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特性：工作电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。环境温度范围：-40至105℃。高达50MHz的ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。高达128KB的程序闪存。 FlexMemory设备上高达32KB的FlexNVM

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￥26.52
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￥25.88
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￥25.46

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型号：MK10DX128VFM5 编号：C1337946

封装：QFN-32-EP(5x5)

特性：工作特性:电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105°C。性能:高达50MHz的ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS。存储器和内存接口:高达128KB的程序闪存。FlexMemory设备上高达32KB的FlexNVM

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￥33.58
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￥32.74
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型号：MK10DX128VLH5 编号：C1338623

封装：LQFP-64(10x10)

特性：工作特性。电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105°C。性能。高达50MHz的Arm Cortex-M4内核，带有DSP指令，每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS

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￥43.48
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￥42.44
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￥41.75

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型号：MK20DX128VLF5 编号：C1339103

封装：LQFP-48(7x7)

特性：工作特性: -电压范围：1.71至3.6V。 -闪存写入电压范围：1.71至3.6V。 -温度范围（环境）：-40至105°C。性能: -高达50 MHz ARM Cortex-M4内核，带有DSP指令，每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS。存储器和存储器接口: -高达128 KB程序闪存。 -FlexMemory设备上高达32 KB FlexNVM

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￥53.89
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￥51.63

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型号：MK10DX64VLK7 编号：C1340170

封装：FQFP-80(12x12)

特性：工作特性:电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。时钟:3至32MHz晶体振荡器

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￥56.84
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￥55.48
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型号：R7FS3A17C3A01CFP#AA0 编号：C3208917

封装：LFQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

高效率48 MHz Arm CorteX-M4内核，1 MB代码闪存，192 KB SRAM，段码LCD控制器，电容式触摸感应单元，USB 2.0全速模块，14位A/D转换器，12位D/A转换器，安全特性该MCU集成了多个系列的软件和引脚兼容的基于Arm的32位内核，共享一套通用的瑞萨外设，以促进设计的可扩展性和高效平台化产品开发。该系列MCU采用了低功耗、高性能的Arm CorteX-M4内核，运行频率高达48 MHz，并具有以下特点：- 1 MB代码闪存- 192 KB SRAM- 段码LCD控制器（SLCDC）- 电容式触摸感应单元（CTSU）- USB 2.0全速模块（USBFS）- 14位A/D转换器（ADC14）- 12位D/A转换器（DAC12）- 安全特性

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￥64.94
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￥62.81

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型号：MK10DX128VLQ10 编号：C1339649

封装：LQFP-144(20x20)

特性：工作电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。环境温度范围：-40至105℃。高达100MHz的ARM Cortex-M4内核，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。非FlexMemory设备上高达512KB的程序闪存。FlexMemory设备上高达256KB的程序闪存

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￥66.02
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￥63.74

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型号：MK10DX128VLF5 编号：C1338508

封装：LQFP-48(7x7)

特性：工作电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。环境温度范围：-40至105℃。高达50MHz的ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。高达128KB的程序闪存。 FlexMemory设备上高达32KB的FlexNVM

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￥72.87
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￥70.48

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型号：MK10DX128VLK7 编号：C1339995

封装：FQFP-80(12x12)

特性：工作特性:电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。时钟:3至32MHz晶体振荡器

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型号：MKS22FN256VLH12 编号：C1342294

封装：LQFP-64(10x10)

产品基于ARM Cortex-M4处理器，具备低功耗和高内存密度，采用多种封装形式。该设备提供120 MHz的性能，集成了单精度浮点单元（FPU）。嵌入式闪存内存大小从128 KB到256 KB不等。此外，还包含USB FS OTG 2.0（无晶体功能）、FlexCAN（支持ISO 11898-1标准和CAN 2.0 B协议规范）、FlexIO（高度可配置模块，支持多种协议）等。

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￥77.84
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型号：MK10DN512VLL10 编号：C402835

封装：LQFP-100(14x14)

ARM Cortex M4 微控制器 IC series 32 位 100MHz 512KB（512K x 8）闪存

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￥83.51
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型号：PIC32CZ4010CA90208-I/8MX-SL3 编号：C26393580

封装：TFBGA-208

具有集成安全性的32位连接微控制器，支持高达8MB闪存、1MB SRAM，具备硬件安全模块、安全启动、浮点单元（FPU）、高级模拟、千兆以太网、高速USB、CAN FD和外设触摸控制器（PTC）。通信接口丰富，包括多种串口、SPI、SQI、CAN端口、以太网MAC、USB端口等。硬件安全模块支持多种加密算法，具备硬件加速功能。采用300 MHz Arm Cortex-M7内核，具有多级缓存和多种功能单元。具备时钟管理、I/O管理、电源管理等功能，拥有多种类型和容量的内存。

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￥89.16
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型号：AT91SAM9G10-CU 编号：C1522316

封装：LFBGA-217

AT91SAM9G10 是一款基于 ARM926EJ-S ARM Thumb 处理器构建的完整系统级芯片，具有扩展的 DSP 指令集和 Jazelle Java 加速器。它在 266 MHz 下可达到 293 MIPS。AT91SAM9G10 是针对带有 LCD 显示的应用进行优化的主处理器。其集成的 LCD 控制器支持黑白和高达 16M 色彩的主动和被动 LCD 显示屏。外部总线接口包含同步 DRAM（SDRAM）和静态存储器控制器，并具有 CompactFlash 和 NAND Flash 的特定接口电路。AT91SAM9G10 集成了一个基于 ROM 的引导加载程序，支持从外部 DataFlash 到外部 SDRAM 的代码阴影。软件控制的电源管理控制器（PMC）通过选择性地启用/禁用处理器和各种外设以及调整工作频率来将系统功耗降至最低。AT91SAM9G10 还受益于多种调试功能的集成，包括 JTAG-ICE 和专用的 UART 调试通道（DBGU）。这使得所有应用的开发和调试成为可能，尤其是那些具有实时约束的应用。

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￥90.1 / 个

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型号：MK20DN512VLQ10 编号：C3215989

封装：LQFP-144(20x20)

特性：工作特性:电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。性能:高达100MHz的ARM Cortex-M4内核，带有DSP指令，每MHz可提供1.25 Dhrystone MIPS。存储器和内存接口:非FlexMemory设备上高达512KB的程序闪存。FlexMemory设备上高达256KB的程序闪存

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￥85.6

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型号：PIC32CZ8110CA90208-I/8MX-SL3 编号：C20297160

封装：-

支持以下加密算法的专用安全子系统：AES、TDES、ChaCha20、SHA-2、SHA-1、Poly1305、RSA和ECC。为主/宿CPU提供安全启动支持：验证宿代码映像和宿代码签名。为宿代码提供安全更新支持：安全加密密钥存储和映像解密。具有300 MHz Arm Cortex-M7，具备六级超标量流水线和分支预测，L1缓存为16 KB的ECC保护指令和数据缓存，高达256Kb的紧密耦合内存（TCM），内存保护单元（MPU）有8个区域，浮点单元（FPU）支持双精度和单精度，乘法累加单元（MAC）具有单周期吞吐量，符合DSP Thumb-2指令集。时钟管理方面，有32.768 kHz超低功耗内部振荡器，具备时钟故障检测事件，可路由到正常中断或不可屏蔽中断（NMI）控制器，有CPU频率监控、主晶体振荡器故障检测、32.768 kHz晶体振荡器频率监控、独立看门狗定时器（WDT），还有精确的48 MHz微调内部RC振荡器，最多两个用于系统时钟的PLL和一个用于USB高速操作的PLL，以及FREQM频率计。I/O方面，有高电流灌/拉引脚，数字I/O引脚可配置开漏输出，可配置内部上拉/下拉电阻，数字引脚有5V容限输入。电源管理具备上电复位（POR）和欠压复位（BOR），有多种电源管理模式，如空闲、待机、休眠、备份和关闭模式，超低功耗实时时钟（RTC）和实时定时器（RTT），RTC具备公历和UTC模式，可在低功耗模式下产生波形，还有RTC计数器微调校准电路以补偿32.768 kHz晶体频率变化。存储器方面，有8 MB、4 MB、2 MB的系统内自编程闪存，具备纠错码（ECC），双银行支持读-写（RWW）（实时更新），高达4 KB的模拟用户OTP内存，额外的2×80 KB启动闪存内存，1 MB和512k SRAM主内存具备ECC，高达256 KB的紧密耦合内存（TCM）具备ECC

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￥99.33
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￥96.24

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型号：PIC18F8585-I/PT 编号：C635552

封装：TQFP-80(12x12)

特性：源代码与PIC16和PIC17指令集兼容。线性程序内存寻址可达2 Mbytes。线性数据内存寻址可达4096 bytes。1 Kbyte的数据EEPROM。高达10 MIPs的操作：DC、40 MHz振荡/时钟输入、4 MHz-10 MHz振荡/时钟输入（PLL激活）。16位宽指令，8位宽数据路径。中断优先级。31级，软件可访问硬件堆栈

单价：
￥106.62 / 个

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型号：PIC18F6680-I/PT 编号：C634583

封装：TQFP-64(10x10)

特性：源代码与PIC16和PIC17指令集兼容。线性程序内存寻址可达2 Mbytes。线性数据内存寻址可达4096 bytes。1 Kbyte的数据EEPROM。高达10 MIPs的操作：DC、40 MHz振荡/时钟输入、4 MHz-10 MHz振荡/时钟输入（PLL激活）。16位宽指令，8位宽数据路径。中断优先级。31级，软件可访问硬件堆栈

单价：
￥109.11 / 个

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型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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￥130.01
10+
￥130

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型号：PIC18F6585-I/PT 编号：C634562

封装：TQFP-64(10x10)

特性：源代码与PIC16和PIC17指令集兼容。线性程序内存寻址可达2 Mbytes。线性数据内存寻址可达4096 bytes。1 Kbyte的数据EEPROM。高达10 MIPs的操作：DC、40 MHz振荡/时钟输入、4 MHz-10 MHz振荡/时钟输入（PLL激活）。16位宽指令，8位宽数据路径。中断优先级。31级，软件可访问硬件堆栈

1+
￥153.54
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￥148.76

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型号：ESJ2307 编号：C42420863

封装：SOT-23

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-3.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA,-30V,-3.8A,46mΩ@10V

10+
￥0.1491
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￥0.1457
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￥0.1434
1000+
￥0.141

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型号：ESE0102 编号：C42420786

封装：SOT-23

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

10+
￥0.1573
100+
￥0.1538
300+
￥0.1515
1000+
￥0.1492

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型号：ESJ3404 编号：C42420784

封装：SOT-23

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,30V,6.2A,16mΩ@10V

20+
￥0.2378
200+
￥0.1865
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￥0.158
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￥0.1409
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￥0.1261
21000+
￥0.1181

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型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121

封装：SOT-23

AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.2831
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￥0.2255
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￥0.1967
3000+
￥0.1751
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￥0.1578
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型号：AON7400A(ES) 编号：C42434123

封装：PDFN3X3-8L

AON7400A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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￥0.8257
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￥0.6577
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￥0.5737
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￥0.5107
2500+
￥0.4603
5000+
￥0.4351

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型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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￥0.9172
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￥0.897
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￥0.8836
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￥0.8701

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型号：BSC028N06NS(ES) 编号：C49108762

封装：PDFN-8L(5x6)