控制模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：LKS32MC031KLC6T8B 编号：C19193082

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

是32位核心紧凑型MCU，适用于电机控制应用，集成了普通电机控制系统所需的所有模块，集成三对P-N MOSFET驱动模块，可直接驱动3对P-N MOSFET，部分型号集成了PN-MOS。

单价：
￥5.74 / 个

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型号：AT32F425K8T7 编号：C7420223

封装：LQFP32-7X7

品牌：ARTERY(雅特力)

特性：内核：ARM 32位Cortex-M4 CPU，最高96MHz工作频率，带存储器保护单元（MPU），内建单周期乘法和硬件除法，具有DSP指令集。存储器：32K字节到64K字节的闪存存储器，4K字节的启动程序代码区作启动加载程序用，可一次性配置成一般用户区，sLib可将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取，20K字节的SRAM。电源控制（PWC）：2.4V至3.6V供电，上电复位（POR）、低电压复位（LVR）、电源电压监测器（PVM），低功耗模式有睡眠、深睡眠和待机，6个WKUP引脚可唤醒待机模式，支持5个32位的电池供电寄存器（BPR）。时钟和复位管理（CRM）：4至25MHz晶体振荡器（HEXT），内置经出厂调校的48MHz高速时钟（HICK），25°C达1%精度，-40°C至 + 105°C达2%精度，带自动时钟校准（ACC）功能，PLL可灵活配置倍频和分频系数，32kHz晶振（LEXT），低速内部时钟（LICK）。模拟模块：1个12位2MSP A/D转换器，多达16个外部输入通道，硬件过采样最高达16位分辨率，内部参考电压（VINTRV）。 DMA：1个7通道DMA控制器，支持完全弹性映射。多达55个快速GPIO端口：所有GPIO口可以映像到16个外部中断（EXINT），几乎所有GPIO口可容忍5V输入信号。多达13个定时器（TMR）：1个16位7通道高级定时器，包括3对互补通道PWM输出，带死区控制和紧急刹车功能；多达6个16位和1个32位通用定时器，每个定时器最多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入；高级和通用定时器合计提供多达24通道PWM；2个16位基本定时器；2个看门狗定时器（一般型WDT和窗口型WWDT）；系统滴答定时器为24位递减计数器

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￥6.45
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￥5.34
30+
￥4.73
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￥4.04

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型号：TB-02 编号：C503609

封装：SMD-13P

品牌：Ai-Thinker(安信可)

是基于TLSR8250F512芯片的蓝牙模块，兼容BT 5.0低功耗天猫精灵Mesh。支持蓝牙模块由天猫精灵直接控制，具有蓝牙Mesh组网功能。采用点对点网络通信，使用蓝牙广播进行通信，可在多设备情况下确保及时响应。主要用于智能灯光控制，可满足低功耗、低延迟和短距离无线数据通信的要求。

数据手册

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￥6.5934 ￥8.14
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￥5.6445 ￥7.95
30+
￥4.7702 ￥7.82
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￥4.697 ￥7.7

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型号：FCM32F030RCT6 编号：C7603415

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：FCM(闪芯微)

单片机@@超值型M0内核 FCM32F030系列采用arm Cortex-M0内核。具有高性能、低成本优势。共有包含20~64引脚、16~256KB FLASH、4~24KB SRAM、12-bit ADC、多个通用定时器以及SPI/USART/IIC等通讯接口。 FCM32F030单片机可以在 1 .8~5.5V 电源范围、 -40 至 85℃ 温度范围内工作。综合的节电模式适用于低功耗应用。 FCM32F030单片机包含多种不同硬封装，也可以根据需要提供 DIE 。根据封装的不同，包含不同的外设。这些特征使得FCM32F030 单片机非常适合宽范围应用，例如应用控制和用户接口、手持设备、A/V 接收器和数字电视、 GPS 平台、工业应用、 PLC 、警报系统、视频连接和 HVAC 。￭主频：72MHz ￭工作电压：1.7~5.5V ￭主要特性： √256KB Flash, 24KB SRAM √ 12-bit ADC √ UART*4，SPI/I2S*2，I2C*2 √ 硬件整数除法及开方运算￭主要应用： √物联网 √光模块 √马达控制 √车载 √工业 √玩具

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￥6.97
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￥5.7
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￥5.01
160+
￥4.22
480+
￥3.87
960+
￥3.72

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型号：CY8C4125LQI-S423T 编号：C2952593

封装：UFQFN-40-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC™ 4是一款可扩展、可重构的平台架构，适用于采用Arm® Cortex®-M0+ CPU的可编程嵌入式系统控制器系列。它将可编程、可重构的模拟和数字模块与灵活的自动布线相结合。PSoC™ 4100S产品系列是PSoC™ 4平台架构的成员之一。它集成了具备标准通信和定时外设的微控制器、性能卓越的电容式触摸感应系统（CAPSENSE™）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接功能。PSoC™ 4100S产品向上兼容PSoC™ 4平台的其他成员，可满足新应用和设计需求。

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￥7.04
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￥6.32
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￥5.92
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￥5.48
500+
￥5.28

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型号：BTA41-600BRG-HXY 编号：C52043416

封装：TOP-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具有41A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），适用于中高功率交流开关应用。其核心为单个双向可控硅结构，支持双向导通，配合50mA的门极触发电流（Igt），可实现精确的触发控制。器件具备良好的电压阻断能力和电流承载性能，常用于交流调压、照明控制、电机速度调节及固态继电器等电路中，适合对波形控制要求较高的场合，是可靠的交流功率控制解决方案。

1+
￥7.3435 ￥7.73
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￥7.182 ￥7.56
30+
￥7.0775 ￥7.45
90+
￥6.9635 ￥7.33

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型号：LKS32MC457LRCT8 编号：C22469873

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

32位核心处理器，专为电机控制应用而设计，集成了常见电机控制系统所需的大部分模块。具有高可靠性、高集成度、小封装尺寸、节省BOM成本等优势；集成最多6通道高速OPAs和6通道比较器，满足不同系统拓扑的电流采样需求；高速OPA集成过压保护电路，支持简单电路拓扑下的MOSFET电阻直流采样；集成硬件MOSFET温度漂移补偿电路，确保电流采样精度；通过专有技术，ADC和高速OPA能良好协作，处理更宽的电流动态范围，同时保证高速小电流和低速大电流的采样精度；控制电路简单高效，抗干扰能力强，稳定可靠；单电源确保系统电源的通用性；支持IEC/UL60730功能安全认证。

单价：
￥8.29 / 个

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型号：ATSAMD10D14A-SSUT 编号：C2053154

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SMART™ SAM D10 是一系列低功耗微控制器，采用32位ARM Cortex -M0+处理器，引脚数从14到24不等，Flash容量最高可达16KB，SRAM容量为4KB。SAM D10设备的最大工作频率为48MHz，达到2.46 Coremark/MHz。它们设计用于简单直观的迁移，具有相同的外设模块、兼容的十六进制代码、相同的线性地址映射和所有产品系列之间的引脚兼容迁移路径。所有设备都包括智能灵活的外设、用于外设间信号传递的Atmel事件系统以及支持电容触摸按钮、滑块和轮子用户界面。SAM D10系列与SAM D家族中的其他产品系列兼容，可以轻松迁移到具有更多功能的更大设备。 SAM D10设备提供以下特性：可在线编程的Flash、六通道直接存储器访问（DMA）控制器、六通道事件系统、可编程中断控制器、最多22个可编程I/O引脚、32位实时时钟和日历、两个16位定时器/计数器（TC）和一个24位用于控制的定时器/计数器（TCC），每个TC可以配置为执行频率和波形生成、精确程序执行定时或输入捕获，并对数字信号进行时间和频率测量。TC可以以8位或16位模式运行，选定的TC可以级联形成32位TC，其中一个定时器/计数器具有针对电机、照明和其他控制应用优化的扩展功能。该系列提供多达三个串行通信模块（SERCOM），每个模块可以配置为USART、UART、SPI、I2C（最高3.4MHz）、SMBus、PMBus和LIN从机；最多10通道350ksps 12位ADC，具有可编程增益和可选过采样和抽取，支持高达16位分辨率，一个10位350ksps DAC，两个带窗口模式的模拟比较器，支持多达72个按钮、滑块、轮子和接近感应的外围触摸控制器；可编程看门狗定时器、掉电检测器和上电复位以及两引脚串行线调试（SWD）编程和调试接口。所有设备都具有准确且低功耗的外部和内部振荡器。所有振荡器都可以用作系统时钟的源。不同的时钟域可以独立配置为以不同的频率运行，从而通过使每个外设以其最佳时钟频率运行来节省功耗，同时保持高CPU频率并降低功耗。SAM D10设备有两种软件可选的睡眠模式：空闲和待机。在空闲模式下，CPU停止运行，而所有其他功能可以继续运行。在待机模式下，除了选择继续运行的功能外，所有时钟和功能都停止。设备支持SleepWalking功能。此功能允许外设基于预定义条件从睡眠中唤醒，从而使CPU仅在需要时唤醒，例如当阈值被超过或结果准备好时。事件系统支持同步和异步事件，允许外设即使在待机模式下也能接收、响应和发送事件。Flash程序存储器可以通过SWD接口在线重新编程。同一接口可用于非侵入式的片上调试和跟踪应用程序代码。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何通信接口下载和升级Flash存储器中的应用程序程序。 SAM D10设备得到了全面的程序和系统开发工具的支持，包括C编译器、宏汇编器、程序调试器/仿真器、编程器和评估套件。

数据手册

1+
￥8.4706 ￥20.66
10+
￥5.4963 ￥17.73
30+
￥3.3579 ￥15.99
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￥2.9862 ￥14.22
500+
￥2.8161 ￥13.41
1500+
￥2.7405 ￥13.05

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型号：CH32V208CBU6 编号：C5713556

封装：QFN-48(5x5)

品牌：WCH(南京沁恒)

是基于 ARM Cortex-M3 内核的通用微控制器，与大多数 ARM 工具和软件兼容。它提供丰富的通信接口和控制单元，适用于大多数嵌入式领域，如控制、连接、合成等。也是基于 32 位 RISC-V 指令集和架构的工业级通用微控制器。不同的核心型号根据产品性能和资源的差异进行匹配，该系列产品加载了丰富的外设接口和功能模块，其内部组织结构满足低成本、低功耗的嵌入式应用场景。

1+
￥9.29
10+
￥7.67
30+
￥6.78

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型号：CH32F208WBU6 编号：C5711206

封装：QFN-68(8x8)

品牌：WCH(南京沁恒)

是工业级无线微控制器，基于32位ARM Cortex-M3核心设计。主频率高达144MHz，具有独立GPIO电压（与系统电源分开）。拥有12位ADC、2个运算放大器比较器、4个定时器和1个32位通用定时器，以及USART、I²C、SPI等标准通信接口。片上集成2Mbps低功耗蓝牙BLE通信模块、10M以太网MAC + PHY模块、USB2.0全速设备 + 主机/设备接口、CAN控制器等。

1+
￥9.95
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￥9.13
30+
￥8.62

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型号：CY8C4025LQI-S412T 编号：C3202836

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4 是一个可扩展和可重配置的平台架构，适用于一系列基于 Arm Cortex-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它将可编程和可重配置的模拟与数字模块与灵活的自动布线相结合。PSoC 4000S 产品系列是 PSoC 4 平台架构的一部分。它结合了具有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4000S 产品向上兼容 PSoC 4 平台的其他成员，以满足新的应用和设计需求。

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1+
￥9.96
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￥8.2
30+
￥7.23
100+
￥5.99

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型号：CH32V103R8T6 编号：C2832145

封装：LQFP-64M(10x10)

品牌：WCH(南京沁恒)

基于RISC-V开源指令集设计，系统架构实现了硬件平台的低成本、低功耗和功能应用的最佳平衡。配备丰富的外设接口和功能模块，包括时钟安全机制、多级电源管理、通用DMA控制器、多通道12位ADC、多通道触摸按键电容检测、高级控制/通用定时器、USB2.0主机控制器和设备控制器、多通道I²C/USART/SPI等。配备完整的软硬件平台和调试接口工具，可满足工业、医疗、消费等市场的需求。

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1+
￥11.62
10+
￥9.82
30+
￥8.69
160+
￥7.53

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型号：CH32V208WBU6 编号：C5187528

封装：QFN-68(8x8)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH32V系列是基于青芯32位RISC-V设计的工业级通用微控制器。整个系列产品采用硬件堆栈区、快速中断进入等设计，相比标准大大提高了中断响应速度。CH32V208配备V4C内核，增加了内存保护功能并减少了硬件除法周期。在产品特性方面，它支持144MHz主频零等待操作。该系列集成了2Mbps低功耗蓝牙BLE通信模块、10M以太网MAC+PHY模块、USB2.0全速设备 + 主机/设备接口、CAN控制器等。

1+
￥11.82
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￥10.01
30+
￥8.88

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型号：IKW40N120CS6-HXY 编号：C49003307

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适合高电压和较高电流环境下运行。在导通状态下，集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V，有助于降低功率损耗并提高系统效率。内置二极管可承受40A的正向电流(IF)，其正向压降(Vf)为1.85V，可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计，如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

1+
￥12.78
10+
￥12.49
30+
￥12.3

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型号：ATMEGA88-20AU 编号：C1339984

封装：TQFP-32(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR 内核结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现了比传统CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATmega48/V/ 88/V /168/V 提供以下功能：4K/8K/16K字节的具有读写同时能力的系统内可编程闪存、256/512/512字节的EEPROM、512/1K/1K字节的SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、实时时钟（RTC）、三个带有比较模式和PWM的灵活定时器/计数器、1个可编程串行USART、1个面向字节的两线串行接口（I2C）、一个6通道10位ADC（在TQFP和QFN/MLF封装中有8个通道）、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口和中断系统继续工作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。ADC降噪模式停止CPU及除异步定时器和ADC外的所有I/O模块以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于睡眠状态。这使得快速启动与低功耗相结合成为可能。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器均继续运行。Atmel提供了QTouch 库，用于将电容触摸按钮、滑块和转轮功能嵌入AVR微控制器中。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻按键抑制（AKS™）技术，以确保对按键事件的明确检测。易于使用的QTouch套件工具链允许您探索、开发并调试自己的触摸应用程序。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行在AVR核心上的片上引导程序重新编程程序存储器。引导程序可以使用任何接口下载应用程序至应用Flash存储器中。当应用Flash部分被更新时，Boot Flash部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与系统内自编程Flash结合在同一芯片上， ATmega48/V/ 88/V /168/V 成为一种功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48/V/ 88/V /168/V 得到了完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

数据手册

1+
￥12.97
10+
￥12.68
30+
￥12.49

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型号：FGH50T65SQD-F155-HXY 编号：C49003308

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT模块具备50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中功率电力电子应用。其集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.6V，有效降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的热稳定性和高频响应能力。该模块适合用于高效电源转换、智能电网设备、新能源变换装置及精密电机控制等领域，满足对性能与可靠性有较高要求的设计需求。

1+
￥13.3475 ￥14.05
10+
￥13.053 ￥13.74
30+
￥12.8535 ￥13.53
90+
￥12.6445 ￥13.31

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型号：FSDM07652REWDTU 编号：C898080

封装：TO-220-6-FP

品牌：onsemi(安森美)

FSDM0465RE、FSDM0565RE 和 FSDM07652RE 是一款集成脉冲宽度调制器（PWM）和检测场效应晶体管（SenseFET），专为高性能离线开关模式电源（SMPS）设计，所需外部元件极少。该器件是一款集成高压功率开关稳压器，将具有雪崩耐受能力的检测场效应晶体管与电流模式 PWM 控制模块相结合。PWM 控制器集成了固定频率振荡器、欠压锁定、前沿消隐（LEB）、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精确电流源以及自保护电路

1+
￥13.3718 ￥18.07
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￥9.8304 ￥15.36
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￥7.3818 ￥13.67
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￥6.4422 ￥11.93
500+
￥6.0156 ￥11.14
1000+
￥5.832 ￥10.8

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型号：BTA41-800BRG-HXY 编号：C52043417

封装：TOP-3

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该双向可控硅模块具备41A的通态电流（It）与800V的断态峰值电压（Vdrm），适用于中等功率交流控制场景。器件集成了一个双向可控硅，支持双向导通功能，配合50mA的门极触发电流（Igt），可实现对交流电的精确相位控制。较高的电压额定值增强了在电压波动较大环境中的可靠性。典型应用包括交流调压电路、加热元件控制、照明调光系统以及各类需要无触点开关功能的交流负载控制装置，适合对耐压和稳定性有一定要求的设计。

1+
￥13.4995 ￥14.21
10+
￥11.495 ￥12.1
30+
￥10.241 ￥10.78
90+
￥8.9585 ￥9.43
450+
￥8.379 ￥8.82
900+
￥8.1225 ￥8.55

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型号：AOK50B65M2 编号：C49003325

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同样支持50A，正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的导电性能与热稳定性。模块设计符合标准封装规范，便于安装和散热，适合用于电源转换、电机控制及电力调节等多样化场景，提供稳定高效的功率处理能力。

1+
￥14.21
10+
￥12.1
30+
￥10.78

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型号：NGTB30N135IHRWG-HXY 编号：C49003400

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有30A的集电极电流（Ic）和1350V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压等级的功率应用环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有效控制导通损耗。内置续流二极管支持30A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，提升系统能效表现。模块设计符合标准封装规范，便于安装与散热管理，适用于电源变换、电机控制等高性能电力电子系统方案。

1+
￥14.5635 ￥15.33
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￥14.231 ￥14.98
30+
￥14.0125 ￥14.75
90+
￥13.794 ￥14.52

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型号：RGT00TS65DGC11-HXY 编号：C49003320

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为高性能IGBT管/模块，具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可支持较高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受50A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.45V，表现出良好的能效特性。该器件适用于需要高效能、高稳定性的电力电子系统，如能源转换装置及精密控制设备，提供可靠的开关与导通性能，满足复杂电路对动态响应和热稳定性的要求。

1+
￥15.4185 ￥16.23
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￥13.129 ￥13.82
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￥11.704 ￥12.32
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￥9.5665 ￥10.07
990+
￥9.2815 ￥9.77

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型号：IHW30N135R5-HXY 编号：C49003405

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备30A的集电极电流(Ic)和1350V的集射极击穿电压(Vces)，可稳定工作于较高电压与电流环境，适用于对功率控制要求较高的场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.65V，能在导通状态下保持较低损耗。内置二极管的正向电流(IF)为30A，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠性封装，具备较好的热稳定性与绝缘性能，适合应用于能源转换、精密电源管理及相关配套设备中。

1+
￥15.63
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￥13.31
30+
￥11.86

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型号：MBQ40T120QESTH-HXY 编号：C49003413

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

1+
￥16.23
10+
￥13.82
30+
￥12.32

有货

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型号：HLK-5M05L 编号：C19632435

封装：DIP,36.2x20.8mm

品牌：HI-LINK(海凌科)

5W超小型系列模块电源是一款小体积、高效率的交直流电源模块。它具有全球输入电压范围、温升低、功耗低、效率高、可靠性高和安全隔离性好等优点。已广泛应用于智能家居、自动化控制、通信设备、仪器仪表等行业

1+
￥16.26
10+
￥13.76
30+
￥12.19

有货

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型号：IGW50N60TP-HXY 编号：C49003466

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适合多种中高功率应用场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。内部续流二极管可支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备优良的热稳定性与动态响应特性。模块设计注重电气隔离与散热性能，适用于电力电子变换、智能能源管理及高效电源系统等场景，提供稳定可靠的开关控制能力。

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型号：FGH40T65SHD-F155-HXY 编号：C49003421

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。内部集成二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的开关性能和热稳定性。该器件可广泛应用于电源变换、电机控制、储能系统及智能电力基础设施等领域，提供高效、可靠的半导体解决方案。

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型号：AOK40B65M3 编号：C49003322

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低损耗并提升能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.8V，表现出良好的热稳定性和导通一致性。该器件适合用于电源转换、精密控制等电路设计，支持高频开关操作，满足复杂场景对效率与稳定性的需求。

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型号：FGHL50T65SQ-HXY 编号：C49003468

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的性能指标，适用于高电压和较高功率场景下的开关与控制。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V，可在高频切换条件下提供稳定反向续流能力。该模块在结构设计上注重热管理和电气稳定性，适合多种电力变换设备中使用。

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型号：MPM3820GQV-Z 编号：C6675413

封装：QFN-20(3x5)

品牌：MPS(芯源)

MPM3820 是一款内置功率 MOSFET 和电感的降压模块转换器。这款 DC-DC 模块采用小型表面贴装 QFN-20（3mm x 5mm x 1.6mm）封装，在 2.7V 至 6V 输入电压下可实现 2A 连续输出电流，具有出色的负载和线性调整率。MPM3820 非常适合为单节锂离子（Li+）电池供电的便携式设备供电。输出电压可低至 0.6V 进行调节。只需使用反馈（FB）电阻以及输入和输出电容即可完成设计。恒定导通时间控制（COT）方案可提供快速瞬态响应、高光负载效率和易于实现的环路稳定性。故障保护功能包括逐周期电流限制和热关断（TSD）。MPM3820 所需的现成标准外部组件数量极少，采用超小型 QFN-20（3mmx5mm）封装。

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型号：CY8C4147AZI-S455 编号：C475890

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4100S Plus 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块，并具有灵活的自动布线功能。PSoC 4100S Plus 结合了带有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S Plus 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

数据手册

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