压降低、损耗小、效率高，反向漏电流极小、绝缘性优，引脚抗氧化导电可靠，可用于小型电子玩具电源、迷你路由器适配器前端整流，LED 小夜灯驱动，小型传感器交直转换及微型太阳能充电模块前段、小型家用电子配件电源部分。

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:18A

型号：MTD3055ELT4G-VB 编号：C7463621

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.1135 ￥1.31
30+
￥1.0965 ￥1.29
100+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：2SK3615-VB 编号：C7568969

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.235 ￥1.3
10+
￥1.2065 ￥1.27
30+
￥1.1875 ￥1.25
100+
￥1.1685 ￥1.23

有货

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双N沟道增强型MOSFET

型号：SP8K33FRATB-HXY 编号：C49256926

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具有良好的导通特性和开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为6.5A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ，适用于中功率电源转换与控制应用。该器件可在高频条件下稳定运行，降低能量损耗，提升系统效率。常用于电源管理模块、DC-AC逆变器、电机驱动电路及智能充电设备中的功率控制部分。其封装形式灵活，便于在多种电路环境中实现高效布板和良好散热。

1+
￥1.8525 ￥1.95
10+
￥1.8145 ￥1.91
30+
￥1.786 ￥1.88
100+
￥1.7575 ￥1.85

有货

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双N+P沟道增强型MOSFET

型号：IRF7389TRPBF-HXY 编号：C48972101

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与转换场景。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用复合沟道设计，在兼顾性能的同时提升了开关稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。

1+
￥2.0995 ￥2.21
10+
￥2.052 ￥2.16
30+
￥2.0235 ￥2.13
100+
￥1.9855 ￥2.09

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：EMB60N06A-VB 编号：C879014

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.2355 ￥2.63
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N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESNU07R086 编号：C42412313

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥2.35
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￥1.63
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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：STD70N10F4-VB 编号：C7463503

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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￥3.1875 ￥3.75
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