控制模块_厂家_价格_品牌_库存

型号：F2800154QPHPRQ1 编号：C22428129

封装：HTQFP-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

是经过成本优化的C2000实时微控制器系列的可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子产品的效率。这些应用包括:HVAC压缩机模块。前灯。直流/直流转换器。逆变器和电机控制。车载充电器(OBC)和无线充电器

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￥28.67
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￥25.24
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￥21.14

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型号：NGTB40N65FL2WG-HXY 编号：C49003415

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力转换与控制场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，在导通状态下可有效降低损耗，提升系统效率。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的热稳定性和可靠性。该器件适合对能效、运行稳定性及安装空间有较高要求的多样化应用环境，满足复杂工况下的长期使用需求。

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￥28.975 ￥30.5
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￥24.8995 ￥26.21
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型号：PAN3029T433N0M1 编号：C41420981

封装：SMD,24x16mm

品牌：Vollgo(沃进)

PAN3029TxxxN0M1 系列无线透传模块，是一款体积小巧、低功耗、远距离的双向串口收发模块。出厂已默认了透传固件，可以通过相关配置命令进行工作参数的自定义，灵活适应不同的应用场景。硬件上只需要 5 根线连接即可进行数据透传应用，包括电源 VCC、GND、TX、RX、DIO0，如果需要控制模块休眠模式还需要接上 DIO0 模块使能脚,否则可以让 DIO0 直接接地即可。模块集成了所有射频相关功能和器件，用户不需要对射频电路设计深入了解，就可以使用本模块轻易地开发出性能稳定、可靠性高的无线方案与无线物联网设备。模块内置 32 位高性能低功耗 M0+内核 MCU，丰富的 GPIO 可供开发者二次开发使用。

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￥30.54
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型号：IXYH40N65C3H1-HXY 编号：C49003390

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的电流响应与稳定性。采用通用封装设计，便于安装与散热，适合应用于电源变换、电机控制及智能电网等技术领域，满足多样化电路设计需求。

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型号：NGTB50N65FL2WG-HXY 编号：C49003319

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中功率电力电子应用。导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置续流二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的反向恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制及能源管理系统，能够在较高频率下稳定工作，满足对性能与可靠性有要求的应用场合。

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￥30.7895 ￥32.41
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型号：TLH15-23B15R2 编号：C41371532

封装：插件,62x45mm

品牌：TDPOWER(腾达电源)

TLH15R2系列是一款小体积交直流两用电源模块，支持100%国产，质保三年。具有高可靠性、高精度稳压输出和低纹波噪声等特点。适用于电力、新能源、仪器仪表、物联网、工控控制、办公及民用等行业。

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￥31.65
10+
￥30.9
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￥30.4
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￥29.9

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型号：RGSX5TS65HRC11-HXY 编号：C49003473

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备75A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和压降为1.6V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好热稳定性和快速恢复特性。该器件适合用于电源转换、电机控制、储能装置及智能电力管理系统，满足对效率、可靠性和集成度有较高要求的电路设计应用需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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￥27.9015 ￥29.37
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型号：IRGP4790-EPBF-HXY 编号：C49003471

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持75A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定。该模块在电源转换、电力控制等领域表现优异，能够满足多种复杂电路设计对效率与可靠性的要求。

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型号：IXXH40N65B4H1-HXY 编号：C49003388

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具备40A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。模块采用标准封装，便于散热与安装，适用于电源变换、电机控制及智能电网等领域，提供稳定可靠的开关性能。

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型号：RGS00TS65EHRC11-HXY 编号：C49003386

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款IGBT管/模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗并提升整体效率。内置二极管可支持50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.45V，进一步优化了器件在高频开关环境中的性能表现。该模块在结构设计上兼顾热稳定性和电气绝缘性，适合多种高要求场景下的功率转换与控制应用。

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￥32.2905 ￥33.99
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型号：IGW40N120H3-HXY 编号：C49003446

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管可承受40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，支持快速、稳定的反向恢复特性。该器件适用于各类电源转换设备、电机驱动装置及储能系统，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在复杂工况下长期运行，满足多样化功率控制需求。

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￥32.2905 ￥33.99
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￥22.99 ￥24.2

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型号：APT45GR65B-HXY 编号：C49003461

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），支持高功率密度设计。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升能效。内置二极管可承受50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的续流能力。模块采用坚固封装结构，适用于多种高频开关应用，如电源转换、电机控制及智能家电等领域，提供稳定可靠的电力电子解决方案。

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型号：LPC5506JHI48EL 编号：C2987254

封装：HVQFN-48

品牌：NXP(恩智浦)

LPC55S0x/LPC550x 是基于 ARM Cortex-M33 的嵌入式应用微控制器。这些器件包括 CASPER 加密引擎、最高 256 KB 片上闪存、最高 96 KB 片上 SRAM、用于即时闪存加密/解密的 PRINCE 模块、代码看门狗、CAN FD、五个通用定时器、一个 SCTimer/PWM、一个 RTC/报警定时器、一个 24 位多速率定时器 (MRT)、窗口看门狗定时器 (WWDT)、九个灵活的串行通信外设（可配置为 USART、SPI、高速 SPI、I2C 或 I2S 接口）、可编程逻辑单元 (PLU)、一个 16 位 2.0 Msamples/sec ADC，支持同时转换、比较器和温度传感器。

数据手册

1+
￥32.37
10+
￥27.76
30+
￥23.86
100+
￥21.285 ￥21.5

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型号：LHE15-20B24 编号：C5252312

封装：DIP,62x45mm

品牌：DEXU(德旭电子)

该系列模块电源具有全球通用输入电压范围、交直流两用、高效率、低功耗、安全隔离、高可靠性等优点。产品EMC性能好，满足CISPR22/EN55022CLASSB。产品广泛应用于工业控制、电力、通讯、仪器、仪表等领域中。

数据手册

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￥32.481 ￥36.09
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￥30.222 ￥33.58
27+
￥29.727 ￥33.03
99+
￥29.241 ￥32.49

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型号：IKW60N60H3-HXY 编号：C49003414

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本IGBT管/模块具备60A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率场合下的电力控制与转换。其导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）低至1.65V，有效减少导通损耗，提高整体能效。内部二极管可承载最大50A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.65V，表现出良好的热稳定性与可靠性。该器件适合用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的多种应用场合，满足复杂环境下的长期运行需求。

1+
￥32.5945 ￥34.31
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￥28.0155 ￥29.49
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￥25.289 ￥26.62
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￥22.534 ￥23.72
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￥21.2705 ￥22.39
990+
￥20.691 ￥21.78

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型号：STM8SPLNB1M6 编号：C1521013

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

STM8SPLNB1是一款8位微控制器，专用于基于SaTCR的LNB（低噪声模块）和切换器中的DiSEqC从属操作。它是为需要根据DiSEqC标准（数字卫星设备控制）实现LNB设备控制概览的系统设计者提供的完整的硬件和固件解决方案。STM8SPLNB1设备接收同轴电缆上的DiSEqC信号，解码并处理DiSEqC命令。结果是控制了传统的矩阵或I2C线路。STM8SPLNB1设备还可以通过同轴电缆向主设备发送DiSEqC应答。STM8SPLNB1设计用于具有I2C总线控制和/或直接引脚控制的LNB设备。SaTCR1设备通常应用于LNB应用中。可以通过存储在设备数据EEPROM内存中的一组配置参数来修改STM8SPLNB1设备的行为。配置也通过特定的DiSEqC命令完成。最终配置后，设备可以锁定到给定配置（供应商配置）。图2：STM8SPLNB1典型配置展示了使用STM8SPLNB1设备进行LNB控制时推荐的硬件连接配置。为了正确运行，电源必须保持在5V±10%的水平。

数据手册

1+
￥33.4976 ￥52.34
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￥27.0216 ￥50.04
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￥21.4016 ￥48.64
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￥20.8868 ￥47.47

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型号：IRGP4263D-EPBF-HXY 编号：C49003331

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT模块具有50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗，提升转换效率。内置续流二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，可在高频开关与能量回馈应用中提供稳定性能。模块结构设计优化，兼顾散热效率与电气性能，广泛应用于电源变换、新能源控制及高效电机驱动等领域，满足高压高电流场景的技术需求。

1+
￥33.9055 ￥35.69
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￥29.298 ￥30.84
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￥26.4955 ￥27.89
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￥24.1395 ￥25.41

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型号：RGS80TS65HRC11-HXY 编号：C49003450

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT管/模块，主要参数包括：集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）达650V，确保在高压环境下稳定工作；集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管的正向电流（IF）为40A，正向压降（Vf）为1.8V，具备良好的续流能力。该器件适用于需要高效能功率转换与控制的场景，如智能电网、可再生能源系统及精密电机驱动等领域，提供可靠、高效的性能支持。

1+
￥34.409 ￥36.22
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￥29.5735 ￥31.13
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￥26.695 ￥28.1
90+
￥23.788 ￥25.04
510+
￥22.4485 ￥23.63
990+
￥21.8405 ￥22.99

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型号：LHE10-20B12 编号：C5252314

封装：DIP,55x45mm

品牌：DEXU(德旭电子)

该系列模块电源具有全球通用输入电压范围、交直流两用、高效率、低功耗、安全隔离、高可靠性等优点。产品EMC性能好，满足CISPR22/EN55022CLASSB。产品广泛应用于工业控制、电力、通讯、仪器、仪表等领域。

数据手册

1+
￥34.569 ￥38.41
10+
￥29.871 ￥33.19
24+
￥25.794 ￥28.66
96+
￥23.391 ￥25.99

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型号：MPM3860GQW-Z 编号：C5440242

封装：QFN-24(4x6)

品牌：MPS(芯源)

MPM3860是一款完全集成的高频同步整流降压电源模块，内置电感。它提供了一种非常紧凑的解决方案，可在宽输入电压范围内实现6A的连续输出电流，具有出色的负载和线性调节能力。MPM3860采用同步模式工作，可在整个输出电流负载范围内实现更高的效率。恒定导通时间（COT）控制操作可提供极快的瞬态响应和简单的环路设计，以及非常精确的输出调节。完整的保护功能包括短路保护（SCP）、过流保护（OCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPM3860仅需少量易于获取的标准外部元件，采用节省空间的QFN - 24（4mmx6mm）封装。

1+
￥35.0639
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￥32.0327
100+
￥30.3942
500+
￥27.8545
1000+
￥20.809

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型号：HLK-30M15C 编号：C18203069

封装：插件,57.5x33.5mm

品牌：HI-LINK(海凌科)

30W超小型系列模块电源是一款体积小巧、高效的模块电源。它具备全球输入电压范围、温升低、功耗低、效率高、可靠性高以及安全隔离性好等优势，已广泛应用于智能家居、自动化控制、通信设备和仪器仪表等行业。

1+
￥35.25
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￥30.29
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￥27.26

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型号：IGW40T120FKSA1-HXY 编号：C49003436

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为IGBT模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适合高功率应用场景。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，能够有效降低导通损耗。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），其正向压降（Vf）为1.85V，性能稳定可靠。该模块适用于需要高效能开关与功率控制的设备，例如电力变换装置、精密电机驱动系统及高精度电源管理设备，为复杂电路提供稳定的功率支持。

1+
￥47.576 ￥59.47
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￥41.12 ￥51.4
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￥37.184 ￥46.48
90+
￥33.88 ￥42.35

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型号：LPC5528JBD100K 编号：C1499564

封装：HLQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

LPC55S2x/LPC552x 是基于 ARM Cortex-M33 的嵌入式应用微控制器。这些设备包含 CASPER Crypto/FFT 引擎，最高 256 KB 片上 SRAM，最高 512 KB 片上闪存，PRINCE 模块用于即时闪存加密/解密，高速和全速 USB 主机和设备接口（无需晶体即可实现全速操作），SD/MMC/SDIO 接口，五个通用定时器，一个 SCTimer/PWM，一个 RTC/报警定时器，一个 24 位多速率定时器 (MRT)，一个窗口看门狗定时器 (WWDT)，九个灵活的串行通信外设（可配置为 USART、SPI、高速 SPI、I2C 或 I2S 接口），可编程逻辑单元 (PLU)，一个 16 位 1.0 Msamples/sec ADC，支持同时转换，比较器和温度传感器。

数据手册

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￥49.11
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￥42.19
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￥37.98
100+
￥34.0956 ￥34.44

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型号：ITF48IF1200HR-HXY 编号：C49003393

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该IGBT管/模块的集电极电流（Ic）为40A，集射极击穿电压（Vces）高达1200V，具备较强的电压耐受能力，适用于中高功率电力转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于控制导通损耗，提升整体能效。内置二极管可承受40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的电流承载与反向恢复特性。该器件适合用于高效电源系统、储能设备及智能电网相关应用，满足对性能与可靠性要求较高的设计方案。

1+
￥56.08
10+
￥48.46
30+
￥43.82

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型号：OKL-T/6-W5N-C 编号：C7250622

封装：SMD,12.2x12.2mm

品牌：muRata(村田)

OKL-T/6-W5系列是非隔离型负载点(PoL) DC/DC电源转换器，适用于嵌入式应用。该系列采用可检查的栅格阵列(LGA)格式，尺寸仅为0.48 x 0.48 x 0.283英寸（最大值）（12.2 x 12.2 x 7.2毫米，最大值）。输入电压范围宽广，为2.4至5.5伏直流电。最大输出电流为6安培。基于固定频率同步降压转换器开关拓扑结构，高功率转换效率的负载点(PoL)模块具有可编程输出电压和开/关控制功能。这些转换器还包括欠压锁定(UVLO)、输出短路保护、过流保护和过温保护。可选的顺序/跟踪功能允许对PoL进行电源排序。这些产品通过了所有标准的UL/IEC 60950-1安全认证（第2版）和RoHS有害物质合规性认证。

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￥59.23
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￥48.28
30+
￥41.6

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型号：ATXMEGA256A3BU-MH 编号：C614677

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR XMEGA AU 系列是基于增强型 RISC 架构的低功耗、高性能且外设丰富的 CMOS 8/16 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令， AVR XMEGA AU 设备实现了每兆赫接近一百万条指令（MIPS）的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR CPU 结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个指令中访问两个独立的寄存器，并在一个时钟周期内执行。这种架构不仅提高了代码效率，而且比传统的单累加器或 CISC 基础的微控制器实现了多倍的吞吐量。 AVR XMEGA AU 设备提供了以下功能：具有读写同时进行能力的在系统可编程闪存；内部 EEPROM 和 SRAM；四通道 DMA 控制器；八通道事件系统和可编程多级中断控制器；多达 78 条通用 I/O 线；16 位或 32 位实时时钟 (RTC)；多达八个灵活的 16 位定时器/计数器，具有捕获、比较和 PWM 模式；多达八个 USART；多达四个 I2C 和 SMBUS 兼容的两线串行接口 (TWI)；一个全速 USB 2.0 接口；多达四个串行外设接口 (SPI)；CRC 模块；AES 和 DES 加密引擎；多达两个 16 通道 12 位 ADC，带有可编程增益；多达两个 2 通道 12 位 DAC；多达四个带窗口模式的模拟比较器；带独立内部振荡器的可编程看门狗定时器；精确的内部振荡器，带 PLL 和预分频器；以及可编程掉电检测。程序和调试接口 (PDI) 是一种快速的两针接口，用于编程和调试。部分设备还配备了符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 接口，该接口也可用于片上调试和编程。 AVR XMEGA 设备具有五种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 的运行，但允许 SRAM、DMA 控制器、事件系统、中断控制器和所有外设继续运行。掉电模式保存 SRAM 和寄存器内容，但停止振荡器，禁用所有其他功能，直到下一个 TWI、USB 恢复、引脚变化中断或复位。在节电模式下，异步实时时钟继续运行，允许应用程序在设备其余部分处于睡眠状态时保持定时基准。在待机模式下，外部晶体振荡器继续运行，而设备的其余部分则处于睡眠状态。这使得从外部晶体启动非常快，同时结合了低功耗。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器都继续运行。为了进一步降低功耗，在活动模式和空闲睡眠模式下可以选择性地停止每个单独外设的外围时钟。这些设备采用高密度非易失性存储技术制造。程序闪存可以通过 PDI 或 JTAG 接口在系统中重新编程。运行在设备中的引导加载程序可以使用任何接口将应用程序下载到闪存中。在更新应用闪存部分时，引导闪存部分中的引导加载程序软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8/16 位 RISC CPU 与在系统自编程闪存相结合， AVR XMEGA 成为一个强大的微控制器系列，为许多嵌入式应用提供了高度灵活且经济高效的解决方案。 AVR XMEGA AU 设备配备了一整套程序和系统开发工具，包括 C 编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、编程器和评估套件。

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型号：MPM3570EGLD 编号：C6228621

封装：LGA-8(10x10)

品牌：MPS(芯源)

MPM3570E 是一款用于对空间要求敏感应用的高密度、非隔离式 DC/DC 电源模块。它提供了一种非常紧凑的解决方案，可在 4.5V 至 75V 的宽输入电源范围内实现 0.3A 的输出电流，并可通过外部 FB 电阻提供 1.0V 至 12V 的可调输出电压（默认输出 3.3V）。MPM3570E 在小尺寸封装中集成了开关控制器、功率开关、电感器、适量的输入和输出电容器以及所有支持组件。这种紧凑的解决方案通过大幅简化电路板设计、布局和制造要求，极大地助力了系统设计和生产。通过同步整流和控制技术实现了超高效率，尤其是在轻载条件下。全温度范围内 25μA 的关断静态电流非常适合电池供电应用。MPM3570E 具备标准特性，包括内部固定软启动（SS）、远程使能（EN）控制和电源正常指示（POK）。完整的保护特性包括过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断。MPM3570E 所需的外部组件数量极少，采用紧凑的 LGA8（10mm×10mm×4.2mm）封装。

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型号：LPC55S28JEV98K 编号：C1499558

封装：VFBGA-98

品牌：NXP(恩智浦)

LPC55S2x/LPC552x 是基于 ARM Cortex-M33 的嵌入式应用微控制器。这些设备包含 CASPER Crypto/FFT 引擎，最高 256 KB 片上 SRAM，最高 512 KB 片上闪存，PRINCE 模块用于即时闪存加密/解密，高速和全速 USB 主机和设备接口（无需晶体即可实现全速操作），SD/MMC/SDIO 接口，五个通用定时器，一个 SCTimer/PWM，一个 RTC/报警定时器，一个 24 位多速率定时器 (MRT)，一个窗口看门狗定时器 (WWDT)，九个灵活的串行通信外设（可配置为 USART、SPI、高速 SPI、I2C 或 I2S 接口），可编程逻辑单元 (PLU)，一个 16 位 1.0 Msamples/sec ADC，支持同时转换，比较器和温度传感器。

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型号：RAS25-5-W 编号：C2764872

封装：DIP,70x48mm

品牌：ruidakangDY(瑞达康)

高可靠性、高效率、高功率密度的20-30W AC-DC电源模块，具有高隔离耐压和低辐射干扰。适用于电力、新能源、通信、工业控制等行业。

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型号：ATMEGA64-16AU 编号：C219170

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega64 是一种基于增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega64 可实现接近每 MHz 1 MIPS 的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度之间的平衡。AVR 内核结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单条指令访问两个独立的寄存器。这种架构使得代码更高效，同时实现了比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。ATmega64 提供以下特性：64 K字节的带读写功能的在线可编程 Flash、2 K字节 EEPROM、4 K字节 SRAM、53 条通用 I/O 线、32 个通用工作寄存器、实时时钟 (RTC)、四个带有比较模式和 PWM 功能的灵活定时/计数器、两个 USART、面向字节的两线串行接口、8 通道 10 位 ADC（具有可选差分输入级和可编程增益）、带有内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI 串行端口、符合 IEEE std. 1149.1 标准的 JTAG 测试接口（也可用于访问片上调试系统和编程），以及六种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 运行，但允许 SRAM、定时/计数器、SPI 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。ADC 噪声抑制模式停止 CPU 和所有 I/O 模块（除了异步定时器和 ADC）以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态。这允许非常快速的启动并结合低功耗。在扩展待机模式下，主振荡器和异步定时器都继续运行。

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